核磁共振譜s課件

一、核磁共振基本原理1、原子核及核的自旋原子原子核電子質(zhì)子帶正電荷中子不帶電荷核磁共振：原子核在外加磁場的作用下，吸收電磁波的能量后，從一個(gè)自旋能級(jí)躍遷到另一個(gè)能級(jí)后而產(chǎn)生的波譜。

第1頁/共69頁一、核磁共振基本原理1、原子核及核的自旋原子1常用：原子量

X表示各種原子，如（1H、12C）有些原子核有自旋現(xiàn)象（繞自身的軸旋轉(zhuǎn)），常用自旋量子數(shù)I表征。磁核：某些I≠0的核的自旋可產(chǎn)生一個(gè)小磁場，形成磁矩，這種核有磁性，稱為磁核。第2頁/共69頁常用：原子量X表示各種原子，如（1H、12C）有些2質(zhì)量數(shù)原子序數(shù)自旋量子數(shù)（I）自旋形狀核磁共振訊號(hào)原子核偶數(shù)偶數(shù)0非自旋球體無12C，16O，32S，28Si奇數(shù)偶數(shù)或奇數(shù)1/2，自旋球體有1H，13C，15N，19F，29Si，31P奇數(shù)偶數(shù)或奇數(shù)3/2，5/2…自旋橢圓體有11B，17O，33S，35Cl，37Cl，81Br，

79Br，127I偶數(shù)奇數(shù)1，2，3…自旋橢圓體有2H，10B，14N哪些核有磁性呢？第3頁/共69頁質(zhì)量數(shù)原子序數(shù)自旋量子數(shù)（I）自旋形狀核磁共振訊號(hào)原子核偶數(shù)3

1H占?xì)渫凰氐?9.985%，共振信號(hào)強(qiáng)，應(yīng)用最廣泛。氫核磁共振又稱質(zhì)子核磁共振，簡寫為1H－NMR或PMR

13C的核磁共振，簡寫為13C－NMR或13CMR。13C的含量僅占碳同位素的1.069%，共振信號(hào)太弱，因此對13C－NMR的研究比1H－NMR難。計(jì)算機(jī)對信號(hào)處理上萬次后，疊加得到強(qiáng)信號(hào)。其中I＝1/2的核可當(dāng)作球體，核磁共振信號(hào)簡單I>1的核為橢球體，核磁信號(hào)復(fù)雜。第4頁/共69頁1H占?xì)渫凰氐?9.985%，共振信號(hào)強(qiáng)，應(yīng)用最廣泛。42、核磁共振現(xiàn)象無外磁場有外磁場第5頁/共69頁2、核磁共振現(xiàn)象無外磁場有外磁場第5頁/共69頁5磁核放入磁場強(qiáng)度為Ho的外磁場中，小磁矩將出現(xiàn)兩種取向：與外磁場平行或大體平行；處于低能級(jí)

與外磁場反平行或大體反平行，處于高能級(jí)

α自旋態(tài)

β自旋態(tài)第6頁/共69頁磁核放入磁場強(qiáng)度為Ho的外磁場中，小磁矩將出現(xiàn)兩種取向：與外6γ－核的磁旋比。Ｈ核:γ

＝26750弧度/秒·高斯h－普朗克常數(shù)ΔE是量子化的，且與外加磁場H。成正比

兩種自旋態(tài)的能量差與外磁場強(qiáng)度關(guān)系γhH。2π△E=第7頁/共69頁γ－核的磁旋比。h－普朗克常數(shù)ΔE是量子化的，兩種自旋態(tài)的能7若以電磁波照射，供給自旋核能量△E’

