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文檔簡介

1、 一塊半導(dǎo)體壽命=15s，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30s后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（ ）。A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2C 如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（ ）空穴的俘獲率，它是（ ）。 A.大于 ； B.等于； C.小于； D.有效的復(fù)合中心； E. 有效陷阱B D 小注入下的直接復(fù)合，N型半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命與（ ）；間接復(fù)合為主時，強P型半導(dǎo)體的少子壽命與（ ）C. n成正比； D.n0成正比； E. p成反比； F. n0成反比。G. 復(fù)合中心濃度成正比； H. 復(fù)合中心濃度成反比；FH

2、 最有效的陷阱能級在（ ），最有效的復(fù)合中心能級在（ ）A、Ei； B、Et； C、EF， D、 Ec； E、EvCA某n型半導(dǎo)體硅，其摻雜濃度Nd=1015/cm3, 少子壽命 ,若由于外界作用，使其少數(shù)載流子全部被清除，試求此時電子-空穴對的產(chǎn)生率是多大？設(shè)ni=1.51010/cm3.摻施主濃度ND=1015cm-3的n型硅，室溫下光穩(wěn)定照射產(chǎn)生非平衡載流子濃度為 ，光照突然撤銷后，經(jīng)過20s，假如非平衡空穴準 的位置離平衡態(tài)時的費米能級EF為0.3eV，求n型硅材料的壽命。 摻雜濃度為ND=1016cm-3 的Si，光照產(chǎn)生的非平衡載流子線性分布，在1m 內(nèi)的濃度差為1015cm-3， n=1100 cm2/Vs, p=400 cm2/Vs, 該半導(dǎo)體處于10V/cm的電場下, 試求：（1）漂移電流密度；（2）擴散電流密度；E光照 證明非簡并的非均勻半導(dǎo)體中的電子電流形式為設(shè)一均勻的n型Si樣品，在左半部用一穩(wěn)定的光照射，均勻產(chǎn)生電子-空穴對，產(chǎn)生率為g0，若樣品足夠長，試求穩(wěn)態(tài)時樣品兩邊的空穴濃度分布?，F(xiàn)有一塊均勻的n型硅材料，在t=0以前進行長時間均勻光照，到t=0時光照突然去掉，假如光照后樣品產(chǎn)生均勻的電子-

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