文本案例電路圖910tpc inet-k90rev

1、SScheme Schematics MLC, 1.8V NEXT,PREV,Vol+, Vol-,UP,DOWN, ENTER,UBOOT DCIN， 5V，2A；BAT，3.7V，3600mAHSDIO ER TREEBESIDE-GPS,FM, hone, MIC, G-er SupplNotes：Unless Otherwise 更改了電源電2011-07-更改了電源濾波電容2011-07-增加了陀螺儀和SScheme Schematics MLC, 1.8V NEXT,PREV,Vol+, Vol-,UP,DOWN, ENTER,UBOOT DCIN， 5V，2A；BAT，3.7V，

2、3600mAHSDIO ER TREEBESIDE-GPS,FM, hone, MIC, G-er SupplNotes：Unless Otherwise 更改了電源電2011-07-更改了電源濾波電容2011-07-增加了陀螺儀和馬達(dá)的2011-07-電源名稱輸出電壓最大供電能力預(yù)計(jì)誰(shuí)在用AXP209AXP209AXP209AXP209AXP209AXP209SY8008BSY8008BSY8008BUSB0G-USB1USB2erconnecter256MBX2DDR3MicroUSB0G-USB1USB2erconnecter256MBX2DDR3MicroPIO PIO E GS- E

3、 E 0E E 0123451GS- PIO PIO E GS- E E 0E E 0123451GS- ER LAYOUT：ACIN、BATT、IPSOUT輸入或輸出線，從PMU管腳處就要保證盡量粗for（5V-RTC-CSI0-CSI1-LCD LCD DRAM-USB SWL-ER ER LAYOUT：ACIN、BATT、IPSOUT輸入或輸出線，從PMU管腳處就要保證盡量粗for（5V-RTC-CSI0-CSI1-LCD LCD DRAM-USB SWL-ER Equilong Z0=100Differential Z0=100Equilong Z0=100Differential Z

4、0=100S靠近LDO3IN放靠近VIN1放置 ER靠近LDO3IN放靠近VIN1放置 ERER-ER-BESIDETWI-BESIDE BESIDETWI-BESIDE Z0= 100 ohm-前置低分辨輸出1.5V: R90=27K1%,R89=30K1%。輸出1.8V: R90=20K1%,R89=16K1%Z0= 100 ohm-前置低分辨輸出1.5V: R90=27K1%,R89=30K1%。輸出1.8V: R90=20K1%,R89=16K1%-hone&此按鍵對(duì)應(yīng)模具上的隱蔽小用于固件升級(jí)，必須保留按鍵可刪除，但名稱不能修改hone&此按鍵對(duì)應(yīng)模具上的隱蔽小用于固件升級(jí)，必須保留

5、按鍵可刪除，但名稱不能修改，電阻不可刪除MHP-KEY-MIC-IR-ForIlim(A)=6800/RsetZ0= 90 ohmForIlim(A)=6800/RsetZ0= 90 ohmUSB-背光背光不用FT5402DQT，此部分不貼片 不用COF，此部分不貼片 DDR38bitxDDR38bitxNAND注：只貼一片TOSP NAND時(shí)，請(qǐng)貼在TSOP-48 Both eMMC NAND and TSOP NAND layout NAND注：只貼一片TOSP NAND時(shí)，請(qǐng)貼在TSOP-48 Both eMMC NAND and TSOP NAND layout 接1片單片選Nand 時(shí)，NSR2、NSR1斷接1片雙片選Nand 時(shí)，連接NSR2，斷開接1選Nand 時(shí)，連接NSR1，斷開接2片單片選或接2片雙片選Nand時(shí)，連接NSR1，斷開el、Toshiba、Samsung 2xnm TSOP Nand時(shí)， NSR4連接，NSR5