，使：△E’=△E即：磁核發(fā)生能級(jí)躍遷，低能態(tài)的核吸收能量躍遷至高能態(tài)，產(chǎn)生核磁共振現(xiàn)象。即：發(fā)生核磁共振的條件為：例：當(dāng)質(zhì)子感受到的磁場為14092Ｇ時(shí)，發(fā)生核磁共振的頻率為：υ＝26750×14092/2π＝60×106HZ=60MHZ第8頁/共69頁若以電磁波照射，供給自旋核能量△E’，使：△E’=△E8使H0與υ匹配的兩種方法：發(fā)生核磁共振時(shí)，會(huì)在特定的υ或H０下出現(xiàn)信號(hào)，如圖：1.固定H0，逐漸改變?chǔ)浴獟哳l；∨2.固定υ，逐漸改變H0—掃場。第9頁/共69頁使H0與υ匹配的兩種方法：發(fā)生核磁共振時(shí)，會(huì)在特定的υ或H０93、核磁共振儀簡介溶液或液態(tài)的樣品，加入內(nèi)標(biāo)物(TMS)。一般為0.4ml，濃度為0.1~0.5M。為了避免干擾，常用不含氫的溶劑如CCl4、CS2、CCl3F、CF3COCF3等；也可以用氘代有機(jī)溶劑如CDCl3、CD3OD、CD3COCD3等。氘代溶劑昂貴一些，其譜圖中常出現(xiàn)殘存的氫峰樣品的準(zhǔn)備:第10頁/共69頁3、核磁共振儀簡介溶液或液態(tài)的樣品，加入內(nèi)標(biāo)物(TMS)。10第11頁/共69頁第11頁/共69頁11

應(yīng)用范圍：食品、聚合物、石化、醫(yī)藥、生物等行業(yè)

在石化行業(yè)中的應(yīng)用：

1.

石油蒸餾物以及煤的總氫含量測定；

2.

石蠟中的油含量測定；

3.

油品粘度的測定。第12頁/共69頁應(yīng)用范圍：食品、聚合物、石化、醫(yī)藥、生物等行業(yè)

在石化12產(chǎn)生磁場產(chǎn)生固定頻率的電磁輻射波；檢測和放大共振信號(hào)將共振信號(hào)繪制成標(biāo)準(zhǔn)譜圖第13頁/共69頁產(chǎn)生磁場產(chǎn)生固定頻率的電磁輻射波；檢測和放大共振信號(hào)將共振信13（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移1.化學(xué)位移（δ）（1）屏蔽效應(yīng)：核處于核外電子的包圍之中，在外磁場的作用下，核外電子的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)與外磁場方向相反的感應(yīng)磁場（H’），使磁核實(shí)受磁場有所降低，核外電子的這種作用稱屏蔽效應(yīng)。實(shí)際感受的磁場H=Ho－H’

H=Ho（1－σ）而H’=Hoσ（σ為屏蔽常數(shù)，百萬分之幾）第14頁/共69頁（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移1.化學(xué)位移（δ）（1）屏蔽效應(yīng)：14

處于不同化學(xué)環(huán)境的磁核受到不同的屏蔽作用，共振頻率會(huì)有差別：（2）化學(xué)位移的定義：由于電子的屏蔽或去屏蔽引起核磁共振的吸收位置的移動(dòng)（相對于孤立質(zhì)子或裸核），稱做化學(xué)位移，以δ表示。對于質(zhì)子NMR來說，化學(xué)位移的范圍僅為外磁場的百萬分之十左右，但這百萬分之十的差異，確是核磁共振用于結(jié)構(gòu)分析的基礎(chǔ)。υ＝γH。2π(1-σ)第15頁/共69頁處于不同化學(xué)環(huán)境的磁核受到不同的屏蔽作用，共振頻率會(huì)有差15（3）化學(xué)位移的表示：以四甲基硅(CH3)4Si（TMS）作為標(biāo)準(zhǔn)物，將其在NMR譜圖上的位置定為零，某一氫核吸收峰位置與TMS信號(hào)之間的差稱為化學(xué)位移。為了能顯示化學(xué)位移，需要在小范圍內(nèi)變動(dòng)磁場或電磁波的頻率。有兩種辦法，一是掃頻法；二是掃場法。δ值為ppm數(shù)量級(jí)

