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1、第六章 CVD技術簡介第一節(jié)化學氣相沉積技術的發(fā)展歷史n化學氣相沉積是利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質在氣相或氣固界面上反應生成固態(tài)沉積物的技術n化學氣相沉積原意為化學蒸汽沉積(Chemical Vapor Deposition, For Short CVD)n世紀年代該項技術的另一名稱為蒸汽鍍n根據(jù)沉積過程分為PVD和CVDnPVD包括：真空蒸發(fā)、濺射、離子鍍n直接依靠氣體反應或等離子體放電增強氣體反應的稱為CVD或PCVD or PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)n20世紀50年代注重于刀具涂層的應用。n20世紀6070年代注重于半導體

2、和集成電路技術發(fā)展和生產(chǎn)需求，CVD技術成為超純硅原料的唯一生產(chǎn)方法和族半導體、族半導體單晶外延的基本生產(chǎn)方法。n20世紀80年代低壓CVD金剛石薄膜第二節(jié) 化學氣相沉積的技術原理CVD技術在無機合成和材料制備的特點：n淀積反應發(fā)生則淀積物按原有固態(tài)基底的形狀包復薄膜n可以得到單一的無機物質，作為原材料制備n若采用某種基底材料，在淀積物達到一定厚度并又容易與基底分離，可得到特定形狀的器具n可以淀積生成晶體或細粉末狀物質CVD技術的要求n反應原料是氣態(tài)或易于揮發(fā)成蒸汽的液態(tài)或固態(tài)物質n反應易于生成所需要的沉積物而其它副產(chǎn)物保留在氣相中排出或易分離n整個操作較易于控制化學氣相沉淀的反應類型n簡單熱

3、分解和熱分解反應沉積n氧化還原反應沉積n合成反應沉積n化學輸運反應沉積n等離子體增強的反應沉積n其他能源（激光）增強的反應沉積第三節(jié) 化學氣相沉積的裝置n氣源控制部分n沉積反應室n沉積溫控部件n真空系統(tǒng)n壓力控制系統(tǒng)n其他（增強或激活設備）半導體超純多晶硅的沉積生產(chǎn)裝置常壓單晶外延和多晶薄膜沉積裝置等離子體增強CVD裝置環(huán)狀環(huán)狀噴口噴口襯底襯底低壓系統(tǒng)低壓系統(tǒng)Plsama微波微波發(fā)生發(fā)生器器CoolingWaterMicrowaveO2MFCMFCO2PumpAerosolMFCMFCArAr脈沖式脈沖式計量計量泵泵超聲超聲波波發(fā)生發(fā)生器器Precursor超聲噴嘴超聲噴嘴ECRECR控制面板控制面板前驅液前驅液多孔閥多孔閥控溫系統(tǒng)控溫系統(tǒng)電爐電爐Ni-Cr板板第四節(jié) CVD技術的理論基礎n氣相生長動力學模型SGGCChJ1氣相外延層CGCSJ1J2sGGCCDJ1GGDh

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