第章半導體物理和器件物理基礎ppt課件

1、第二章第二章 半導體物理半導體物理和器件物理根底和器件物理根底主要內容主要內容半導體資料根本特性半導體資料根本特性pnpn結結 雙極晶體管雙極晶體管金屬金屬- -氧化物氧化物- -半導體場半導體場效應管效應管 半導體資料的根本特性半導體資料的根本特性電導率：電導率： 超導體超導體: 大于大于106( cm)-1(conductivity ) 導導 體體: 106104( cm)-1 半導體半導體: 10410-10( cm)-1 絕緣體絕緣體: 小于小于10-10( cm)-1？什么是半導體？什么是半導體(semiconductor)原子結合方式：共價鍵原子結合方式：共價鍵構成的晶體構造：構成

2、的晶體構造： 具具 有有 金金 剛剛 石石 晶晶 體體 結結 構構半導體的主要特點半導體的主要特點 在純真半導體資料中，電導率隨溫度的上升在純真半導體資料中，電導率隨溫度的上升而指數(shù)地添加。而指數(shù)地添加。 半導體中雜質半導體中雜質impurity的種類和數(shù)量決的種類和數(shù)量決議著半導體的電導率，而且在摻雜議著半導體的電導率，而且在摻雜dope的情況下，溫度對電導率的影響較弱。的情況下，溫度對電導率的影響較弱。 在半導體中可以實現(xiàn)非均勻摻雜。在半導體中可以實現(xiàn)非均勻摻雜。 光的輻照、高能電子等的注入光的輻照、高能電子等的注入injection可以影響半導體的電導率?？梢杂绊懓雽w的電導率。常見的半

3、導體資料常見的半導體資料電子：電子：Electron，帶負電的導電載流子，是價，帶負電的導電載流子，是價電子脫離原子束縛電子脫離原子束縛 后構成的自在電子，后構成的自在電子，對應于導帶中占據(jù)的電子對應于導帶中占據(jù)的電子空穴：空穴：Hole，帶正電的導電載流子，是價電子，帶正電的導電載流子，是價電子脫離原子束縛脫離原子束縛 后構成的電子空位，對應后構成的電子空位，對應于價帶中的電子空位于價帶中的電子空位半導體的摻雜半導體的摻雜半導體就是靠電子和空穴的挪動導電的，在半導體就是靠電子和空穴的挪動導電的，在半導體中，電子和空穴統(tǒng)稱載流子半導體中，電子和空穴統(tǒng)稱載流子carriercarrier。自在電

4、子自在電子 帶負電荷帶負電荷 電子流電子流+4+4+4+4+4+4+4+4+4自在電子自在電子E總電流總電流載流子載流子空穴空穴 帶正電荷帶正電荷 空穴流空穴流半導體的導電性取決于外加能量：半導體的導電性取決于外加能量：溫度變化，導電性變化；光照變化，導電性變化。溫度變化，導電性變化；光照變化，導電性變化。導電機制導電機制N N型半導體，在半導體中摻入五價雜質元素，型半導體，在半導體中摻入五價雜質元素，例如磷，砷等。主要依托電子導電。例如磷，砷等。主要依托電子導電。多余電子多余電子磷原子磷原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+4+4+5多數(shù)載流子多數(shù)載流子自在電子自在電子少數(shù)載流子少數(shù)載流

5、子 空穴空穴+N型半導體施主離子施主離子自在電子自在電子電子空穴對電子空穴對P P型半導體在本征半導體中摻入三價雜質元素型半導體在本征半導體中摻入三價雜質元素，如硼、鎵等。主要依托空穴導電。，如硼、鎵等。主要依托空穴導電。空穴空穴硼原子硼原子硅原子硅原子+4+4+4+4+4+4+3+4+4多數(shù)載流子多數(shù)載流子 空穴空穴少數(shù)載流子少數(shù)載流子自在電子自在電子P型半導體受主離子受主離子空穴空穴電子空穴對電子空穴對施主：施主：Donor，摻入半導體的雜質原子向半導，摻入半導體的雜質原子向半導體中提供導電的電子，并成為帶正電的體中提供導電的電子，并成為帶正電的離子。如離子。如Si中摻的中摻的P和和As。