（掃場法）(H標(biāo)準(zhǔn)－H樣品)H標(biāo)準(zhǔn)×106δ=第16頁/共69頁（3）化學(xué)位移的表示：以四甲基硅(CH3)4Si（TM16如果是掃頻法，則化學(xué)位移表示為：δ＝×106(ppm)υ樣品－υTMSυ０υ樣品—樣品質(zhì)子共振頻率υTMS—TMS質(zhì)子共振頻率υ０—儀器的照射頻率第17頁/共69頁如果是掃頻法，則化學(xué)位移表示為：δ＝17在譜圖上，規(guī)定δ值由右至左遞增。當(dāng)固定υ，改變H0—掃場。譜圖的左方為低場，右方為高場。選TMS作標(biāo)準(zhǔn)物，因Ｈ都等同，只有一個(gè)峰。且電負(fù)性Si＜C，Si具有供電性，甲基的質(zhì)子周圍電子云密度大，信號(hào)峰在高場。二、從1H－NMR譜圖中得到的信息第18頁/共69頁在譜圖上，規(guī)定δ值由右至左遞增。選TMS作標(biāo)準(zhǔn)物，因Ｈ都等同18（一）信號(hào)的種類H核的種類（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移，與H種類有關(guān)（三）信號(hào)的積分（強(qiáng)度）H核的數(shù)目從譜圖中得到如下信息:（四）信號(hào)的裂分相鄰H核之間的自旋偶合作用－－相鄰氫原子的數(shù)量第19頁/共69頁（一）信號(hào)的種類H核的種類（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移，與H種類19化學(xué)等價(jià)質(zhì)子：化學(xué)環(huán)境相同的質(zhì)子?；瘜W(xué)位移相同。四種質(zhì)子，四組峰兩種質(zhì)子，兩組峰第20頁/共69頁化學(xué)等價(jià)質(zhì)子：化學(xué)環(huán)境相同的質(zhì)子。四種質(zhì)子，四組峰兩種質(zhì)子，20信號(hào)的種類：3信號(hào)的積分信號(hào)的裂分化學(xué)位移第21頁/共69頁信號(hào)的種類：3信號(hào)的積分信號(hào)的裂分化學(xué)位移第21頁/共69頁212、影響化學(xué)位移的因素(1)誘導(dǎo)效應(yīng)和共軛效應(yīng)

吸電子誘導(dǎo)和吸電子共軛效應(yīng)，使氫核周圍的電子云密度降低，氫核所受屏蔽減弱，共振信號(hào)移向低場，

δ增加。

化學(xué)位移是由于核外電子產(chǎn)生的感應(yīng)磁場引起的（屏蔽或去屏蔽效應(yīng)），使核外電子密度改變的因素都能影響化學(xué)位移。例1:電負(fù)性F＞Cl＞Br＞I第22頁/共69頁2、影響化學(xué)位移的因素(1)誘導(dǎo)效應(yīng)和共軛效應(yīng)22(CH3)4SiCH3ICH3BrCH3ClCH3F02.162.683.054.26δ(ppm)CH3BrCH3CH2BrCH3CH2CH2BrCH3(CH2)5Br2.681.651.040.9δ共軛：高場，δ減小低場，δ增大3.8-4.04.6-5.96.3-6.5

第23頁/共69頁(CH3)4SiCH3ICH3B23（２）碳的雜化狀態(tài)的影響烷烴烯烴炔烴sp3

sp2

sp2.482.753.29電負(fù)性雜化狀態(tài)化學(xué)位移δ(ppm)炔烴氫核的δ值比雙鍵上的質(zhì)子的δ值小，是由于π電子云的各向異性效應(yīng)引起的。

