《微電子測(cè)試分析》課程教學(xué)大綱

1、PAGE 1微電子測(cè)試分析課程教學(xué)大綱課程編號(hào)：英文名稱(chēng)：Experiments of Microelectronics Measuring & Analysts課程類(lèi)別：必修學(xué)分?jǐn)?shù)：2 學(xué)時(shí)數(shù)(理論、實(shí)驗(yàn)分別表示)：32(4/28) 周學(xué)時(shí)：16課內(nèi)學(xué)時(shí)/課外學(xué)時(shí)：1/1授課學(xué)期：第六學(xué)期適用專(zhuān)業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)前修課程：微電子物理基礎(chǔ)、微電子器件基礎(chǔ)、集成電路制造技術(shù)考核方式：實(shí)驗(yàn)報(bào)告/實(shí)驗(yàn)?zāi)芰C合考評(píng)一、教學(xué)目的要求。課程通過(guò)結(jié)合本專(zhuān)業(yè)培養(yǎng)方向、面向本(專(zhuān))科生而設(shè)置，適用于本系寬口徑，大平臺(tái)教學(xué)模式，尤其適合于微電子專(zhuān)業(yè)學(xué)生。實(shí)驗(yàn)涵蓋半導(dǎo)體物理、固體物理、晶體管原理、半導(dǎo)體集成電路、集

2、成電路制造技術(shù)、半導(dǎo)體光電子學(xué)等課程。實(shí)驗(yàn)類(lèi)型和種類(lèi)注重多樣性、綜合性和系統(tǒng)性。實(shí)驗(yàn)教學(xué)要求學(xué)生熟悉和掌握所學(xué)課程相關(guān)的基本實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和原理，培養(yǎng)學(xué)生嚴(yán)謹(jǐn)、踏實(shí)、實(shí)事求是的科學(xué)作風(fēng)和重視科學(xué)實(shí)驗(yàn)的思想意識(shí)，鍛煉學(xué)生實(shí)際動(dòng)手操作能力和科學(xué)的分析、思考、歸納、總結(jié)的工作方法。強(qiáng)調(diào)在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)、檢驗(yàn)真理，創(chuàng)新思維和綜合素質(zhì)的提高，加強(qiáng)其社會(huì)競(jìng)爭(zhēng)性。努力為國(guó)家、社會(huì)打造更加優(yōu)秀的專(zhuān)業(yè)人材！二、課程主要內(nèi)容及基本要求。（標(biāo)“*”者為重點(diǎn)內(nèi)容；標(biāo)“”者為難點(diǎn)）序號(hào)實(shí)驗(yàn)項(xiàng)目名稱(chēng)內(nèi)容提要實(shí)驗(yàn)難度實(shí)驗(yàn)類(lèi)型學(xué)時(shí)分配每組人數(shù)要求01半導(dǎo)體晶面的光學(xué)定向?qū)渝e(cuò)、位錯(cuò)、缺陷、晶向正常觀察/驗(yàn)證42-3必做02四探針?lè)ò雽?dǎo)體

3、電阻率和薄層電阻測(cè)量 電阻率、薄層電阻偏難測(cè)試/驗(yàn)證42-3必做03半導(dǎo)體霍爾系數(shù)和電阻率的測(cè)量霍爾系數(shù)、摻雜濃度、導(dǎo)電類(lèi)型偏難測(cè)試/驗(yàn)證42-3必做04PN結(jié)正向壓降的溫度特性測(cè)試PN結(jié)溫度特性正常測(cè)試/驗(yàn)證42-3必做05硅光電池特性測(cè)試半導(dǎo)體發(fā)光器件、光電池、光功率正常測(cè)試/驗(yàn)證42-3必做06半導(dǎo)體PN結(jié)結(jié)深測(cè)量滾球、染色、結(jié)深正常測(cè)試/驗(yàn)證42-3選做07圖示儀雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)量輸入/出電阻、擊穿電壓、飽和壓降等偏難觀察/測(cè)試42-3必做08MOSEFT交直流參數(shù)測(cè)量跨導(dǎo)、閾電壓、擊穿電壓、飽和壓降等偏難觀察/測(cè)試42-3選做09數(shù)字MOSIC功能和動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)量靜態(tài)、動(dòng)態(tài)參數(shù)偏

4、難測(cè)試/綜合42-3必做10MOS結(jié)構(gòu)高頻C-V特性測(cè)量MOS、C-V特性較難綜合/創(chuàng)新42-3選做11高頻光電導(dǎo)衰退法硅單晶少子壽命測(cè)量半導(dǎo)體少子壽命、復(fù)合時(shí)間較難測(cè)試/驗(yàn)證42-3擬新增12擴(kuò)展電阻法縱向雜質(zhì)分布和結(jié)深測(cè)量縱向摻雜濃度分布、過(guò)渡區(qū)分布較難測(cè)試/驗(yàn)證42-3擬新增13橢偏法薄膜厚度、折射率測(cè)量SiO2等介質(zhì)膜厚、折射率偏難測(cè)試/驗(yàn)證42-3擬新增14芯片解剖知識(shí)邏輯、工藝、版圖、特點(diǎn)較難測(cè)試/綜合162-3擬新增三、課程主要環(huán)節(jié)及時(shí)數(shù)分配見(jiàn)下表：一并見(jiàn)上表四、教學(xué)的深度與廣度本實(shí)驗(yàn)的安排主要考慮到微電子技術(shù)中最主要的一些理論驗(yàn)證和制造過(guò)程中最基本的測(cè)試原理和方法，與專(zhuān)業(yè)課程教