6、依托施主提供。依托施主提供的電子導電的半導體稱為的電子導電的半導體稱為n型半導體。型半導體。受主：受主：Acceptor，摻入半導體的雜質原子向半，摻入半導體的雜質原子向半導體中提供導電的空穴，并成為帶負電導體中提供導電的空穴，并成為帶負電的離子。如的離子。如Si中摻的中摻的B。依托受主提供的。依托受主提供的空穴導電的半導體稱為空穴導電的半導體稱為p型半導體。型半導體。 在半導體中摻入雜質可以控制半導體的導電性。在半導體中摻入雜質可以控制半導體的導電性。 實踐上，半導體中通常含有施主和受主雜質，當實踐上，半導體中通常含有施主和受主雜質，當施主數(shù)量大于受主時，半導體是施主數(shù)量大于受主時，半導體是

7、 n n 型的；反之，當型的；反之，當受主數(shù)量大于施主時，那么是受主數(shù)量大于施主時，那么是 p p 型的。型的。半導體的電導率和電阻率半導體的電導率和電阻率均勻導電資料的導電才干通常采用電阻或電導均勻導電資料的導電才干通常采用電阻或電導來描畫，滿足歐姆定律。來描畫，滿足歐姆定律。半導體的導電性質可以經(jīng)過摻雜雜質來實現(xiàn)，半導體的導電性質可以經(jīng)過摻雜雜質來實現(xiàn)，經(jīng)過半導體的電流是不均勻的，因此采用微分方式的經(jīng)過半導體的電流是不均勻的，因此采用微分方式的歐姆定律，并且利用電導率歐姆定律，并且利用電導率conductivity 和電和電阻率阻率resistivity 描畫半導體的導電性質。描畫半導體的

8、導電性質。EEj半導體的電導率電阻率與載流子濃度半導體的電導率電阻率與載流子濃度(concentration )摻雜濃度和遷移率摻雜濃度和遷移率(mobility )有有關。關。半導體的遷移率半導體的遷移率mobilitymobility 遷移率是指載流子電子和空穴在單位電場作遷移率是指載流子電子和空穴在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。它是反映半導體導電才干的重動得慢，遷移率小。它是反映半導體導電才干的重要參數(shù)。要參數(shù)。它對

9、半導體器件的導電才干和任務速度有直接的它對半導體器件的導電才干和任務速度有直接的影響。影響。同一種半導體資料中，載流子類型不同，遷移率同一種半導體資料中，載流子類型不同，遷移率不同，普通是電子的遷移率高于空穴。不同，普通是電子的遷移率高于空穴。 遷移率滿足方程：遷移率滿足方程：Ev載流子在電場中并不是不受阻力的，不斷加速的。載流子在電場中并不是不受阻力的，不斷加速的。現(xiàn)實上，要與晶格、雜質、缺陷等發(fā)生碰撞，這種現(xiàn)實上，要與晶格、雜質、缺陷等發(fā)生碰撞，這種碰撞景象稱為散射碰撞景象稱為散射scatteringscattering。散射主要包括兩種：散射主要包括兩種：晶格散射和電離雜質散射。晶格散射

10、和電離雜質散射。單位電場作用下載流子獲得平均速度。單位電場作用下載流子獲得平均速度。反映了載流子在電場作用下輸運才干。反映了載流子在電場作用下輸運才干。晶格散射晶格散射晶格散射是由晶格振動，也就是晶格散射是由晶格振動，也就是熱運動引起的載流子散射。因此，溫熱運動引起的載流子散射。因此，溫度越高，晶格振動越猛烈，更加妨礙度越高，晶格振動越猛烈，更加妨礙了載流子的運動，遷移率下降。了載流子的運動，遷移率下降。EcEv晶格原子熱振動導致勢場的周期性遭晶格原子熱振動導致勢場的周期性遭到破壞，相當于添加了一個附加勢到破壞，相當于添加了一個附加勢理想晶格原子陳列理想晶格原子陳列以一定方式振動的晶格原子以一

11、定方式振動的晶格原子l電離雜質散射電離雜質散射是由電離雜質構成的正負電中心電離雜質散射是由電離雜質構成的正負電中心對載流子的吸引或排斥作用引起的。雜質越多，載對載流子的吸引或排斥作用引起的。雜質越多，載流子和帶點中心越多，它們相遇的時機也就越多，流子和帶點中心越多，它們相遇的時機也就越多，就更加妨礙載流子的運動。因此，摻雜濃度越高，就更加妨礙載流子的運動。因此，摻雜濃度越高，遷移率越低。遷移率越低。電離雜質散射電離雜質散射影響遷移率的要素：影響遷移率的要素：溫度溫度摻雜濃度摻雜濃度半導體中載流子的散射機制：半導體中載流子的散射機制： 晶格散射晶格散射 熱熱 運運 動動 引引 起起 電離雜質散射

