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文檔簡介

1、模擬電子技術(shù)胡宴如(第3版)自測題第1章半導(dǎo)體二極管及其基本應(yīng)用1填空題.半導(dǎo)體中有 空穴 和 自由電子 兩種載流子參與導(dǎo)電。.本征半導(dǎo)體中,若摻入微量的五價元素,則形成 N型半導(dǎo)體、具多數(shù) 載流子是 電子 ;若摻入微量的三價元素,則形成 P型半導(dǎo)體,其多數(shù) 載流子是空穴 。. PN結(jié)在 正偏 時導(dǎo)通 反偏 時截出,這種特性稱為 單向?qū)щ?性。.當(dāng)溫度升高時,二極管的反向飽和電流將 增大 ,正向壓降將 減小。.整流電路是利用二極管的單向?qū)щ?性,將交流電變?yōu)閱蜗蛎}動的直流電。穩(wěn)壓二極管是利用二極管的反向擊穿 特性實現(xiàn)穩(wěn)壓的。.發(fā)光二極管是一種通以正向電流就會 發(fā)光的二極管。.光電二極管能將 光

2、 信號轉(zhuǎn)變?yōu)?電 信號、它工作時需加 反向 偏置 電壓。.測得某二極管的正向電流為1 mA,正向壓降為0.65 V,該二極管的直流 電阻等于650 Q,交流電阻等于 26 Qo. 2單選題 TOC o 1-5 h z .雜質(zhì)半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子的濃度主要取決于(C )。A .溫度B.摻雜工藝C.摻雜濃度D.晶格缺陷. PN結(jié)形成后,空間電荷區(qū)由(D )構(gòu)成。A.價電子B,自由電子C.空穴D.雜質(zhì)離子.硅二極管的反向電流很小,其大小隨反向電壓的增大而(B )。A.減小B.基本不變C.增大.流過二極管的正向電流增大,其直流電阻將 (C )。A.增大B.基本不變C.減小.變?nèi)荻O管在電路中主要用作(

3、D )。、A .整流B .穩(wěn)壓C .發(fā)光D.可變電容器1. 3是非題.在N型半導(dǎo)體中如果摻人足夠量的三價元素, 可將其改型為P型半導(dǎo)體。 (v ).因為N型半導(dǎo)體的多子是自由電子,所以它帶負(fù)電。(X ).二極管在工作電流大于最大整流電流 If時會損壞。(X ).只要穩(wěn)壓二極管兩端加反向電壓就能起穩(wěn)壓作用。(X )4分析計算題.電路如圖T1 . 1所示,設(shè)二極管的導(dǎo)通電壓 UD(on)=0.7V,試寫出各電路 的輸出電壓Uo值。U)圖 TL2TL3U)圖 TL2TL3r+ !+(),叫 06V 人-iovQ用TL I解:(a)二極管正向?qū)?,所以輸出電壓U0=(60.7)V=5.3 V。(b)令

4、二極管斷開,可得Up=6 V、Un=10 V, UpUp UN2,故Vi優(yōu)先導(dǎo)通后,V2截止,所以輸出電壓 U0=0.7 Vo.電路如圖T1 . 2所示,二極管具有理想特性,已知 ui = (sincot)V,試對 應(yīng)回出Ui、U0、iD的波形。解:輸入電壓Ui為正半周時,二極管正偏導(dǎo)通,所以二極管兩端壓降為零, 即U0=0,而流過二極管的電流iD = Ui/R,為半波正弦波,其最大值IDm=10 V /I kQ=10 mA;當(dāng)Ui為負(fù)半周時,二極管反偏截止,iD=0, U0=Ui為半波正弦 波。因此可畫出電壓U0電流iD的波形如圖(b)所示。TL2及其工作波形TL2及其工作波形.穩(wěn)壓二極管電

