LED芯片來料檢驗(yàn)規(guī)范

1、LED芯片來料檢驗(yàn)規(guī)范LED芯片來料檢驗(yàn)規(guī)范5/5LED芯片來料檢驗(yàn)規(guī)范LEDCHIPIQC檢驗(yàn)規(guī)范目的1.1制定LEDCHIPFQC檢驗(yàn)規(guī)范。1.2制定成品入庫批允收程序，以保證產(chǎn)質(zhì)量量達(dá)必然水平。范圍本公司生產(chǎn)之所有LED產(chǎn)品均屬之。內(nèi)容3.1檢驗(yàn)測(cè)試項(xiàng)目光電性檢驗(yàn)外觀檢驗(yàn)數(shù)值標(biāo)示檢驗(yàn)。3.2抽樣計(jì)劃（片數(shù)定義：芯片片數(shù)）依產(chǎn)品檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃(WI-20-0101)抽片執(zhí)行檢驗(yàn)。光電特點(diǎn)檢驗(yàn)（VFH、VFL、IV）（1）抽樣地址：分頁片邊緣4顆，分頁片內(nèi)圍6顆，均勻取樣。（2）抽樣數(shù)量：每片10顆。（3）每片抽樣數(shù)，每一顆不良，則列一個(gè)缺點(diǎn)。外觀檢驗(yàn)（1）PSTYPE不良晶粒2easheet

2、，列入一個(gè)缺點(diǎn)。（2）NSTYPE或PSTYPE分頁面積最長距離6.5cm者，不良晶粒5easheet，且10eawafer列入一個(gè)缺點(diǎn)。（3）缺點(diǎn)項(xiàng)目之限樣標(biāo)準(zhǔn)由制造、FQC兩單位共同制作，作為人員檢驗(yàn)之依據(jù)。3.3缺點(diǎn)等級(jí)代字主要缺點(diǎn)代字：MA（Major）。次要缺點(diǎn)代字：MI（Minor）。3.4參照文件本公司產(chǎn)品目錄規(guī)格書研發(fā)工程產(chǎn)品測(cè)試分類規(guī)格其余相關(guān)之質(zhì)量文件光電特點(diǎn)檢驗(yàn)4.1順向電壓VFH依特定之額定電流點(diǎn)測(cè)，須低于規(guī)格上限。規(guī)格上限應(yīng)參照測(cè)試分類規(guī)格及GaP、GaAsP、AlGaAs產(chǎn)品T/S前測(cè)站作業(yè)指導(dǎo)書。缺點(diǎn)等級(jí)：MA4.2順向電壓VFL依特定之額定電流點(diǎn)測(cè)，須高于規(guī)格下

3、限，低于上限。規(guī)格：GaP1.5V，GaAsP1.3V，AlGaAs(1.25VFL1.5V)，IR(0.701.0V)。缺點(diǎn)等級(jí)：MI4.3亮度Iv/Po依特定之額定電流點(diǎn)測(cè)，須高于規(guī)格下限。規(guī)格下限應(yīng)參照測(cè)試分類規(guī)格及各產(chǎn)品T/S前測(cè)站作業(yè)指導(dǎo)書判斷。缺點(diǎn)等級(jí)：MA外觀檢驗(yàn)共同標(biāo)準(zhǔn)檢驗(yàn)項(xiàng)目說明圖示缺點(diǎn)等級(jí)5.1晶粒厚度同一芯片晶粒厚度差2milMA同一芯片晶粒厚度差3mil5.2正面電極電極中心點(diǎn)1/3半徑范圍內(nèi)，不得有任何異常電極MA(不含刮傷)R/3電極破壞、鋁泡（金泡）、非化學(xué)藥水污染(沾膠MA、雜物、硅膠粒、Ink)、重工造成之金屬殘印子(如殘鈦)面積應(yīng)1/5原電極面積。電極刮傷自

4、動(dòng)用PS應(yīng)1/5原電極面積MA材質(zhì)：AlGaInP適用電極擴(kuò)大減?。?.9倍原訂值1.1倍MA二道偏移應(yīng)1.1倍MI電極偏移a/b2/1MAab電極不得有鋁黃、藥水污染MA自動(dòng)用PS電極不得有粗糙程度不一致影響機(jī)器MA辨視長腳電極斷裂應(yīng)1只腳面積MAPowerChip(524,540相關(guān)產(chǎn)品)Pad不可以形成掉腳長腳電極減小寬度(B)應(yīng)1/2原寬度(A)MA5.3正面晶粒晶粒污染、沾膠、藥水殘需1/5發(fā)光區(qū)面積全切晶粒未切穿者不作PS（半切晶粒及手動(dòng)用NS之未切穿面積應(yīng)1/5原晶粒面積）晶粒切割內(nèi)斜需1/10原晶粒面積晶粒不得為長方形|b/a|90%檢驗(yàn)項(xiàng)目說明5.3正面晶粒電極周圍未粗化到的