12、電離雜質散射 半導體中的載流子半導體中的載流子量子態(tài)和能級量子態(tài)和能級 用波函數(shù)描畫電子的形狀，也稱為態(tài)函數(shù)，用波函數(shù)描畫電子的形狀，也稱為態(tài)函數(shù)，這個形狀就稱為量子態(tài)這個形狀就稱為量子態(tài) quantum state。一個量子態(tài)上只需一個電子。一個量子態(tài)上只需一個電子。 并且在一定條件下，電子從一個量子態(tài)轉并且在一定條件下，電子從一個量子態(tài)轉移到另一個量子態(tài)，稱為量子躍遷移到另一個量子態(tài)，稱為量子躍遷transition。價帶：價帶：0K0K條件下被電子填充的能量最高的能帶條件下被電子填充的能量最高的能帶導帶：導帶： 0K0K條件下未被電子填充的能量最低的能帶條件下未被電子填充的能量最低的能帶

13、禁帶：導帶底與價帶頂之間能帶禁帶：導帶底與價帶頂之間能帶帶隙：導帶底與價帶頂之間的能量差帶隙：導帶底與價帶頂之間的能量差半導體的能帶構造半導體的能帶構造施主能級施主能級受主能級受主能級雜質能級雜質能級雜質可以使電子在其周圍運動構成量雜質可以使電子在其周圍運動構成量子態(tài)，通常雜質能級出如今禁帶之中子態(tài)，通常雜質能級出如今禁帶之中。雜質能級雜質能級F施主和受主的電離能都很小，因此，根本上全施主和受主的電離能都很小，因此，根本上全部電離，構成自在導電的電子和空穴。部電離，構成自在導電的電子和空穴。F族受主能級和族受主能級和族施主能級分別間隔價帶和族施主能級分別間隔價帶和導帶很近，電離能小，稱為淺能級

14、。假設雜質能導帶很近，電離能小，稱為淺能級。假設雜質能級距導帶和價帶較遠，稱為深能級。級距導帶和價帶較遠，稱為深能級。F假好像時存在施主和受主時，將相互補償，當假好像時存在施主和受主時，將相互補償，當施主數(shù)目大于受主數(shù)目時，發(fā)生施主數(shù)目大于受主數(shù)目時，發(fā)生n型補償；反之，型補償；反之，發(fā)生發(fā)生p型補償。型補償。多子：多數(shù)載流子多子：多數(shù)載流子(majority carrier)n型半導體：電子型半導體：電子p型半導體：空穴型半導體：空穴少子：少數(shù)載流子少子：少數(shù)載流子(minority carrier)n型半導體：空穴型半導體：空穴p型半導體：電子型半導體：電子多子和少子的熱平衡多子和少子的熱

15、平衡在半導體中，由于熱運動，總是存在兩種在半導體中，由于熱運動，總是存在兩種運動過程：運動過程：電子電子空穴對的產(chǎn)生空穴對的產(chǎn)生電子電子空穴對的復合空穴對的復合recombination這兩個過程是對立的，并且也是同時存在這兩個過程是對立的，并且也是同時存在的。當無外界影響時，半導體中將在產(chǎn)生的。當無外界影響時，半導體中將在產(chǎn)生和復合這兩個過程的根底上構成熱平衡。和復合這兩個過程的根底上構成熱平衡。從宏觀上看，電子和空穴濃度不變。從宏觀上看，電子和空穴濃度不變。熱平衡時，本征載流子濃度：熱平衡時，本征載流子濃度： n=p=ni np=ni2本征本征intrinsic情況情況本征半導體：沒有摻雜

16、的半導體本征半導體：沒有摻雜的半導體本征載流子：本征半導體中的載流子本征載流子：本征半導體中的載流子 電電 子子 濃濃 度度 n, 空空 穴穴 濃濃 度度 p電中性條件電中性條件: 正負電荷之和為正負電荷之和為0p + Nd n Na = 0電子的平衡統(tǒng)計電子的平衡統(tǒng)計電子滿足費米電子滿足費米狄拉克統(tǒng)計，在據(jù)對溫度為狄拉克統(tǒng)計，在據(jù)對溫度為T的的物體內，電子到達熱平衡時，能量為物體內，電子到達熱平衡時，能量為E的能級被電的能級被電子占據(jù)的幾率為：子占據(jù)的幾率為： kTEEFeEf/11FE為費米能級。它反映了電子的填充程度。為費米能級。它反映了電子的填充程度。非本征半導體的載流子非本征半導體的

