后清洗生產(chǎn)培訓(xùn)

1、后清洗生產(chǎn)培訓(xùn)第1頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rena結(jié)構(gòu)Rena生產(chǎn)原理Inoxside界面操作與等離子刻蝕比較第2頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rena水平刻蝕清洗機11.冷水機； 5.上料臺；2.上位機； 6.rena柱式指示燈及其急停開關(guān);3.抽風(fēng)管及其調(diào)節(jié)閥； 7.前玻璃窗.4.集中供液柱式指示燈及其急停開關(guān);1532674第3頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二4Rena各部件功能介紹-11.冷水機: 給冷卻器提供冷卻水.2.上位機:向PLC輸入運行參數(shù),監(jiān)控其運行.3.抽風(fēng)管及其調(diào)節(jié)閥:排設(shè)備內(nèi)廢氣,調(diào)節(jié),

2、監(jiān)視抽風(fēng)負壓.4.集中供液柱式指示燈及其急停開關(guān):柱式指示燈顯示集中供液運行狀態(tài),急停開關(guān)用于應(yīng)急停止集中供液設(shè)備.5.上料臺:用于設(shè)備供料放硅片.6. rena柱式指示燈及其急停開關(guān):柱式指示燈顯示rena運行狀態(tài),急停開關(guān)用于應(yīng)急停止rena設(shè)備.7.前玻璃窗:監(jiān)視設(shè)備內(nèi)硅片運行情況,保護設(shè)備內(nèi)氣體流動,隔絕設(shè)備尾氣.第4頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rena水平刻蝕清洗機28.電柜； 12.排放管道；9.后玻璃蓋板； 13.自動補液槽；10.下料臺； 14.集中供液管路 ； 11.供氣，供水管道； 15.傳送滾軸.89101112131415第5頁，共26頁，2

3、022年，5月20日，8點11分，星期二6Rena各部件功能介紹-28.電柜:放置安裝設(shè)備總電源開關(guān),各斷路開關(guān),電腦機箱以及PLC(設(shè)備總控制器).9.后玻璃蓋板:監(jiān)視設(shè)備各部件運行情況,保護設(shè)備內(nèi)氣體流動,隔絕設(shè)備尾氣.10.下料臺:用于刻蝕后硅片卸片(插片).11.供氣,供水管道:供應(yīng)設(shè)備正常運轉(zhuǎn)使用的壓縮空氣,純水,自來水以及冷卻水.12.排放管道:用于排去設(shè)備廢水.13.自動補液槽:用于儲存設(shè)備自動運行時補償?shù)幕瘜W(xué)品.14.集中供液管路:用于集中供液向自動補液槽添加化學(xué)品以及rena的首次加液.15.傳動滾軸:用于rena設(shè)備內(nèi)傳送硅片.第6頁，共26頁，2022年，5月20日，8點

4、11分，星期二Rena水平刻蝕清洗機各槽分布圖1.Etch bath； 5.Hf bath；2.Rinse 1； 6.rinse 3（DI-Water spray）；3.Alkaline rinse； 7.dryer 2。4.Rinse 2；1234567第7頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rena各槽功能介紹 1.上料臺放片 2.刻蝕槽刻邊 3.洗槽去殘液 6.HF槽去磷硅玻璃 5.洗槽去殘液 4.KOH噴淋去多孔硅 7.洗槽去殘液 8.風(fēng)刀吹干 9.下料臺插片第8頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rena各槽功能介紹槽名主要功能實現(xiàn)情況Etch

5、-bath刻蝕硅片邊緣及背面的PN結(jié)，刻蝕線不超過硅片邊緣1.5mm，無刻不通現(xiàn)象。此槽需循環(huán)流量，刻蝕液溫度，氣體流動穩(wěn)定?？涛g速率下降越慢越好。風(fēng)刀吹去硅片上面的刻蝕槽殘液。良好Rinse 1循環(huán)噴淋水洗去刻蝕后吸附在硅片上的刻蝕液，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的洗槽槽液。良好Alkaline-rinseKOH噴淋去除硅片表面的多孔硅及其雜質(zhì)，去除擴散形成的染色.并風(fēng)刀吹去積在硅片上面的KOH殘液。KOH溶液依靠冷卻水降溫保持在20左右。良好Rinse 2循環(huán)噴淋水洗去去多孔硅后吸附在硅片上的堿液，并風(fēng)刀吹去積在硅片上的洗槽槽液。良好Hf-bathHF循環(huán)沖刷噴淋去除硅片表面的磷硅玻璃，并風(fēng)刀吹去