5、路如圖 T1 . 3所示,已知Uz = 5 V, Iz = 5 mA,電壓表中 流過的電流忽略不計。試求當(dāng)開關(guān)s斷開和閉合時,電壓表。和電流表。1、卷讀 數(shù)分別為多大?解:當(dāng)開關(guān)S斷開,R2支路不通,Ia2 = 0,此時Ri與穩(wěn)壓二極管V相串聯(lián), 因此由圖可得, Ui U2(18 5)VI ai6.5mA I zRi 2K TOC o 1-5 h z 可見穩(wěn)定二極管處于穩(wěn)壓狀態(tài),所以電壓表的讀數(shù)為5 V。當(dāng)開關(guān)S閉合,令穩(wěn)壓二極管開路,可求得 R2兩端壓降為R20.5UR2 2 U118 3.6 UzR1 R22 0.5故穩(wěn)壓二極管不能被反向擊穿而處于反向截止?fàn)顟B(tài),因此,Ri、R2構(gòu)成申聯(lián)電路

6、,電流表Ai、A2的讀數(shù)相同,即, Uii8VI ai IA27.2mARi R2 (2 0.5)K而電壓表的讀數(shù),即R2兩端壓降為3.6 V。第2章半導(dǎo)體三極管及其基本應(yīng)用i填空題.晶體管從結(jié)構(gòu)上可以分成PNP 和 NPN兩種類型,它工作時有2種截流子參與導(dǎo)電。.晶體管具有電流放大作用的外部條件是發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)偏_0.晶體管的輸出特性曲線通常分為三個區(qū)域,分別是 放大、飽和、 截止 。.當(dāng)溫度升高時,晶體管的參數(shù)B增大 、Icbo 增大 :導(dǎo)通電壓Ube減小 。.某晶體管工作在放大區(qū),如果基極電流從10pA變化到20小時,集電極電流從1mA變?yōu)?.99 mA,則交流電流放大系數(shù)B約為99

7、。6,某晶體管的極限參數(shù)|CM=20mA、PCM=i00mW、U(br)ceo =30V,因止匕, 當(dāng)工作電壓Uce=10V時,工作電流Ic不得超過 10 mA ;當(dāng)工作電壓Uce=1V 時,I c不得超過 20 mA :當(dāng)工作電流Ic=2 mA時,Uce不得超過30 V。.場效應(yīng)管從結(jié)構(gòu)上可分為兩大類: 結(jié)型、 MOS :根據(jù)導(dǎo)電溝 道的不同又可分為 N溝道 、 P溝道 兩類:對于 MOSFET ,根據(jù)柵源 電壓為零時是否存在導(dǎo)電溝道,又可分為兩種:耗盡型 、 增強型 。.UGS(0ff)表示 夾斷 電壓.|DSS表示 飽和漏極 電流:官們是 舜盡 型 場效應(yīng)管的參數(shù)。2單選題.某NPN型管

8、電路中,測得Ube=0 V, Ubc= -5 V,則可知管子工作于 (C )狀態(tài)。A.放大 B.飽和 C.截止 D.不能確定.根據(jù)國產(chǎn)半導(dǎo)體器件型號的命名方法可知,3口66為(B )0A. NPN型低頻小功率硅晶體管B. NPN型高頻小功率硅晶體管C. PNP型低頻小功率錯晶體管D. NPN型低頻大功率硅晶體管.輸入(C )時,可利用H參數(shù)小信號電路模型對放大電路進行交流分析。A.正弦小信號B .低頻大信號C .低頻小信號D.高頻小信. ( D )具有不同的低頻小信號電路模型。A. NPN型管和PNP型管 B.增強型場效應(yīng)管和耗盡型場效應(yīng)管C . N溝道場效應(yīng)管和P溝道場效應(yīng)管 D .晶體管和