17、載流子2innp pn 在非本征情形在非本征情形: 熱平衡時熱平衡時:N型半導體：型半導體：n大于大于pP型半導體：型半導體：p大于大于nn型半導體：電子型半導體：電子 n Nd 空穴空穴 p ni2/Ndp型半導體：空穴型半導體：空穴 p Na 電子電子 n ni2/Na過剩載流子過剩載流子 由于受外界要素如光、電的作用，半導由于受外界要素如光、電的作用，半導體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，稱這體中載流子的分布偏離了平衡態(tài)分布，稱這些偏離平衡分布的載流子稱為過剩載流子。些偏離平衡分布的載流子稱為過剩載流子。當外界要素撤除后，過剩載流子逐漸消逝，當外界要素撤除后，過剩載流子逐漸消逝，稱為過剩

18、載流子的復合。稱為過剩載流子的復合。在外電場的作用下，半導體中的載流子會構在外電場的作用下，半導體中的載流子會構成兩種運動形狀：成兩種運動形狀：漂移漂移(drift)運動運動 分散分散(diffusion)運動運動Pn結結pn結是大多數(shù)半導體器件都會涉及到的結是大多數(shù)半導體器件都會涉及到的構造。因此半導體器件的特性與任務過程同構造。因此半導體器件的特性與任務過程同pn結的特性和原理親密相關。因此結的特性和原理親密相關。因此pn結對于結對于半導體器件的學習是特殊重要的。在半導體器件的學習是特殊重要的。在pn結根結根本構造和原理的學習過程中，我們會遇到一本構造和原理的學習過程中，我們會遇到一些非常

19、根本和重要的概念，是以后的學習過些非常根本和重要的概念，是以后的學習過程中會不斷提到的，因此一定要了解這些概程中會不斷提到的，因此一定要了解這些概念的物理涵義和根本性質。念的物理涵義和根本性質。pn結結 (junction)pnpn結的根本構造結的根本構造假設在同一半導體內部，一邊是假設在同一半導體內部，一邊是P P 型，一型，一邊是邊是N N 型，那么會在型，那么會在P P 型區(qū)和型區(qū)和N N 型區(qū)的交界面型區(qū)的交界面附近構成附近構成pn pn 結，它的行為并不簡單等價于一結，它的行為并不簡單等價于一塊塊P P型半導體和型半導體和N N 型半導體的串聯(lián)。這種構造型半導體的串聯(lián)。這種構造具有特

20、殊的性質：單導游電性。具有特殊的性質：單導游電性。PN PN 結是許多結是許多重要半導體器件的中心。重要半導體器件的中心。內電場E因多子濃度差因多子濃度差構成內電場構成內電場多子的分散多子的分散 空間電荷區(qū)空間電荷區(qū) 阻止多子分散，促使少子漂移。阻止多子分散，促使少子漂移。PNPN結合結合+P型半導體+N型半導體+空間電荷區(qū)空間電荷區(qū)多子分散電流多子分散電流少子漂移電流少子漂移電流耗盡層耗盡層(depletion layer)PN結及其單導游電性結及其單導游電性 1 . PN結的構成 少子飄移少子飄移補充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，補充耗盡層失去的多子，耗盡層窄，E多子分散多子分散 又失去多子

21、，耗盡層寬，又失去多子，耗盡層寬，EP型半導體+N型半導體+內電場E多子分散電流多子分散電流少子漂移電流少子漂移電流耗盡層耗盡層動態(tài)平衡：動態(tài)平衡： 分散電流分散電流 漂移電流漂移電流總電流總電流02. PN結的單導游電性結的單導游電性(1) 加正向電壓正偏加正向電壓正偏(forward bias) 電源正極接電源正極接P區(qū)，區(qū)，負極接負極接N區(qū)區(qū) 外電場的方向與內電場方向相反。外電場的方向與內電場方向相反。 外電場減弱內電場外電場減弱內電場耗盡層變窄耗盡層變窄 分散運動漂移運動分散運動漂移運動多子分散構成正向電流多子分散構成正向電流I F+P型半導體+N型半導體+WER空間電荷區(qū)內電場E正向

