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文檔簡介

1、第5章 存儲器存儲器概述5.1半導(dǎo)體存儲芯片結(jié)構(gòu)及使用5.216位系統(tǒng)的存儲器接口5.35.1 存儲器概述存儲器(Memory)是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件,是計算機系統(tǒng)中必不可少的組成部分。從與CPU的關(guān)系來看,可分為內(nèi)存和外存。內(nèi)存通常由半導(dǎo)體存儲器組成,它直接與CPU的外部總線相連,是計算機主機的組成部分,用來存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序,是本章主要討論的內(nèi)容。外存位于主機外面,它通過接口邏輯電路與主機相連接,是作為計算機的外部設(shè)備來配置的。外存用來存放暫時不用的那些程序和數(shù)據(jù),使用時必須先調(diào)入內(nèi)存才能執(zhí)行。半導(dǎo)體存儲器的分類5.1.1半導(dǎo)體存儲器的主要性能指標(biāo)5.1.2典型的半導(dǎo)體存儲器

2、芯片5.1.35.1.1 半導(dǎo)體存儲器的分類圖5.1隨機存取存儲器1只讀存儲器2閃速存儲器3圖5.1 半導(dǎo)體存儲器的分類1.隨機存取存儲器RAM存儲器中的信息既可以讀又可以寫。RAM中的信息在掉電后立即消失,是一種易失性存儲器。分為:靜態(tài)RAM(SRAM)動態(tài)RAM(DRAM)小結(jié)1)靜態(tài)RAM(SRAM)利用觸發(fā)器的兩個穩(wěn)定狀態(tài)表示“1”和“0”,最簡單的TTL電路組成的SRAM存儲單元由兩個雙發(fā)射極晶體管和兩個電阻構(gòu)成的觸發(fā)器電路組成;而MOS管組成的SRAM存儲單元由6個MOS管構(gòu)成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路組成。只要電源不掉電,寫入SRAM的信息就不會丟失。同時對SRAM進行讀操作時不會破壞原有

3、信息。功耗較大,容量較小,存取速度快,不需要刷新。常用于容量較小的單板機、工業(yè)控制等小系統(tǒng)中。 2)動態(tài)RAM(DRAM)利用MOS管的柵極對其襯底間的分布電容來保存信息的。每個存儲單元所需要的MOS管較少,典型的由單MOS管組成,因此DRAM的集成度較高、功耗低。缺點:分布電容上的電荷會隨著電容器的放電過程而逐漸消失。一般信息在DRAM中保存的時間為2ms左右。為了保存DRAM中的信息,每隔12ms要對其刷新一次。刷新的過程就是“讀出”的過程,由讀出再生電路完成。因此采用DRAM的計算機必須配置刷新電路。存儲器速度較慢,容量較大,且功耗低。廣泛應(yīng)用于內(nèi)存容量較大的微型機系統(tǒng)。如PC機的內(nèi)存。

4、 小結(jié)雙極型RAM主要用在高速微機中。 靜態(tài)RAM不需刷新,功耗大,適于存儲容量較MOS型RAM 小的系統(tǒng)中使用 動態(tài)RAM需刷新,集成度高,功耗低,適于構(gòu)成 大容量的存儲器系統(tǒng)2.只讀存儲器ROM用戶在使用時只能讀出信息,不能寫入新的信息,存儲信息斷電后不會丟失。用來存放固定的應(yīng)用程序、系統(tǒng)軟件、監(jiān)控程序、常數(shù)表格等。分為:掩膜式ROMPROMEPROMEEPROM1)掩膜式ROM由ROM制造廠家在生產(chǎn)時使用掩膜式工藝將信息一次性寫入,其內(nèi)部信息不再能更改,所以也稱固定存儲器。它適用于大批量生產(chǎn)。2)PROM由用戶使用專門的編程器自行一次性寫入的,一旦寫入就無法更改。 3)EPROM由用戶使