0.9~1.54.6~5.92.0~3.0第24頁/共69頁（２）碳的雜化狀態(tài)的影響烷烴烯烴24(３)π電子云的各向異性效應(yīng)δ0.965.842.87.269~10π電子在外磁場中產(chǎn)生環(huán)流，電子環(huán)流所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場，在空間分為兩個(gè)區(qū)域：C:sp3sp2spsp2sp2雙鍵、苯環(huán)、羰基上質(zhì)子δ大，三鍵質(zhì)子的δ小，原因：π電子云屏蔽效應(yīng)在各個(gè)部位不同——各向異性效應(yīng)。CH3

CH2-H

CH2=CH-H

HC≡C-H

C6H5-H

R-CO-H第25頁/共69頁(３)π電子云的各向異性效應(yīng)δ0.9625與外磁場方向相同處于屏蔽區(qū)的質(zhì)子須增大外加磁場的強(qiáng)度才能發(fā)生核磁共振，所以信號(hào)移向高場，δ值小。位于去屏蔽區(qū)的氫，感應(yīng)磁場的方向與外加磁場一致，所以它的信號(hào)出現(xiàn)在低場，δ值比較大。與外磁場方向相反屏蔽區(qū)的H，δ值↓屏蔽區(qū)去屏蔽區(qū)的H，δ值↑去屏蔽區(qū)第26頁/共69頁與外磁場方向相同處于屏蔽區(qū)的質(zhì)子須增大外加磁場的強(qiáng)度才能發(fā)生26苯的各向異性效應(yīng)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)去屏蔽區(qū)芳?xì)涮幱谌テ帘螀^(qū)，低場，δ值大第27頁/共69頁苯的各向異性效應(yīng)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)去屏蔽區(qū)芳?xì)涮幱谌テ帘螀^(qū)，低場，27乙烯的各向異性效應(yīng)去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)烯氫處于去屏蔽區(qū)，低場，δ值大第28頁/共69頁乙烯的各向異性效應(yīng)去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)烯氫處于去屏蔽區(qū)，低場28A.烯氫、芳?xì)浣蕴幱谌テ帘螀^(qū)，故信號(hào)在偏低場出峰，δ值較大。分別為4.6~5.9、６~8.5ppm。

若質(zhì)子處于屏蔽區(qū)，δ值很小.1,4-十烷基撐苯，烷基的第5、6碳上的氫正處于苯環(huán)的上方，受到強(qiáng)烈的屏蔽，其δ＝0.3ppm。第29頁/共69頁A.烯氫、芳?xì)浣蕴幱谌テ帘螀^(qū)，故信號(hào)在偏低場出峰，δ值29第30頁/共69頁第30頁/共69頁30

B.炔氫：炔氫所受的各向異性效應(yīng)如圖：去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)炔氫處于屏蔽區(qū)，高場，δ值小第31頁/共69頁B.炔氫：炔氫所受的各向異性效應(yīng)如圖：去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)313.常見質(zhì)子的化學(xué)位移烷烴：0.9~1.5烯烴：4.6~5.9炔烴：2.0~3.0芳烴：6.0~8.5鹵代烴（RCH2X）：2.0~4.5醇（R-O-H）：1~5.5醇（R-CH2-OH）：3.4~4酚（Ar-O-H）：4~12醚（RCH2OR）：3.3~4醛（RCHO）：9~10羧酸（RCOOH）：10.5~12第32頁/共69頁3.常見質(zhì)子的化學(xué)位移烷烴：0.9~1.5烯烴：4.6~5.32（三）信號(hào)的積分（信號(hào)峰的高度）

氫核的數(shù)目兩種H核數(shù)比=1∶1三種H核數(shù)比=3∶2∶3第33頁/共69頁（三）信號(hào)的積分（信號(hào)峰的高度）兩種H核數(shù)比=1∶1三種H核33峰面積比=積分曲線高度比=H核數(shù)比對叔丁基甲苯的核磁共振譜a：b：c＝8.8：2.9：3.8