9、場效應(yīng)管.當(dāng)Ugs=0時,(B )管不可能工作在恒流區(qū)。A. JFET B.增強型MOS管 C,耗盡型MOS管 D. NMOS管.下列場效應(yīng)管中,無原始導(dǎo)電溝道的為 (B )。A. N溝道JFETB,增強AI PMOS管C.耗盡型NMOS管 D.耗盡型PMOS管3是非題 TOC o 1-5 h z .可以采用小信號電路模型進行靜態(tài)工作點的分析。(X ). MOSFET具有輸入阻抗非常高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好等優(yōu)點。(V ). EMOS管存在導(dǎo)電溝道時,柵源之間的電壓必定大于零。(X ).結(jié)型場效應(yīng)管外加的柵源電壓應(yīng)使柵源間的PN結(jié)反偏。(V ).場效應(yīng)管用于放大電路時,應(yīng)工作于飽和區(qū)。(V )4

10、分析計算題3V。氣0 V3)5V2.6 V-5 V3 V2.3 V-2 3V。氣0 V3)5V2.6 V-5 V3 V2.3 V-2 V也)圖 T2, 1解:(h)Ube=UbUe = 0.70=0.7V,發(fā)射結(jié)正偏; Ubc=UbUc=0.73 = 2.3 V,集電結(jié)反偏 因此晶體管工作在放大狀態(tài)。Ube=Ub Ue = 23 = -1V,發(fā)射結(jié)反偏; Ubc=Ub Uc=2 5= 3 V,集電結(jié)反偏 因此晶體管工作在截止?fàn)顟B(tài)。Ube=UbUe = 32.3= 0.7V,發(fā)射結(jié)正偏;Ubc=UbUc=32.6= 0.4V,集電結(jié)正偏 因此晶體管工作在飽和狀態(tài)。(d)該管為PNP型晶體管Ueb

11、=Ue Ub = (2)一(2.7)= 0.7V,發(fā)射結(jié)正偏;Ucb=UcUb=(5)一(2.7)= 2.3V,集電結(jié)反偏因此晶體管工作在放大狀態(tài)。=100,試判斷各晶體管工.圖T2. 2所示電路中,晶體管均為硅管,B 作狀態(tài),并求各管的Ib、Ic、Uce=100,試判斷各晶體管工510 kiJ4-5 V9+5 V+510 kiJ4-5 V9+5 V+Um圖TT 2解:(a)圖TT 2解:(a)方法一:,(6 0.7)VI B - 0.053mA100K設(shè)晶體管工作在放大狀態(tài),則有Uce= 125.3X 3= 3.9 VIbs,所以晶體管處于飽和狀態(tài),因而有Ib = 0.053 mA、Ic=

12、I cs= 3.9 mA、Uce= UcE(Sat)= 0.3 V心 (6 0.7)V(b) I B0.0084mA 8.4 A510K設(shè)晶體管工作在放大狀態(tài),則有Ic= 100X0.008 4 mA= 0.84 mAUce = 5 V0.84X 3= 2.48 V UcE(Sat)說明晶體管工作在放大狀態(tài),故上述假設(shè)成立,計算結(jié)果正確。(c)基極偏壓為負(fù)電壓,發(fā)射結(jié)和集電結(jié)均反偏,所以晶體管截止,則 Ib= 0, Ic=0, Uce = 5 V.放大電路如圖T2. 3所示,試圖中所有電容對交流信號的容抗近似為零, 試畫出各電路的直流通路、交流通路和小信號等效電路。圖TX3解:(a)將Ci、C

13、2斷開,即得直流通路如下圖(a)所示;將Ci、C2短路、直流 電源對地短接,即得交流通路如下圖(b)所示;將晶體管用小信號電路模型代人, 即得放大電路小信號等效電路如下圖(c)所示。lb)(c心)的色流通路.與交癱等致電路(b)按上述相同方法可得放大電路的直流通路、交流通路、小信號等效電路如下圖(a)、(b)、所示。時3)的直流通路與交流等效電路.場效應(yīng)管白符號如圖T2. 4所示,試指出各場效應(yīng)管的類型,并定性畫出各管的轉(zhuǎn)移特性曲線。-PBD If - S-PBD If - S1斤圖 T2.4解:(a)為P溝道耗盡型MOS管,它的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖(a)所示,其特點是 UGS=0 時,iD =