5、學(xué)緊密配合，鍛煉學(xué)生實(shí)踐動(dòng)手、發(fā)現(xiàn)問(wèn)題、解決問(wèn)題的能力，面向本科生為主，使學(xué)生對(duì)本專(zhuān)業(yè)具有較為全面的了解和掌握，培養(yǎng)其科學(xué)實(shí)驗(yàn)的態(tài)度和方法論。 對(duì)知識(shí)、能力結(jié)構(gòu)、綜合素質(zhì)的要求電子學(xué)科三年級(jí)以上本（專(zhuān)）科學(xué)生，具備一定先修課程基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)操作能力，對(duì)基本的實(shí)驗(yàn)方法和過(guò)程有所認(rèn)識(shí)和理解，能完成實(shí)驗(yàn)必備的一些數(shù)據(jù)歸納、處理、計(jì)算能力和文檔工作。具有重視實(shí)驗(yàn)，尊重科學(xué)的思想意識(shí)六、與相關(guān)課程的銜接與配合 安排在專(zhuān)業(yè)基礎(chǔ)和專(zhuān)業(yè)課講授之中，實(shí)踐環(huán)節(jié)和課程設(shè)計(jì)之前較好。這樣配合專(zhuān)業(yè)課程教學(xué)，驗(yàn)證主要理論概念，教學(xué)實(shí)驗(yàn)相輔相成，既加深理論知識(shí)掌握和理解，又為實(shí)驗(yàn)開(kāi)展提供理論依據(jù)，并為將開(kāi)始的課程設(shè)計(jì)、科研與工

6、程實(shí)踐環(huán)節(jié)，畢業(yè)設(shè)計(jì)做好準(zhǔn)備。七、主要教學(xué)方法 根據(jù)課程時(shí)間、學(xué)生人數(shù)及實(shí)驗(yàn)要求，排出實(shí)驗(yàn)安排一覽表。學(xué)生按一覽表安排預(yù)習(xí)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書(shū)，上課時(shí)教師講解實(shí)驗(yàn)原理、演示實(shí)驗(yàn)方法。學(xué)生分組實(shí)驗(yàn)，有問(wèn)題實(shí)驗(yàn)老師進(jìn)行指導(dǎo)，整個(gè)課程按每項(xiàng)實(shí)驗(yàn)滾動(dòng)安排進(jìn)行。學(xué)生每組2-3名，4課時(shí)完成一項(xiàng)實(shí)驗(yàn)。動(dòng)手實(shí)驗(yàn)和記錄可分工進(jìn)行然后交換，強(qiáng)調(diào)每名學(xué)生都要?jiǎng)邮植僮?，歸納分析計(jì)算實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，給出實(shí)驗(yàn)結(jié)果，并按實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求和格式完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告。原則上下次實(shí)驗(yàn)交上次實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)報(bào)告。必要時(shí)就實(shí)驗(yàn)存在問(wèn)題專(zhuān)門(mén)講解指導(dǎo)。實(shí)驗(yàn)倡導(dǎo)實(shí)事求是、突破創(chuàng)新的實(shí)驗(yàn)方法和生動(dòng)有趣、膽大心細(xì)的實(shí)驗(yàn)氛圍。八、CAI課件、多媒體等現(xiàn)代教育技術(shù)手段的應(yīng)用。必

7、要時(shí)課件、多媒體相關(guān)內(nèi)容演示，輔助教學(xué)或提供學(xué)生課外自修。九、培養(yǎng)學(xué)生創(chuàng)新意識(shí)和能力的主要措施。 具有良好的實(shí)驗(yàn)平臺(tái)及寬松的實(shí)驗(yàn)環(huán)境，加強(qiáng)基本理論和正確概念的理解，提倡自主設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)方法和操作手段，鼓勵(lì)學(xué)生積極討論和質(zhì)疑，對(duì)學(xué)生的創(chuàng)新意識(shí)和創(chuàng)新苗頭加以肯定和扶持，培養(yǎng)學(xué)生具有重視科學(xué)，重視實(shí)驗(yàn)，勇于發(fā)現(xiàn)真理的良好品質(zhì)和實(shí)際動(dòng)手能力。十、檢查教學(xué)效果和評(píng)價(jià)學(xué)生學(xué)習(xí)質(zhì)量的方式與方法。 課堂檢查：每位同學(xué)實(shí)驗(yàn)投入狀況 作業(yè)檢查：實(shí)驗(yàn)報(bào)告完成情況十一、教科書(shū)及主要教學(xué)參考書(shū)。九院校編寫(xiě)組，微電子學(xué)實(shí)驗(yàn)教程，東南大學(xué)出版社，1991B. G. Streetman，Solid State Electronic Device，DriweHall， 2000朱正涌，半導(dǎo)體集成電路，清華大學(xué)出版社，2001陳國(guó)平主編，薄膜物理與技術(shù)，東南大學(xué)出版社，1993徐國(guó)昌、凌一鳴，光電子物理基礎(chǔ)，東南大學(xué)出版社，2000 李乃平，微電子器件工藝，華中理工大學(xué)出版社，1993Richard C. Jaeger，Introduction to Microelectronic Fabrication， 2002美Michael Quirk，半導(dǎo)體制造技術(shù) (中譯本)，電子工業(yè)出版