5、用專門的編程器自行寫入程序和數(shù)據(jù),但寫入后的信息可用紫外線照射芯片的石英窗口來擦除,芯片中信息全部擦除后可再重新寫入新的內(nèi)容。EPROM可以多次擦除、多次寫入。4)EEPROM用電信號進行擦除和寫入信息,芯片不離開插件板便可擦除部分或全部信息和寫入其中信息。EEPROM為經(jīng)常需要修改程序和參數(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域提供了極大的方便,但存取速度較慢,價格較貴。 3.閃速存儲器又稱為快擦型存儲器,是一種非揮發(fā)性存儲器。具有功耗低、集成度高、體積小、可靠性高等特點。廣泛應(yīng)用于便攜式計算機的PC卡存儲器(固態(tài)硬盤),以及用來存放主板上的BIOS以代替原來的EPROM的BIOS。采用Flash Memory制作的“

6、U盤”已成為大容量、高速度的移動式存儲器。 5.1.2 半導(dǎo)體存儲器的主要性能指標(biāo)存儲容量1存儲速度21.存儲容量指存儲器可以容納的二進制信息量。一般存儲器都采用一維線性編址,存儲器中每個存儲單元都被賦予一個地址。存儲器的存儲容量=2MNM是存儲器的地址數(shù)N是存儲器的每個存儲單元的位數(shù)。某存儲器芯片的地址數(shù)為16位,存儲字長為8位,則該存儲器的存儲容量為:2168b=64KB=512Kb。2.存儲速度可以用兩個時間參數(shù)表示:“存取時間”TA (Access time):從啟動一次存儲操作,到完成該操作所經(jīng)歷的時間;“存儲周期”TM (Memory cycle):為啟動兩次獨立的存儲器操作之間所

7、需的最小時間間隔。通常存儲周期TM略大于存取時間TA。5.1.3 典型的半導(dǎo)體存儲器芯片SRAM芯片HM61161DRAM芯片Intel 21642EPROM芯片Intel 2732A31.靜態(tài)RAM(SRAM)芯片HM6116高速靜態(tài)CMOS隨機存取存儲器。有11條地址線A0A10、8條數(shù)據(jù)線I/O1I/O8,可構(gòu)成2KB的內(nèi)存。有3條控制線:片選信號 ,用來選擇芯片;寫允許信號 控制讀/寫操作;輸出允許信號 ,用來將數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)線。常用的還有2114(1K4b)、6264(8K8b)、62128(16K8b)、62256(32K8b)、62512(64K8b)、HM628128(128K

8、8b)和HM628512(512K8b)等。圖5.2圖5.2 HM6116的引腳排列2.動態(tài)RAM(DRAM)芯片Intel 216464K1 b。片內(nèi)要尋址64K個單元,需要16條地址線,為了減少封裝引腳,地址線分為行地址和列地址兩部分,芯片的地址引腳只有8條,片內(nèi)有地址鎖存器。由行地址選通信號 將先送入的8位行地址送到片內(nèi)行地址鎖存器,然后由列地址選通信號 將后送入的8位列地址送到片內(nèi)列地址鎖存器。16位地址信號選中64K存儲單元中的一個單元。當(dāng) 為高電平時,所選中單元的內(nèi)容經(jīng)過輸出三態(tài)緩沖器從DOUT引腳輸出;當(dāng)為低電平時,DIN引腳上的內(nèi)容經(jīng)過輸入三態(tài)緩沖器,對選中單元進行寫入。行選通

9、信號和列地址選通信號也起到了片選的作用。常用的DRAM還有2116(16K1b)、21256(256K1b)、21010(1M1b)、21014(256K4b)、44100(1M4b)等。 圖5.3圖5.3 Intel2164A的引腳排列3.只讀存儲器(EPROM)芯片Intel 2732A存儲容量為4K8 b,有12條地址線A11 A0,8條數(shù)據(jù)線O7O0。 為芯片允許信號,用來選擇芯片; 為輸出允許信號及編程電源輸入線。當(dāng) 為低電平時,若 也為低電平,對存儲器進行讀操作;若 加上21V編程電壓時,對存儲器重新編程。常用的還有:2716(2K8b)、2764(8K8b)、27128(16K8