14、 I DSS(b)為N溝道增強型MOS管,它的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖(b)所示,其特點是 UGS=0 時,iD = 0(c)為N溝道結(jié)型場效應(yīng)管,它的轉(zhuǎn)移特性曲線如下圖(c)所示,其特點是 UGS=0 時,iD = lDSS,且 UGsU02D . U0l0,則接入的反饋一定是正反饋,若 A0,則接入的 反饋一定是負(fù)反饋。(X ).共集電極放大電路,由于且 Au留 TA. 1解:(a)在圖T4. 1(a)中標(biāo)出反饋信號 uf,如下圖(a)所示,可見uf = u0,反 饋信號取樣于輸出電壓 uo,故輸出端為電壓反饋。由圖(a)可見,ui、uid、uf三 者串聯(lián),形成電壓比較關(guān)系uid =uiuf,故

15、輸入端為串聯(lián)反饋。令u+妁 ,則 得輸出電購juo ,為 ,如圖(a)所示,反饋電壓uf使凈/&入ui減小,故為 負(fù)反饋。所以圖T4. 1 (a)所示電路為電壓串聯(lián)負(fù)反饋放大電路。(b)由圖T4. 1 (b)可見,負(fù)載Rl、反饋網(wǎng)絡(luò)、基本放大電路(即集成運放) 三者為串聯(lián),故輸出端為電流反饋。輸入端輸入信號與反饋信號都由集成運放 的反相端加入,故為并聯(lián)反饋,因此可在圖中標(biāo)出反饋電流if如下圖(b)所示。令輸入電壓ui為 ,如下圖(b)所示,此時集成運放輸出端對地電位為。 ,因 此電壓ur3關(guān)口 , if由輸入端流向輸出端,如下圖(b)所示,可見札 訕=一if, 反饋使凈輸入而減小,故為負(fù)反饋。

16、因此,圖T4. 1 (b)所示電路為電流并聯(lián)負(fù) 反饋放大電路。(c)由圖T4. 1 (c)可見,放大電路的輸出端 Rl、基本放大器、反饋網(wǎng)絡(luò) 三者并聯(lián),故為電壓反饋。輸入端信號源、反饋網(wǎng)絡(luò)、基本放大器三者并聯(lián), 故為并聯(lián)反饋。令輸入信號ui龍),根據(jù)共發(fā)射極放大電路特性,可知uo為。, 反饋信號if由輸入端流向輸出端,由下圖(c)可得iid = iiif,反饋使凈輸入 位減 小,故為負(fù)反饋。因此,圖T4. 1 (c)所示電路為電壓并聯(lián)負(fù)反饋放大電路。同(bl(0電路反謝分析.深度負(fù)反饋放大電路如圖 T4. 2所示,在圖中標(biāo)出反饋信號xf,指出反 饋類型,求出閉環(huán)電壓放大倍數(shù) Auf = uo/

17、u io解:(a)為電壓并聯(lián)負(fù)反饋,反饋信號為if ,標(biāo)于下圖(a)中。在深度電壓并 聯(lián)負(fù)反饋電路中有 ii=if,而 ii= (UiUN)/Ri= Ui/Rl, if= (UNU0)/Rl = U0/R2, 因此可得 TOC o 1-5 h z . U0ifR2R2Au T2U ii i R1R1(b)為電流串聯(lián)負(fù)反饋,反饋信號為uf,標(biāo)于下圖(b)中。在深度電流用聯(lián)負(fù)反饋電路中有:UiUfo又由圖下(b)可得:Uo=ioRL, Uf = ioR2。所以可得 U0U0RlAuUiUfR2(c)為電壓串聯(lián)負(fù)反饋,反饋信號為Uf,標(biāo)于下圖(c)中。在深度電壓用聯(lián)負(fù)反饋放大電路中有:Ui-Ufo現(xiàn)

