物理電子學(xué)（080901）、微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)

1、物理電子學(xué)（080901）、微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)(080903)研究生培養(yǎng)方案一、培養(yǎng)目標(biāo)培養(yǎng)我國(guó)社會(huì)主義建設(shè)事業(yè)需要，掌握馬克思主義，毛澤東思想和鄧小平理論基本原理，堅(jiān)持四項(xiàng)基本原則，熱愛祖國(guó)，遵紀(jì)守法，品德良好，具備嚴(yán)謹(jǐn)科學(xué)態(tài)度和優(yōu)良學(xué)風(fēng)，適應(yīng)面向二十一世紀(jì)的德、智、體全面發(fā)展的微電子學(xué)與固體電子學(xué)專門人才。1、碩士學(xué)位掌握微電子學(xué)與固體電子學(xué)的基本理論和基本實(shí)驗(yàn)技能, 了解本領(lǐng)域的研究動(dòng)態(tài), 基本上能獨(dú)立開展與本學(xué)科有關(guān)的研究和教學(xué)工作。學(xué)位論文應(yīng)具有一定的創(chuàng)新性和應(yīng)用前景。2、博士學(xué)位博士學(xué)位獲得者應(yīng)系統(tǒng)掌握微電子學(xué)與固體電子學(xué)的基本理論，具有寬廣和堅(jiān)實(shí)的專業(yè)知識(shí)和實(shí)驗(yàn)操作技術(shù)，了

2、解本學(xué)科的發(fā)展歷史，現(xiàn)狀和最新動(dòng)態(tài)，能獨(dú)立承擔(dān)與本學(xué)科有關(guān)的研究課題及教學(xué)工作。學(xué)位論文要求具有重要的學(xué)術(shù)意義，并具有一定的創(chuàng)新性。論文在深度和廣度兩方面均需達(dá)到相應(yīng)的要求。二、招生對(duì)象、碩士研究生： 有資格參加全國(guó)碩士研究生統(tǒng)一考試合格，再經(jīng)面試合格者。、碩博士連讀： 大學(xué)本科畢業(yè)生，參加全國(guó)碩士研究生統(tǒng)一考試，筆試和面試均合格者，入學(xué)后前二年完成基礎(chǔ)課及學(xué)位課程，享受碩士生待遇，在第三學(xué)期末進(jìn)行中期考核，中期考核優(yōu)秀者經(jīng)物理系推薦校研究生院批準(zhǔn)直接轉(zhuǎn)為博士生并享受博士生待遇，中期考核合格者按碩士生規(guī)格培養(yǎng)。3、研究生：已獲碩士學(xué)位的在職人員，應(yīng)屆碩士畢業(yè)生，經(jīng)博士生入學(xué)考試，筆試和面試均合

3、格者。三、學(xué)習(xí)年限普通碩士研究生：三年提前攻博研究生：五年博士研究生：基本學(xué)制三年四、研究方向及課程設(shè)置方案（一）研究方向：（1）微電子、光電子材料與器件（2）納米半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與材料（3）納米電子學(xué)與納米光電子學(xué)（4）半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)物理學(xué) （5）寬禁帶半導(dǎo)體微電子材料與微波功率器件 （6）寬禁帶半導(dǎo)體量子點(diǎn)材料與器件（7）硅基半導(dǎo)體發(fā)光材料和光電子集成（8）半導(dǎo)體功能薄膜材料的制備與物性（9）微納電子、光電子材料物理與器件應(yīng)用（10）半導(dǎo)體低維量子結(jié)構(gòu)物理與器件。（11）超大規(guī)模集成電路設(shè)計(jì)方法學(xué)（12）集成電路SOC_IP設(shè)計(jì)方法與設(shè)計(jì)技術(shù)（13）集成電路可重構(gòu)設(shè)計(jì)方法與設(shè)計(jì)技術(shù)課程設(shè)置：（一