10、b)、27256(32K8b)、27512(64K8b)等。 圖5.4圖5.4 Intel2732A的引腳排列5.2 半導(dǎo)體存儲芯片結(jié)構(gòu)及使用半導(dǎo)體存儲器的基本結(jié)構(gòu)5.2.1半導(dǎo)體存儲芯片的使用5.2.25.2.1 半導(dǎo)體存儲器的基本結(jié)構(gòu)當(dāng)CPU啟動一次存儲器讀操作時:CPU將地址通過地址總線送入MAR。使讀相關(guān)的控制信號有效,MAR中的地址碼經(jīng)過地址譯碼器譯碼后選中該地址對應(yīng)的存儲單元,并通過讀/寫驅(qū)動器將選中單元的數(shù)據(jù)送入MDR,最后通過數(shù)據(jù)總線讀入CPU。當(dāng)CPU啟動一次存儲器寫操作時:CPU將地址通過地址總線送入MAR。將數(shù)據(jù)通過數(shù)據(jù)總線送入MDR,然后使寫相關(guān)的控制信號有效,MAR中

11、的地址碼經(jīng)過地址譯碼器譯碼后選中該地址對應(yīng)的存儲單元,并通過讀/寫驅(qū)動器將MDR的數(shù)據(jù)送入選中存儲單元。 圖5.5圖5.5 存儲器的基本結(jié)構(gòu)5.2.2 半導(dǎo)體存儲芯片的使用 半導(dǎo)體存儲芯片的使用1存儲器芯片與CPU連接時應(yīng)考慮的問題21.半導(dǎo)體存儲芯片的使用 CPU對存儲器芯片的使用,是通過軟件和硬件協(xié)調(diào)工作完成的。在軟件方面,CPU執(zhí)行相應(yīng)的指令實現(xiàn)對存儲器的訪問。例如: MOV AL, 1000H;讀存儲器操作 MOV 1000H,AL;寫存儲器操作在硬件方面,可以將存儲器芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線與CPU的地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線直接相連接,并采用譯碼電路產(chǎn)生存儲器芯片的片選信號,

12、實現(xiàn)CPU與半導(dǎo)體存儲芯片的正確連接。 地址線的連接數(shù)據(jù)線的連接控制線的連接圖5.6 由8088CPU組成的8位存儲器系統(tǒng) 1)地址線的連接可以根據(jù)所選用的半導(dǎo)體存儲器芯片地址線的多少,把CPU的地址線兩部分:低位的地址線直接和存儲器芯片的地址線相連,用于芯片內(nèi)的地址譯碼,選中該存儲器芯片的一個存儲單元;剩余的高位地址線經(jīng)另加的地址譯碼器,產(chǎn)生存儲器芯片的片選信號,用來選中CPU所要訪問的存儲器芯片。圖5.6中,對存儲器芯片而言,片內(nèi)地址線為A15A0,直接與CPU的地址線A15A0相連接。CPU未連接的4位高位地址A19A16即剩余地址線,經(jīng)地址譯碼器譯碼后輸出作為存儲器芯片的片選信號。 圖

13、5.62)數(shù)據(jù)線的連接存儲器芯片有8條數(shù)據(jù)線,可直接同8088CPU的8位數(shù)據(jù)線相連。 圖5.63)控制線的連接CPU對存儲器讀/寫操作的控制信號主要有 、 和 ,前兩個可直接同存儲器芯片的控制信號線 和 連接, 可作為地址譯碼器的使能端實現(xiàn)對存儲器的讀/寫操作。 圖5.62.存儲器芯片與CPU連接時應(yīng)考慮的問題存儲器芯片與CPU連接時,原則上可以將存儲器芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、控制線與CPU的地址總線、數(shù)據(jù)總線、控制總線直接相連接,但在實際操作時,必須考慮以下幾個問題: CPU的負載能力各種信號線的連接 CPU的時序與存儲器存取速度的配合存儲器的地址分配及片選信號的產(chǎn)生。目前存儲器芯片的容量仍

