九章節(jié)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)課件

1、第九章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖第九章半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)兩種不同半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)反型異質(zhì)結(jié)：由導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半導(dǎo)體 單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié) 如p-Ge和n-GaAs 記為p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型異質(zhì)結(jié)：導(dǎo)電類型相同的兩種半導(dǎo)體材料所形 成的異質(zhì)結(jié) 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP一般把禁帶寬度較小的半導(dǎo)體材料寫在前面。9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)2. 理想異質(zhì)結(jié)的能帶圖形成突變pn異質(zhì)結(jié)之前的

2、平衡能帶圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖2. 理想異質(zhì)結(jié)的能帶圖形成突變pn異質(zhì)結(jié)之前的平衡能帶圖99.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖窄帶隙材料和寬帶隙材料在接觸前的能帶圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖窄帶隙材料和寬帶隙材料在接觸前形成突變pn異質(zhì)結(jié)之后的平衡能帶圖形成突變pn異質(zhì)結(jié)之后的平衡能帶圖由于p區(qū)和n區(qū)的電子親和勢和禁帶寬度不同，使異質(zhì)結(jié)在界面處的能帶突變，EC和EV的出現(xiàn)將阻礙載流子通過界面，這種對載流子的限制作用是同質(zhì)結(jié)中所沒有的。由于p區(qū)和n區(qū)的電子親和勢和禁帶寬度不同，使異質(zhì)結(jié)在界面處的p-nGe-GaAs異質(zhì)結(jié)的平衡能帶圖p-nGe-GaAs異質(zhì)結(jié)的平衡能帶圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)

3、結(jié)及其能帶圖熱平衡狀態(tài)下的一個典型的np異質(zhì)結(jié)能帶圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖熱平衡狀態(tài)下的一個典型的np異9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖Nn異質(zhì)結(jié)在熱平衡狀態(tài)下的理想能帶圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖Nn異質(zhì)結(jié)在熱平衡狀態(tài)下的理想9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖n-AlGaAs, n-GaAs異質(zhì)結(jié)的導(dǎo)帶邊緣圖9.1 半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)及其能帶圖n-AlGaAs, n-GaA本章小結(jié)一 重要術(shù)語解釋1異質(zhì)結(jié)：兩種不同的半導(dǎo)體材料接觸形成的結(jié)。2反型異質(zhì)結(jié)： 由導(dǎo)電類型相反的兩種不同的半 導(dǎo)體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 如：p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。3同型異質(zhì)結(jié)：由導(dǎo)電類型相同的兩種不同的半導(dǎo) 體單晶材料所形成的異質(zhì)結(jié)。 如：n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等。本章小結(jié)一 重要術(shù)語解釋二 知識點學(xué)完本章后，讀者應(yīng)具備如下能力：1會畫理想突變反型異質(zhì)結(jié)的能帶圖2會畫理想突變同型異質(zhì)結(jié)的能帶圖本章小結(jié)二 知識