18、由下圖(c)可知Uf=U0,所以可得AUU0AUU0UiU0Uf反情信號第5章集成運算放大器的應(yīng)用電路1填空題.運算電路中的集成運算放大器應(yīng)工作在線性 區(qū),為此運算電路中必須引入 深度負(fù)反饋。.反相比例運算電路的主要特點是輸入電阻 較小 :運算放大器共模輸 入信號為 零:同相比例運算電路的主要特點是輸入電阻 很大,運算放 大器共模輸入信號較大 。.簡單RC低通電路在截止頻率處輸出電壓是輸入電壓的0.707倍,即衰減 3 dB,相移為 -45.晶體管有三個頻率參數(shù) fB稱為 共射截止頻率,fa稱為 共基截止頻率 ,fT稱為特征頻率。5.集成運算放大器開環(huán)差模電壓增益值比直流增益下降 3 dB所對

19、應(yīng)的信號 頻率稱為開環(huán)帶寬,開環(huán)差模電壓增益值下降到 0dB所對應(yīng)的信號頻率稱 為單位增益帶寬 。6.集成運算放大需交流放大電路采用單電源供電時,運算放大器兩個輸入 端的靜態(tài)電位不能為零,運算放大器輸出端必須接有輸出電容 。5. 2單選題.圖T5. 1所示比例運算電路中,設(shè) A為理想運算放大器,已知運算放大 器最大輸出電壓 Uom=12 V,當(dāng)ui=1 V時,則輸出電壓 四為(C )V0A. 24 B. 21 C. 12 D、-1220 kQ圖 T5. 12,若實現(xiàn)函數(shù)u0=uii+4ui2 4uI3,應(yīng)選用(B )運算電路。A .比例B .加減C .積分D .微分.欲將方波電壓轉(zhuǎn)換成三角波電

20、壓,應(yīng)選用 (B )運算電路。A.微分B.積分C.乘法D.除法.集成運算放大器開環(huán)電壓增益為 106,開環(huán)帶寬BW=5 Hz ,若用它構(gòu) 成 閉環(huán)增益為50倍的同相放大電路,則其閉環(huán)帶寬 BWf*( B )Hz0A. 5X 105B. 105C. 250 D. 5. 3是非題.凡是集成運算放大器構(gòu)成的電路,都可用“虛短”和“虛斷”概念加以 分析。(X ).放大電路低頻段沒有轉(zhuǎn)折頻率,則說明該電路采用了直接耦合方式。(V ).某集成運算放大器開環(huán)帶寬為 5 Hz,由于其非常低,所以該運算放大器只能用于構(gòu)成直流放大電路。(X ).與無源濾波器相比較,有源濾波器具有可提供通帶內(nèi)增益,負(fù)載對濾波 特性

21、影響小等優(yōu)點。(V ). 4分析計算題1.電路如圖T5. 2所示,試寫出各電路輸出電壓與輸入電壓的函數(shù)關(guān)系式 并指出電路名稱。圖 T5.2解:(a)un upRfRiR圖 T5.2解:(a)un upRfRiRfUliU I2 UN UN U0RiRf經(jīng)整理可得Uo 生(U|iU12),為減法運算電路Rit(b) u0 u 1dt ,為積分運算電路0RiCf 0 1(c)uoKU|iU12 ,為乘法運算電路? U(d)U 0 一,為一階有源低通濾波器1 j 一H2.運算電路如圖T5. 3所示,試求各電路輸出電壓的大小10 kQTV01sg圖 T5.3解:(a)采用疊加定理,則得Uo20K1T0