4、）碩士生階段A類：科學(xué)社會(huì)主義理論與實(shí)踐 （2學(xué)分）自然辯證法（2學(xué)分）英語(yǔ)（4學(xué)分） B類：電子信息前沿 （2學(xué)分）（以上必修）現(xiàn)代數(shù)字信號(hào)處理 （3學(xué)分）信號(hào)處理中的數(shù)學(xué)方法 （3學(xué)分）集成電路原理與設(shè)計(jì)基礎(chǔ) （3學(xué)分）現(xiàn)代半導(dǎo)體物理器件 （3學(xué)分）（以上4門選修2門） C類：半導(dǎo)體器件原理 （3學(xué)分）半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu) （3學(xué)分）電子薄膜物理與技術(shù) （4學(xué)分）微電子工藝 （4學(xué)分） VLSI 數(shù)字信號(hào)處理（3學(xué)分）并行計(jì)算 （3學(xué)分） SoC設(shè)計(jì)方法（3學(xué)分）D類： 光電子材料與器件 （3學(xué)分） 半導(dǎo)體材料與器件的測(cè)試 （2學(xué)分） 新能源材料與工程 （3學(xué)分） 微電子學(xué)與固體電子學(xué)前沿講座

5、（2學(xué)分）固體理論 （4學(xué)分） 固體物理實(shí)驗(yàn)方法 （3學(xué)分） 現(xiàn)代數(shù)字信號(hào)處理 （3學(xué)分） 模擬集成電路 （3學(xué)分） DSP與微控制器 （4學(xué)分） 集成電路原理與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（2學(xué)分） 信號(hào)處理中的數(shù)學(xué)方法 （3學(xué)分） 現(xiàn)代數(shù)字信號(hào)處理 （3學(xué)分） 數(shù)字集成電路設(shè)計(jì) （3學(xué)分）（二）博士生階段現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)革命與馬克思主義博士生學(xué)術(shù)交流英語(yǔ)專業(yè)英語(yǔ) （三）博士生選修課程： 半導(dǎo)體低維結(jié)構(gòu) 集成電路原理與設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 現(xiàn)代半導(dǎo)體材料與器件 微電子學(xué)與固體電子學(xué)前沿講座 （博士生可根據(jù)需要選修為碩士生開設(shè)的課程）方案（二）研究方向：（1）納米材料微波物性（2）磁性金屬薄膜微波物性（3）鐵氧體膜微波物性（4）

6、磁性吸波材料（5）吸收材料工程應(yīng)用課程設(shè)置：同凝聚態(tài)物理專業(yè)課程設(shè)置。五、培養(yǎng)方式1、碩士生： 入學(xué)后三個(gè)月內(nèi)進(jìn)行師生雙向互選，確定導(dǎo)師，制定培養(yǎng)計(jì)劃，導(dǎo)師負(fù)責(zé)全部培養(yǎng)工作。2、碩博連讀研究生：入學(xué)后三個(gè)月內(nèi)進(jìn)行師生互選，確定導(dǎo)師，由導(dǎo)師負(fù)責(zé)成立指導(dǎo)小組，制定培養(yǎng)計(jì)劃，由博士導(dǎo)師和指導(dǎo)小組負(fù)責(zé)全部培養(yǎng)工作。3、博士生： 招生錄取時(shí)明確導(dǎo)師，由導(dǎo)師負(fù)責(zé)成立指導(dǎo)小組，制定培養(yǎng)計(jì)劃，由博士生導(dǎo)師和培養(yǎng)小組負(fù)責(zé)全部培養(yǎng)工作。4、公共課（外語(yǔ)和政治）以講授為主，輔以自學(xué)?；A(chǔ)課和專業(yè)課以自學(xué)為主，輔以重點(diǎn)講授和提問(wèn)。要求研究生參加各種學(xué)術(shù)活動(dòng)并閱讀有關(guān)的專業(yè)文獻(xiàn)。5、學(xué)分要求：一般為32學(xué)分，非專業(yè)本科