22、電流正向電流 (2) 加反向電壓加反向電壓(反偏反偏) (backward bias) 電源電源正極接正極接N區(qū)，負極接區(qū)，負極接P區(qū)區(qū) 外電場的方向與內電場方向一樣。外電場的方向與內電場方向一樣。 外電場加強內電場外電場加強內電場耗盡層變寬耗盡層變寬 漂移運動分散運動漂移運動分散運動少子漂移構成反向電流少子漂移構成反向電流I R+內電場+E+EW+空 間 電 荷 區(qū)+R+IRPN 在一定的溫度下，由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的，故IR根本上與外加反壓的大小無關，所以稱為反向飽和電流。但IR與溫度有關。 PN PN結加正向電壓時，具有較大的正結加正向電壓時，具有較大的正向分散電流，呈現(xiàn)低電阻

23、，向分散電流，呈現(xiàn)低電阻， PN PN結導通；結導通； PN PN結加反向電壓時，具有很小的反結加反向電壓時，具有很小的反向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻，向漂移電流，呈現(xiàn)高電阻， PN PN結截止。結截止。 由此可以得出結論：由此可以得出結論：PNPN結具有單導結具有單導游電性。游電性。3. PN結的伏安特性曲線及表達式結的伏安特性曲線及表達式 根據(jù)實際推導，PN結的伏安特性曲線如圖正偏正偏IF多子分散多子分散IR少子漂移少子漂移反偏反偏反向飽和電流反向飽和電流反向擊穿電壓反向擊穿電壓反向擊穿反向擊穿(breakdown)熱擊穿熱擊穿燒壞燒壞PN結結電擊穿電擊穿可逆可逆4. PN結的電容效應結的電容效

24、應 當外加電壓發(fā)生變化時，耗盡層的寬度要相應當外加電壓發(fā)生變化時，耗盡層的寬度要相應地隨之改動，即地隨之改動，即PN結中存儲的電荷量要隨之變化結中存儲的電荷量要隨之變化，就像電容充放電一樣。，就像電容充放電一樣。 (1) 勢壘電容CB空空間間電電荷荷區(qū)區(qū)W+R+E+PN(2) 分散電容分散電容CD 當外加正向電壓當外加正向電壓不同時，不同時，PN結兩結兩側堆積的少子的側堆積的少子的數(shù)量及濃度梯度數(shù)量及濃度梯度也不同，這就相也不同，這就相當電容的充放電當電容的充放電過程。過程。+NPpLx濃濃度度分分布布耗耗盡盡層層NP區(qū)區(qū)區(qū)區(qū)中中空空穴穴區(qū)區(qū)中中電電子子區(qū)區(qū)濃濃度度分分布布nL電容效應在交流信

25、號作用下才會明顯表現(xiàn)出來電容效應在交流信號作用下才會明顯表現(xiàn)出來極間電容結電容極間電容結電容PN結的運用結的運用 根據(jù)根據(jù)PN結的資料、摻雜分布、幾何結的資料、摻雜分布、幾何構造和偏置條件的不同，利用其根本特構造和偏置條件的不同，利用其根本特性可以制造多種功能的晶體二極管。如性可以制造多種功能的晶體二極管。如利用利用PN結單導游電性可以制造整流二極結單導游電性可以制造整流二極管、檢波二極管和開關二極管，利用擊管、檢波二極管和開關二極管，利用擊穿特性制造穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；穿特性制造穩(wěn)壓二極管和雪崩二極管；利用高摻雜利用高摻雜PN結隧道效應制造隧道二極結隧道效應制造隧道二極管；利用結電容隨外

26、電壓變化效應制造管；利用結電容隨外電壓變化效應制造變容二極管。使半導體的光電效應與變容二極管。使半導體的光電效應與PN結相結合還可以制造多種光電器件。如結相結合還可以制造多種光電器件。如利用正向偏置異質結的載流子注入與復利用正向偏置異質結的載流子注入與復合可以制造半導體激光二極管與半導體合可以制造半導體激光二極管與半導體發(fā)光二極管；利用光輻射對發(fā)光二極管；利用光輻射對PN結反向電結反向電流的調制造用可以制成光電探測器；利流的調制造用可以制成光電探測器；利用光生伏特效應可制成太陽電池。此外，用光生伏特效應可制成太陽電池。此外，利用兩個利用兩個PN結之間的相互作用可以產(chǎn)生結之間的相互作用可以產(chǎn)生放

