半導(dǎo)體、微電子專業(yè)英語單詞匯總

1、半導(dǎo)體、微電子專業(yè)英語單詞匯總flatbandcapacitanse:平帶電容flatbandvoltage:平帶電壓flowcoefficicent:流動(dòng)系數(shù)flowvelocity:流速計(jì)flowvolume:流量計(jì)flux:單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)forbiddenenergygap:禁帶four-pointprobe:四點(diǎn)探針臺(tái)functionalarea:功能區(qū)gateoxide:柵氧glasstransitiontemperature:玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度gowning:凈化服grayarea:灰區(qū)grazingincidenceinterferometer:切線入射干涉儀hard

2、bake:后烘heteroepitaxy:單晶長在不同材料的襯底上的外延方法high-currentimplanter:束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)hign-efficiencyparticulateair(HEPA)filter:高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒host:主機(jī)hotcarriers:熱載流子hydrophilic:親水性hydrophobic:疏水性impurity:雜質(zhì)inductivecoupledplasma(ICP):感應(yīng)等離子體inertgas:惰性氣體initialoxide:氧insulator:絕緣isolatedlin

3、e:隔離線implant:注入impurityn:摻雜junction:結(jié)junctionspikingn:鋁穿刺kerf:劃片槽landingpadnADlithographyn制版maintainability,equipment:設(shè)備產(chǎn)能maintenancen保養(yǎng)majoritycarriern:多數(shù)載流子masks,deviceseriesofn:成套光刻版materialn:原料matrixn1:矩陣meann:平均值measuredleakraten:測得漏率mediann:中間值memoryn:記憶體metaln:金屬nanometer(nm)n:纟內(nèi)米nanosecond(n

4、s)n:納秒nitrideetchn:氮化物刻蝕nitrogen(N2)n:氮?dú)?，一種雙原子氣體n-typeadj:n型ohmspersquaren:歐姆每平方：方塊電阻orientationn:晶向，一組晶列所指的方向overlapn:交迭區(qū)oxidationn:氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)phosphorus(P)n:磷，一種有毒的非金屬元素photomaskn:光刻版，用于光刻的版photomask,negativen:反刻images:去掉圖形區(qū)域的版photomask,positiven:正刻pilotn:先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子plasman:等離子體

5、，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體plasma-enhancedchemicalvapordeposition(PECVD)n:等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝plasma-enhancedTEOSoxidedepositionn:TEOS淀積，淀積TEOS的一種工藝pnjunctionn:pn結(jié)pockedbeadn:麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠polarizationn:偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語polyciden:多晶硅/金屬硅化物，解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)polycrystallinesilicon(poly)n:多晶硅，高濃度摻雜(5E19)的硅，

6、能導(dǎo)電。polymorphismn:多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象probern:探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測設(shè)備。processcontroln:過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。proximityX-rayn:近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。purewatern:純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。quantumdevicen:量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。quartzcarriern:石英舟。randomaccessmemory(RAM)n

7、:隨機(jī)存儲(chǔ)器。randomlogicdevicen:隨機(jī)邏輯器件。rapidthermalprocessing(RTP)n快速熱處理(RTP)。reactiveionetch(RIE)n:反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。reactorn:反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。recipen:菜單。生產(chǎn)過程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范。resistn:光刻膠。scanningelectronmicroscope(SEM)n:電子顯微鏡(SEM)。scheduleddowntimen:(設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。Schottkybarrierdiodesn:肖特基二極管。scribelinen:劃片槽。sacrific

8、ialetchbackn:犧牲腐蝕。semiconductorn:半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。sheetresistance(Rs)(orpersquare)n:薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。sideload:邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。silicononsapphire(SOS)epitaxialwafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片smallscaleintegration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。sourcecode:原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語言里或編碼器的代碼。spectralline:光譜線，光譜鑷制

9、機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。spinwebbing:旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。sputteretch:濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。stackingfault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。steambath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫度熱源的暴光。stepresponsetime瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。stepper:步進(jìn)光刻機(jī)(按BLOCK來曝光)stresstest:應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。surfaceprofile:表

10、面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓(沒有特指的情況下)。symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。tackweld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊(用于連接蓋子)。Taylortray:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。temperaturecycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。testability:易測性，對(duì)于一個(gè)已給電路來說，哪些測試是適用它的。thermaldeposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。thinfilm:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。tit

11、anium(Ti):鈦。toluene(C6H5CH3):甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。1,1,1-trichloroethane(TCA)(CL3CCH3):有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。tungsten(W):鎢。tungstenhexafluoride(WF6):氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。tinning:金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。totalfixedchargedensity(Nth):下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化

12、層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。watt(W):瓦。能量單位。waferflat:從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用于在處理和雕合過程中的排列晶片。waferprocesschamber(WPC):對(duì)晶片進(jìn)行工藝的腔體。well:阱。wetchemicaletch:濕法化學(xué)腐蝕。trench:深腐蝕區(qū)域，用于從另一區(qū)域隔離出一個(gè)區(qū)域或者在硅晶片上形成存儲(chǔ)電容器。via:通孔。使隔著電介質(zhì)的上下兩層金屬實(shí)現(xiàn)電連接。window:在隔離晶片中，允許上下兩層實(shí)現(xiàn)電連接的絕緣的通道。torr:托。壓力的單位。vaporpressur

13、e:當(dāng)固體或液體處于平衡態(tài)時(shí)自己擁有的蒸汽所施加的壓力。蒸汽壓力是與物質(zhì)和溫度有關(guān)的函數(shù)。vacuum:真空。transitionmetals:過渡金屬ACAAnisotropicConductiveAdhesive各向異性導(dǎo)電膠ACAFAnisotropicConductiveAdhesiveFilm各項(xiàng)異性導(dǎo)電膠膜AlAluminium鋁ALIVHAllInnerViaHole完全內(nèi)部通孔AOIAutomaticOptialInspection自動(dòng)光學(xué)檢查ASICApplicationSpecificIntegratedCircuit專用集成電路ATEAutomaticTestEquipment自動(dòng)監(jiān)測設(shè)備AUGold金B(yǎng)CBBenzocyclohutene,BenzoCycloButene苯丙環(huán)丁烯BEOBerylliumOxide氧化鈹BISTBuilt-InSelf-Test(Func