5、月眉形地域，最寬處須1mil發(fā)光區(qū)傷到面積自動(dòng)用(PS)應(yīng)1/5發(fā)光區(qū)面積手動(dòng)用(NS)A/B2/1發(fā)光區(qū)金屬節(jié)余應(yīng)1/5電極面積發(fā)光區(qū)刮傷應(yīng)1/5原發(fā)光面積且刮傷寬度應(yīng)10m/line5.3.9SR,DR,UR氧化層膜零散面積一般規(guī)格(NX、NL、PX)應(yīng)1/2原發(fā)光區(qū)面積均勻性規(guī)格及自動(dòng)用(PS)應(yīng)1/5原發(fā)光區(qū)面積(PD、ND、PM)走開電極之鋁(金)線長度應(yīng)1/2電極長度正崩?正面?zhèn)?、暗傷面積應(yīng)1/5單邊長界限內(nèi)均勻性產(chǎn)品不得有暗傷5.4反面電極反面電極總面積需1/2應(yīng)有總面積5.5反面晶粒反面晶粒污染面積應(yīng)1/2原晶粒面積反面?zhèn)γ娣e應(yīng)1/5原晶粒面積GaP產(chǎn)品8mil背崩面積應(yīng)1

6、/3原晶粒面積TK508SRT,UYT背崩面積應(yīng)1/2原晶粒面積5.6晶粒排列同一排晶粒排列傾斜需1顆晶粒相鄰之晶粒，排列不齊需1/2晶粒晶粒角度不正30晶粒傾倒2ea/sheet晶粒間距自動(dòng)用PS不得高出0.51.0倍晶粒寬，手動(dòng)用NS不得高出0.51.2倍晶粒寬晶粒排列自動(dòng)用PS空洞高出5ea5ea應(yīng)2處/sheet(含芯片外面有凹洞者)空洞率應(yīng)20%ABMAMAMAMAba圖示缺點(diǎn)等級(jí)MAAMABMAMAMAMAMAMAMAMAMA1chipMA1/2chipMAMAMI0.51.0垂采糴(PS)0.51.2垂采糴(NS)55MA補(bǔ)洞應(yīng)單邊每顆補(bǔ)齊，不得傾斜。5.7分頁自動(dòng)用PS：分頁面

7、積最長距離應(yīng)8.5cm檢驗(yàn)項(xiàng)目說明5.7分頁手動(dòng)用NS?分頁面積最長距離應(yīng)4.5cm?8milSR、NR分頁面積最長距離應(yīng)3.5cm分頁晶粒距TAPE邊緣應(yīng)4.5cm外面眉形產(chǎn)品、次級(jí)品，可并片。PS并片規(guī)格：并片片數(shù)：應(yīng)3片每片間隔：14Mil以下應(yīng)6+2mm16Mil以上應(yīng)79mm單片數(shù)量：12Mil(每小片最少1000ea)14Mil及112UR(每小片最少500ea)116IRS0.5K其余IR1K晶粒方向：以平行為原則并片限制：同片始可并片編碼：同一般MA8.5cm圖示缺點(diǎn)等級(jí)MA4.5cmMA4.5cmMA5.8TAPE5.9比較5.10MESA數(shù)值標(biāo)示檢驗(yàn)推行項(xiàng)目：YGS、HO、HY、UR、IR、四次元、RD、YG手動(dòng)用分頁片數(shù)量手動(dòng)用（NS）1Kea四次元16mil以上(含)應(yīng)0.5Kea自動(dòng)用分頁片數(shù)量IR系列、UR產(chǎn)品應(yīng)1Kea。四次元產(chǎn)品810mil應(yīng)2Kea，1114mil應(yīng)1Kea，16mil以上(含)應(yīng)0.5Kea其余產(chǎn)品應(yīng)3Kea外面分頁片數(shù)量400ea，PS1/4圓片不得有毛屑、污漬、節(jié)余之零散晶粒不得有破壞、刮傷不得有明顯之晶粒、隔板印跡晶粒與晶粒間不得有tape的膠絲節(jié)余自動(dòng)用(PS)晶粒，電極與發(fā)光區(qū)比較要明顯四次元產(chǎn)品掉ITO者為良品自動(dòng)用(PS)M