7、及同等學(xué)力入學(xué)者為36學(xué)分（包括本科課程3-4門約6-8學(xué)分）。其中A類為8學(xué)分；B類：3門為8學(xué)分，C類2-3門共6-8學(xué)分，其余為選修課。在D類課程中，原則上要求理工科碩士生跨二級(jí)或一級(jí)學(xué)科選讀的碩士課程不少于3-4學(xué)分。六、考核方式1、A類、B類、C類課程考核以筆試為主，由有關(guān)任課教師負(fù)責(zé)考核工作。2、D類課程可采取筆試與寫專題綜述報(bào)告相結(jié)合的方法，以了解學(xué)生對(duì)專業(yè)知識(shí)的掌握情況和綜合分析問(wèn)題的能力。實(shí)驗(yàn)性課程必須完成實(shí)驗(yàn)，寫出完整的實(shí)驗(yàn)報(bào)告。3、中期考核：為了保證研究生的質(zhì)量，在入學(xué)后的第三學(xué)期末進(jìn)行中期考核。由導(dǎo)師組成的研究生中期考核小組對(duì)研究生的學(xué)位課程，論文進(jìn)展情況以及掌握國(guó)內(nèi)外

8、最新研究動(dòng)態(tài)等方面進(jìn)行考核，考核小組本著公正、負(fù)責(zé)、實(shí)事求是的態(tài)度對(duì)研究生作出評(píng)價(jià)，評(píng)定成績(jī)，對(duì)考核不合格或完成學(xué)業(yè)確有困難者，勸其退學(xué)或作肄業(yè)處理。七、學(xué)位論文、答辯和學(xué)位授予學(xué)位論文是研究生培養(yǎng)的重要環(huán)節(jié)。研究生在導(dǎo)師指導(dǎo)下，選定研究課題。選題力求和國(guó)家攻關(guān)項(xiàng)目、國(guó)家973計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家863計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)家、省部級(jí)基金項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室研究項(xiàng)目及對(duì)國(guó)民經(jīng)濟(jì)有重大影響的開發(fā)研究項(xiàng)目接軌。確定論文題目后由系組織有關(guān)專家審議研究生的開題報(bào)告。論文題目確定后，應(yīng)擬定學(xué)位工作計(jì)劃，包括各階段的主要學(xué)習(xí)內(nèi)容。學(xué)位論文計(jì)劃由研究生在導(dǎo)師指導(dǎo)下擬定，經(jīng)系學(xué)位評(píng)定委員會(huì)審核批準(zhǔn)后送校研究生院備案。博士生在

9、完成論文過(guò)程中，應(yīng)定期作階段性報(bào)告。學(xué)位論文完成后，碩士學(xué)位論文應(yīng)在答辯前請(qǐng)位（其中至少有1位是外單位專家）、博士學(xué)位論文應(yīng)約請(qǐng)位同行專家評(píng)閱論文（其中至少有位是外單位專家）。寫出評(píng)閱意見。評(píng)閱通過(guò)后，方可組織答辯。碩士論文答辯委員會(huì)由3人組成（其中正高職稱專家至少兩人），博士論文答辯委員會(huì)由5人組成（其中外單位的專家不少于人，至少有3名博導(dǎo)），論文答辯會(huì)由答辯委員會(huì)主席主持。博士論文答辯不合格者，經(jīng)答辯委員會(huì)同意，可在一年內(nèi)補(bǔ)充修改論文資料，重新答辯一次。申請(qǐng)碩士學(xué)位者至少在國(guó)內(nèi)外核心刊物上發(fā)表一篇與學(xué)位論文有關(guān)的學(xué)術(shù)論文（第一作者），申請(qǐng)博士學(xué)位者至少在國(guó)內(nèi)外核心刊物上發(fā)表三篇與學(xué)位論文有關(guān)的學(xué)術(shù)論文（第一作者，其中有一篇在、EI索引源刊物上發(fā)表）或有兩篇以上在、EI索引源刊物上發(fā)表的與學(xué)位論文有關(guān)的學(xué)術(shù)論文（第一作者）。微電子培養(yǎng)方案（二）申請(qǐng)碩士學(xué)位者在國(guó)內(nèi)外核心刊物上至少發(fā)表一篇與學(xué)位論文有關(guān)的學(xué)術(shù)論文（第一作者），或在全國(guó)性學(xué)術(shù)會(huì)議論文集上至少發(fā)表一篇與學(xué)位論文有關(guān)的學(xué)術(shù)論文（第一作者）。并且申請(qǐng)人至少有一項(xiàng)申請(qǐng)專利的證明或經(jīng)過(guò)鑒定、驗(yàn)收的科研成果。申請(qǐng)博士學(xué)位者至少在國(guó)內(nèi)外核心刊物上發(fā)表一篇與