14、然是有限的,所以常常需要多片存儲器芯片才能組成一個存儲器系統(tǒng),這就要求正確選擇片選信號。通常,片選信號是由CPU剩余的高位地址線譯碼產(chǎn)生,譯碼電路既可采取集成電路地址譯碼器,也可采用基本門電路實現(xiàn)。5.3 16位系統(tǒng)的存儲器接口 16位微機系統(tǒng)中的內(nèi)存儲器接口5.3.1存儲器容量的擴展5.3.25.3.1 16位微機系統(tǒng)中的內(nèi)存儲器接口5.3.2 存儲器容量的擴展 存儲器的擴展:存儲芯片的容量是有限的,實際系統(tǒng)需要更大存儲容量時,就必須采用多片現(xiàn)有的存儲器芯片構(gòu)成較大容量的存儲器模塊。擴展存儲器的方法有:位擴展1字?jǐn)U展2字位擴展31.位擴展 (1)芯片的地址線全部并聯(lián),并與CPU地址總線中相應(yīng)

15、的地址線相連。(2)芯片的數(shù)據(jù)線分別與CPU數(shù)據(jù)總線的相應(yīng)位連接。(3)芯片的讀/寫控制信號線并聯(lián),接CPU控制總線中的讀/寫控制線;芯片的片選信號并聯(lián),可接CPU控制總線中的存儲器選擇信號,也可接地址線高位或地址譯碼器輸出端。 2.字?jǐn)U展當(dāng)存儲芯片的存儲字長(存儲單元的位數(shù))滿足需要,而存儲字的數(shù)量不滿足需要時,就需要增加存儲字的數(shù)量,即進行字?jǐn)U展。字?jǐn)U展時,各存儲芯片的信號線的連接方法如下:芯片的地址線全部并聯(lián),并與CPU地址總線中相應(yīng)的地址線相連。芯片的數(shù)據(jù)線全部并聯(lián),并與CPU數(shù)據(jù)總線中相應(yīng)的數(shù)據(jù)線連接。芯片的讀/寫控制信號線并聯(lián),接CPU控制總線中的讀/寫控制線;芯片的片選信號分別接

16、地址線高位或地址譯碼器輸出端。實現(xiàn)片選控制的方法有三種:線選法部分譯碼法全譯碼法1)線選法線選法是指利用地址總線的高位地址線直接作為存儲器芯片的片選信號,低位地址線和存儲器地址相連。采用線選法需保證每次尋址時只能有一個片選信號有效。優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單,缺點是地址空間浪費大。由于部分地址線未參與譯碼,會出現(xiàn)大量地址重疊。此外,當(dāng)通過線選的芯片增多時,還可能出現(xiàn)地址空間不連續(xù)的情況。 圖5.11圖5.11 16位系統(tǒng)線選法字?jǐn)U展接線圖表5.2表5.3 圖5.11存儲器芯片的地址范圍 2)部分譯碼法部分譯碼法是將高位地址線中部分地址進行譯碼,產(chǎn)生存儲器的片選信號。對被選中的芯片而言,未參與譯碼的高位地址線可以為0,也可以為1,即每個存儲單元將對應(yīng)多個地址。使用時一般將未用地址設(shè)為0。采用部分譯碼法,可簡化譯碼電路,但由于地址重疊,會造成系統(tǒng)地址空間資源的部分浪費。 圖5.12圖5.12 16位系統(tǒng)部分譯碼法字?jǐn)U展接線圖表5.3表5.4 圖5.12存儲器芯片的地址范圍3)全譯碼法全譯碼法是指將地址總線中除片內(nèi)地址以外的全部剩余高位地址參加譯碼,產(chǎn)生各存儲芯片的片選信號。采用全譯碼法,每個存儲單元的

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