電感的升壓、降壓原理

1、降壓原理解釋一：FET為ONFET為ON時的電路圖在FET為ON的時間里，L積蓄電流能的同時為輸出供電。虛線表示的電流路徑雖是微小的漏電流，但會使輕負載的效率變差。FET為OFF時的電路圖在FET為OFF時，L要保持OFF前的電流值，使SBD為ON。此時，由于線圈的左端被強制性地降到0V以下，VOUT的電壓下降，即降壓電路原理。由此，F(xiàn)ET的ON時間長L里積蓄的電流能越大，越能獲得大功率電源，降壓的幅度越小。降壓時，由于FET為ON時也要給輸出供電，所以不需要限制占空比的最大值。解釋二：降壓式DC/DC變換器基本工作原理電路如圖所示。VT1為開關(guān)管，當VT1導(dǎo)通時，輸入電壓Vi通過電感L1向負

2、載RL供電，與此同時也向電容C2充電。在這個過程中，電容C2及電感L1中儲存能量。當VT1截止時，由儲存在電感L1中的能量繼續(xù)向RL供電，當輸出電壓要下降時，電容C2中的能量也向RL放電，維持輸出電壓不變。二極管VD1為續(xù)流二極管，以便構(gòu)成電路回路。輸出的電壓Vo經(jīng)R1和R2組成的分壓器分壓,把輸出電壓的信號反饋至控制電路，由控制電路來控制開關(guān)管的導(dǎo)通及截止時間，使輸出電壓保持不變?？刂齐娐稸D1RC1C510ulFSMTC0E05GNDPWRENVINLXGNDFB/VOUTENU2RT8024SOT-23-5CIO壓保持不變。控制電路VD1RC1C510ulFSMTC0E05GNDPWRE

3、NVINLXGNDFB/VOUTENU2RT8024SOT-23-5CIO0.1uFSMTC0402L24.7uHSMTSB32VCC1.2VR2ZZC7100hU1%I10uFSMTRG402SMT0005GNDR6woK/i%SMTRD402GND控制電路和VTI，VD1是一體的都是RT8024GNDSBD3NDOQGNDo碩GNDSBD3NDOQGNDo碩rOVOUT升壓原理GND解釋一FET為ON時的電路圖在FET為ON的時間里在L積蓄電流能。虛線表示的電流路徑雖是微小的漏電流，但會使輕負載的效率變差。FET為OFF時的電路圖在FET為OFF時，L要保持OFF前的電流值，相當于在輸入回

4、路增加了一個“電源”。由于線圈的左端被強制性固定于VIN,因此輸出VOUT的電壓要大于VIN,即升壓電路原理。由此，F(xiàn)ET的ON時間越長（FET的觸發(fā)占空比D越大），L里積蓄的電流能越大，越能獲得電源功率，于是升壓就越高。但是，F(xiàn)ET的ON時間太長的話，給輸出側(cè)供電的時間就極為短暫，F(xiàn)ET為ON時的損失也就增大，變換效率變差。因此，通常要限制占空比的最大值，不超過適宜的占空比D。解釋二：簡單的電感升壓原理L我n給一個簡單電路，當開關(guān)k位于位畫1的時候，L在電源電壓E的作用下*電感流過一裕電電廡儲能.當開關(guān)轉(zhuǎn)換到位宜由于電感的性質(zhì)電流不能突變，在這個瞬間，電流i傍然為】如果R2鳧然R2上的電壓要比前一時刻的R1上的電壓高口因前一時刻R1上的電壓VI=I玄1|這一時刻R2上的電壓V2=I*R2由R2R1得V2VL如果開關(guān)K換成電子開關(guān)，且轉(zhuǎn)換逮度很快，那么負載R2就可以緡到一個升高了的電壓。當然這是一個簡單的解釋，具體的計算公武