≈9：3：4第34頁/共69頁峰面積比=積分曲線高度比=H核數(shù)比對叔丁基甲苯的核磁34(四)信號(hào)的裂分——相鄰H核的自旋偶合作用1.自旋偶合及自旋裂分相鄰磁核自旋之間的相互干擾作用—自旋偶合。由自旋偶合而引起的吸收峰增多現(xiàn)象—自旋裂分。2.自旋偶合裂分的起因

質(zhì)子自旋可產(chǎn)生小磁場，具有磁矩，（在外磁場中有兩種取向，與H0同向或反向）。這種局部磁場會(huì)影響鄰近質(zhì)子所感受到的外磁場強(qiáng)度。第35頁/共69頁(四)信號(hào)的裂分——相鄰H核的自旋偶合作用1.自旋偶合35Ha裂分成二重峰，強(qiáng)度比1∶1考察Hb對Ha的影響：裂分峰之間的距離—偶合常數(shù)(J),HZ取決于質(zhì)子本身，與H0無關(guān)外磁場感應(yīng)磁場Ha實(shí)際感受磁場第36頁/共69頁Ha裂分成二重峰，強(qiáng)度比1∶1考察Hb對Ha的影響：裂分峰之36Ha裂分成三重峰，強(qiáng)度比1∶2∶1影響程度是2倍

Ha實(shí)際感受磁場第37頁/共69頁Ha裂分成三重峰，強(qiáng)度比1∶2∶1影響程度是2倍Ha實(shí)37Ha裂分成四重峰，強(qiáng)度比1∶3∶3∶1Ha實(shí)際感受磁場影響程度是3倍第38頁/共69頁Ha裂分成四重峰，強(qiáng)度比1∶3∶3∶1Ha實(shí)際感受磁382.自旋偶合裂分規(guī)律（1）質(zhì)子偶合作用通常發(fā)生于鄰近質(zhì)子之間,相鄰碳上的質(zhì)子相互偶合，產(chǎn)生裂分。（2）偶合裂分出的多重峰數(shù)由鄰近質(zhì)子數(shù)決定，若鄰近質(zhì)子數(shù)為n，則偶合的多重峰數(shù)為n+1（3）裂分峰強(qiáng)度比為二項(xiàng)式(a+b)n展開式的系數(shù)比。n=11∶1

二重峰n=21∶2∶1

三重峰n=31∶3∶3∶1

四重峰第39頁/共69頁2.自旋偶合裂分規(guī)律（1）質(zhì)子偶合作用通常發(fā)生于鄰近質(zhì)子之39質(zhì)子信號(hào)峰的裂分與鄰近質(zhì)子的關(guān)系第40頁/共69頁質(zhì)子信號(hào)峰的裂分與鄰近質(zhì)子的關(guān)系第40頁/共69頁40氯乙烷的核磁共振譜第41頁/共69頁氯乙烷的核磁共振譜第41頁/共69頁41三重峰四重峰單重峰CBA第42頁/共69頁三重峰四重峰單重峰CBA第42頁/共69頁42單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ7ppm→苯環(huán)Hδ2.3ppm→烷烴H第43頁/共69頁單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ43單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ7ppm→苯環(huán)Hδ2.3ppm→烷烴H第44頁/共69頁單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ442-丁烯單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ5.3ppm→烯烴Hδ1.5ppm→烷烴H第45頁/共69頁2-丁烯單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H45三、譜圖解析弄清質(zhì)子的化學(xué)位移值，質(zhì)子峰的相對面積，以及質(zhì)子間的偶合情況