22、K0.6VUo20K1T0K0.6V20K (20K (2V) 0.8V(b )采用疊加定理,則得Up(15K /15K)15K (15K /15K)6V(15K/15K)(3V) 1V15K (15K /15K)(110K2VUp(15K /15K)15K (15K /15K)6V(15K/15K)(3V) 1V15K (15K /15K)(110K2VU010K)Up3.電路如圖T5. 4所示,試用比例運算關(guān)系求出輸出電壓解:(a)采用疊加定理,將ui分別從反相端和同相端輸入,使之構(gòu)成反相比 例運算電路和同相比例運算電路,則得RURU0 RU|(1R 、 R 2c、,) u 1 0VR/R

23、 R R 2(b)采用疊加定理,將U0R(b)采用疊加定理,將U0RRU1ui分別從反相端和同相端輸入,則得R(1 R)U| U|第6章信號產(chǎn)生電路1填空題.正弦波振蕩電路主要由放大電路 、 反饋網(wǎng)絡(luò) 、詵頻網(wǎng)絡(luò)穩(wěn)幅環(huán)節(jié)四部分組成。?.設(shè)放大電路的放大倍數(shù)為 Au反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù)為Fu則正弦波振蕩電AuFu1路的振幅平衡條件是 ,相位平衡條件是A f 2n (n 0,1,2,3 ). RC橋式振蕩電路輸出電壓為正弦波時,其反饋系數(shù) 巳=1/3 、放大電路的電壓放大倍數(shù)Au =/;若RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中的電阻均為 R,電容均為C,則振蕩頻率f0= 1/(2 tRC)。. RC橋式正弦波振蕩電路中,

24、負(fù)反饋電路必須采用非線性元件構(gòu)成,其主要目的是為了穩(wěn)幅 。.用晶體管構(gòu)成的三點式LC振蕩電路中,諧振回路必須由三個 個電抗元件組成,在交流通路中接于發(fā)射極的兩個電抗元件必須同 性質(zhì),不與發(fā)射極相接的電抗元件必須與之異 性質(zhì),方能滿足振蕩的相位條件。.石英晶體在并聯(lián)型晶體振蕩電路中起電感 兀件作用,在串聯(lián)型晶體振蕩器中起 短路 元件作用、石英晶體振蕩器的優(yōu)點是頻率穩(wěn)定度高 。.電壓比較器輸出只有 高電平 和 低電平兩種狀態(tài).由集成運算放大器構(gòu)成的電壓比較器運算放大器工作在非線性狀態(tài)。.遲滯比較器中引人中引入了正 反饋.它有兩個門限電壓。.三角波產(chǎn)生電路由遲滯比較器 和 線性RC積分電路 組成。2

25、單選題.信號產(chǎn)生電路的作用是在(B )情況下,產(chǎn)生一定頻率和幅度的正弦或 非正弦信號。A.外加輸入信號B.沒有輸入信號C.沒有直流電源電壓D.沒有反饋信號2,正弦波振蕩電路的振幅起振條件是(D )。?A.Au Fu1 B.Au Fu0C.AuFu1 D. AuFu1.正弦波振蕩電路中振蕩頻率主要由(D )決定。A.放大倍數(shù)B.反饋網(wǎng)絡(luò)參數(shù)C.穩(wěn)幅電路參數(shù)D.選頻網(wǎng)絡(luò)參數(shù).常用正弦波振蕩電路中,頻率穩(wěn)定度最高的是 (D )振蕩電路。A . RC橋式B .電感三點式C.改進型電容三點式D.石英晶體.電路如圖T6. 1所示,它是(C )正弦波振蕩電路。A .電容二點式B .電感二點式C.并聯(lián)型晶體D