6、積在硅片上的HF殘液良好Rinse 3循環(huán)噴淋水洗去去磷硅玻璃后吸附在硅片上的HF酸液，并純水噴霧洗去循環(huán)水殘液。良好Dryer 22道來回拉動的風(fēng)刀吹去硅片兩面吸附的純水，不能有液體殘留在硅片上。一般第9頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二一、刻蝕槽刻蝕槽生產(chǎn)多晶156硅片圖片第10頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二刻蝕槽溶液流向圖刻蝕反應(yīng)為氧化，放熱反應(yīng).流回儲液槽，溶液溫度較高儲液槽泵液至冷卻器冷卻器泵液至刻蝕槽內(nèi)槽刻蝕槽內(nèi)槽溫度較低液面與硅片吸附反應(yīng)后流入外槽內(nèi)槽槽壁可調(diào)節(jié)高度，刻蝕槽液不斷循環(huán)降溫，且循環(huán)流量（一定范圍內(nèi)）越大，液面越高泵第1

7、1頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二刻蝕槽硅片流入吸附刻蝕液原理此為生產(chǎn)mono125-150硅片時圖片硅片完全懸空硅片尾部吸附刻蝕液第12頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二刻蝕槽硅片流入吸附刻蝕液原理此為生產(chǎn)mono125-150硅片時圖片2052934橡膠圈較小2051141橡膠圈正?？涛g液完全吸附第13頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二刻蝕槽前后硅片狀態(tài)比較此為生產(chǎn)mono125-150硅片時圖片硅片剛進入刻蝕槽硅片刻蝕后，邊緣水印為反應(yīng)生成的水第14頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二刻蝕槽影響刻蝕效

8、果的因素一、抽風(fēng):抽風(fēng)在很大程度上會影響到刻蝕槽液面波動，而刻蝕槽任何的液面波動，對在液面上運行的硅片都有很大影響；二、傳動速度:傳動速度決定硅片通過刻蝕槽的時間，也就是決定硅片刻蝕的反應(yīng)時間；三、滾軸和內(nèi)槽槽邊高度（水平）:滾軸高度決定硅片通過刻蝕槽時的高度，而內(nèi)槽槽邊高度（水平）決定刻蝕槽液面的大致高度，兩者的高度差距只有在合理范圍內(nèi)，硅片才能吸附到刻蝕液；四、滾軸水平：滾軸水平，5道軌道內(nèi)運行的硅片才能與刻蝕液水平面平行，只有平行于水平面，硅片吸附刻蝕液才均勻，也即刻蝕均勻，無過刻或刻不通現(xiàn)象；五、硅片覆蓋率：硅片覆蓋率也就是硅片之間的間距，它決定硅片間液面形狀?？涛g槽是通過液體的張力將

9、刻蝕液吸附于硅片上，但硅片間間隙過小，液體就會浸漫到硅片上面，破壞擴散面。同時，過高的覆蓋率還會使刻蝕槽液面升高。第15頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rinse 1一號洗槽采用循環(huán)水噴淋，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液（水源為rinse 2溢流水）。上水刀下水刀風(fēng)刀第16頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二17Alkaline rinse上水刀上水刀風(fēng)刀第17頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二堿槽溶液流向圖（槽截面）泵過濾器硅片運行平面堿液流動方向冷卻水流動方向槽壁噴淋頭槽內(nèi)液面高于溢流口的溶液從溢流管排掉

10、F第18頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Rinse 2二號洗槽采用循環(huán)水噴淋，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液（水源為rinse 3溢流水） 。上水刀下水刀風(fēng)刀第19頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二HF bath氫氟酸槽采用5%HF溶液噴淋浸泡，上下各四道水刀沖洗硅片兩面后，風(fēng)刀吹去硅片上面殘液氫氟酸循環(huán)噴淋使反應(yīng)充分HF bath去PSG 硅片完全浸泡在溶液里第20頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二氫氟酸槽溶液流向圖（槽截面）過濾器泵硅片運行平面氫氟酸液流動方向內(nèi)槽液面外槽液面F噴淋頭第21頁，共26頁，

11、2022年，5月20日，8點11分，星期二Rinse 3三號洗槽采用循環(huán)水噴淋（水源為純水噴霧落進槽內(nèi)水） ，上下各兩道水刀沖洗硅片兩面后，上下各一道純水噴霧器清洗硅片兩面（流量400lh）循環(huán)水沖洗DI-Water噴霧器最后沖洗，水落進槽底，重復(fù)利用。第22頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二Dryer 2二號干燥槽采用壓縮空氣吹干，上下各兩道風(fēng)刀使用馬達帶動來回拉動，吹干硅片。吹干風(fēng)刀第23頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二濕法刻蝕相對等離子刻蝕的優(yōu)點 1、非擴散面PN結(jié)刻蝕時被去除（原等離子刻蝕背面PN結(jié)依靠絲印被鋁漿時，鋁還原硅片使N形硅變?yōu)镻形硅，但所產(chǎn)生的P形硅電勢不強）；2、硅片潔凈度提高（無等離子刻蝕的尾氣污染）；3、節(jié)水（rena使用循環(huán)水沖洗硅片，耗水約8T/h。等離子刻蝕去PSG用槽浸泡，用水量大） 。第24頁，共26頁，2022年，5月20日，8點11分，星期二濕法刻蝕相對等離子刻蝕的缺點1、硅