27、大，振蕩等多種電子功能放大，振蕩等多種電子功能 。PN結是構結是構成雙極型晶體管和場效應晶體管的中心，成雙極型晶體管和場效應晶體管的中心，是現(xiàn)代電子技術的根底。在二級管中廣是現(xiàn)代電子技術的根底。在二級管中廣泛運用。泛運用。雙極晶體管雙極晶體管 半導體三極管，也叫晶體三極管。由于任務時，半導體三極管，也叫晶體三極管。由于任務時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運轉，因此，還被多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運轉，因此，還被稱為雙極型晶體管稱為雙極型晶體管Bipolar Junction Transistor,簡稱簡稱BJT。BJT是由兩個是由兩個PN結組成的。結組成的。雙極型晶體管的幾種常見外形雙極型晶

28、體管的幾種常見外形a a小功率管小功率管 b b小功率管小功率管 c c中功率管中功率管 d d大功率管大功率管 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)搜集區(qū)搜集區(qū)基區(qū)基區(qū)發(fā)發(fā)射射結結搜搜集集結結發(fā)射極發(fā)射極(emitter)搜集極搜集極(collector)基極基極(base)BECNNP基極基極發(fā)射極發(fā)射極集電極集電極NPN型型PNP集電極集電極基極基極發(fā)射極發(fā)射極BCEPNP型型共基極共基極共發(fā)射極共發(fā)射極共搜集極共搜集極NNP晶體管的共搜集極接法晶體管的共搜集極接法cbe晶體管中兩個結的相互作用是經(jīng)過晶體管中兩個結的相互作用是經(jīng)過載流子輸運表達出來的，由于基區(qū)寬度載流子輸運表達出來的，由于基區(qū)寬度遠小于基區(qū)中少

29、子的分散長度，因此發(fā)遠小于基區(qū)中少子的分散長度，因此發(fā)射結注入基區(qū)的非平衡少子可以靠分散射結注入基區(qū)的非平衡少子可以靠分散經(jīng)過基區(qū)，并被搜集結電場拉向搜集區(qū)，經(jīng)過基區(qū)，并被搜集結電場拉向搜集區(qū)，流出搜集極，使得反向偏置搜集結流過流出搜集極，使得反向偏置搜集結流過反向大電流。非平衡少子的分散運動是反向大電流。非平衡少子的分散運動是晶體三級管的任務根底。晶體三級管的任務根底。任務的根本條件：任務的根本條件：EB結正偏結正偏(forward bias)；CB結反偏結反偏(backward bias) 。VCCVBB VEEBJT的放大作用可表現(xiàn)為：用較小的基的放大作用可表現(xiàn)為：用較小的基極電流控制較

30、大的搜集極電流，或將較極電流控制較大的搜集極電流，或將較小的電壓按比例放大為較大的電壓。小的電壓按比例放大為較大的電壓。EB結加正結加正偏偏,分散運分散運動構成動構成IE。分散到基區(qū)的分散到基區(qū)的自在電子與穴自在電子與穴復合構成復合構成IB。CB結加反結加反偏偏,漂移運漂移運動構成動構成IC。輸出特性三個區(qū)域的特點輸出特性三個區(qū)域的特點:放大區(qū)：發(fā)射結正偏，搜集結反偏。放大區(qū)：發(fā)射結正偏，搜集結反偏。(2) 飽和區(qū)：發(fā)射結正偏，搜集結正偏。飽和區(qū)：發(fā)射結正偏，搜集結正偏。(3) 截止區(qū)：截止區(qū)： 發(fā)射結反偏，發(fā)射結反偏， 搜集結反偏。搜集結反偏。晶體管的電流增益放大系數(shù)晶體管的電流增益放大系數(shù)ecII00001cecIIIecii1bcII0bciiMOS場效應晶體管場效應晶體管l 英文縮寫：英文縮寫：FET (field-effec-transistor)l 場效應管是另一種具有正向受控作用的半導場效應管是另一種具有正向受控作用的半導體器件，從制做工藝的結法上分為兩大類型：體器件，從制做工藝的結法上分為兩大類型：l 第一類：結型場效應管第一類：結型場效應管Junction F