26、.串聯(lián)型晶體圖 T6. L圖 T6 2.電路如圖T6, 2所示,它稱為(C )。A. RC振蕩電路B.單限電壓比較器C.遲滯比較器D.方波產(chǎn)生電路3是非題.信號產(chǎn)生電路用于產(chǎn)生一定頻率和幅度的信號,所以信號產(chǎn)生電路工 作時不需要接入直流電源。(x )?.電路存在反饋,且滿足 Au Fu 1,就會產(chǎn)生正弦波振蕩。(X ). RC橋式振蕩電路中,RC串并聯(lián)網(wǎng)絡(luò)既是選頻網(wǎng)絡(luò)又是正反饋網(wǎng)絡(luò)。(V ).選頻網(wǎng)絡(luò)采用LC回路的振蕩電路,稱為LC振蕩電路。(V ).電壓比較器輸出只有高電平和低電平兩種狀態(tài),輸入高電平時,輸出 為高電平;輸入低電平時輸出為低電平。(X ).非正弦波產(chǎn)生電路中沒有選頻網(wǎng)絡(luò),其狀

27、態(tài)的翻轉(zhuǎn)依靠電路中定時電 容的能量變化來實現(xiàn)。(V )4分析題.振蕩電路如圖T6. 3所示,試回答下列問題:(1)指出電路名稱;(2)反饋信號uf取自哪個元件的電壓?(3)畫出電路的交流通路,判斷電路是否構(gòu)成正反饋。若電路滿足振蕩條件, 求出振蕩頻率。解:(1)畫出交流通路如圖(b)所示,由圖可見,反饋信號 uf取自反饋電容?C2兩端電壓。設(shè)基極輸入電壓Ui瞬時極性為 (對參考點地電位),在回路諧?振頻率上放大電路輸出電壓u0的瞬時極性為 O ,所以,反饋電壓uf的瞬時極 性為。,可見Uf與Ui同相,電路構(gòu)成正反饋。(2)為電容三點式LC振蕩電路,其振蕩頻率fo等于f0 2 1LC2L C1C

28、C1C2H 200P 300P200P 300P1.85MHz2.方波產(chǎn)生電路如圖T6. 4所示,試指出圖中三個錯誤并改正圖m a圖m 4解:圖(a)中的錯誤有如下三處:集成運放輸出端缺穩(wěn)壓管的限流電阻;(2)積分電路中R和C的位置接反;(3)集成運放同相與反相輸入端接反。 改正電路如圖(b)所示。3.電路如圖T6. 5所示,試回答下列問題:(1)集成運算放大器Ai、A2各構(gòu)成什么電路?(2)設(shè)u0i的幅值為2V,對應(yīng)畫出u0i、u02的波形;(3)求出u0i的頻率。圖 J 圖 J 6. 5解:(1)Ai構(gòu)成RC橋式振蕩電路,A2構(gòu)成過零電壓比較器。(2)u0i為幅度為2 V的正弦波,波形如圖

29、(a)所示。當(dāng)u0i0時,A2比較 器輸出局電平,u02=Uz=6 V;當(dāng)u0i0時,A2比較器輸出低電平,u02= Uz =-6 V。u02的波形如圖(b)所示。u0i的振蕩頻率f。為i2 R3Gi2 R3Gi2 i6K 0.0i Fi592Hz i.59KHz第7章直流穩(wěn)壓電源i填空題.直流穩(wěn)壓電源一般由變壓器 、整流電路 、濾波電路和穩(wěn)壓電路組成。.橋式整流電容濾波電路的交流輸入電壓有效值為U2,電路參數(shù)選擇合適,則該整流濾波電路的輸出電壓 U0-i.2 U2,當(dāng)負(fù)載電阻開路時,U0弋 同 2 ,當(dāng)濾波電容開路時, U0弋 0.9 U2 。.串聯(lián)型晶體管線性穩(wěn)壓電路主要由取樣電路 、基準(zhǔn)電壓、比較放大器和 調(diào)整管等四部分組成。.線性集成穩(wěn)壓器調(diào)整管工作在放大 狀態(tài),而開關(guān)穩(wěn)壓電源工作在開關(guān) 狀態(tài),所以它的效率高 。2 單選題.將交流電變成單向脈動直流電的電路稱為 (B )電路。A

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