。1、各類質(zhì)子的數(shù)目，可通過計(jì)算峰的相對面積之比和化合物中質(zhì)子的總數(shù)求出

2、質(zhì)子偶合關(guān)系的確認(rèn)：n+1規(guī)則

如，某化合物C8H10，積分線的高度之比為8:3.2:4.8,譜圖如下:第46頁/共69頁三、譜圖解析弄清質(zhì)子的化學(xué)位移值，質(zhì)子峰的相對面積，1、各類46C8H10四重峰三重峰單峰積分高度比8：3.2：4.8＝5：2：3單取代苯環(huán)δ7.1ppm→芳H第47頁/共69頁C8H10四重峰三重峰單峰積分高度比8：3.2：4.8＝547ABC乙酸乙酯n+1重峰→n個(gè)鄰近H3組峰→三類Hδ2.0ppm，單峰→C=O影響的CH3的HCH3CO-OCH2CH3δ4.2ppm，四重峰→與O相連CH2的Hδ1.2ppm，三重峰→CH3的Habc第48頁/共69頁ABC乙酸乙酯n+1重峰→n個(gè)鄰近H3組峰→三類Hδ2.048C3H7Br六重峰三重峰三重峰CH3-CH2-CH2-Brδ3.4ppm，三重峰→a類Hδ1.8ppm，六重峰→c類Hδ0.9ppm，三重峰→b類Habc第49頁/共69頁C3H7Br六重峰三重峰三重峰CH3-CH2-CH2-Brδ49例１）給出符合譜圖(a)、(b)、(c)的結(jié)構(gòu),其中:(a)C2H3Br3(a)CH2BrCHBr2只有2類氫a:b=2:1第50頁/共69頁例１）給出符合譜圖(a)、(b)、(c)的結(jié)構(gòu),50(b)CH3CHBr2(b)C2H4Br2b有2類H,a:b=3:1第51頁/共69頁(b)CH3CHBr2(b)C2H4Br2b有2類51(c)C2H5Brc有2類H,a:b=3:2(c)CH3CH2Br第52頁/共69頁(c)C2H5Brc有2類H,(c)CH3CH2Br第552例２）給出符合譜圖的結(jié)構(gòu)：C11H16積分:5:2:9δ7.2ppm,多重峰5H→單取代苯環(huán)δ0.9ppm,單峰9H，→3個(gè)CH3第53頁/共69頁例２）給出符合譜圖的結(jié)構(gòu)：C11H16積分:5:2:9δ53核磁共振總結(jié)1、產(chǎn)生的原理：

2、化學(xué)位移：

3、影響化學(xué)位移的因素：4、自旋偶合及其自旋裂分的規(guī)律：n+1規(guī)則

5、核磁共振給出的信息：

誘導(dǎo)效應(yīng)、共軛效應(yīng)、π電子云的各向異性

1)化學(xué)位移值及信號(hào)的數(shù)目：氫原子種類及氫原子的類型，如δ7～8為芳環(huán)質(zhì)子第54頁/共69頁核磁共振總結(jié)1、產(chǎn)生的原理：2、化學(xué)位移：3、影響化學(xué)位542)質(zhì)子峰的相對面積（積分峰的相對高度）:基礎(chǔ)數(shù)據(jù)是化合物的分子式,由分子式可以了解該化合物的類別:如芳香族化合物、醛、羧酸等；有時(shí)習(xí)題、思考題或考題并不給出NMR譜圖，而是用文字描述某未知化合物的核磁共振特征。3)質(zhì)子間的偶合情況:信號(hào)分裂成幾個(gè)峰,

每種氫原子的數(shù)目提供相鄰質(zhì)子的數(shù)目

6、譜圖解析:第55頁/共69頁2)質(zhì)子峰的相對面積（積分峰的相對高度）:基礎(chǔ)數(shù)據(jù)是化合物的55例：分子式為C7H8O的化合物，其核磁共振譜圖上的δ值分別等于7.3ppm、4.4ppm和3.7ppm處有3個(gè)單峰，積分線上升的高度分別為7、2.9和1.4，判斷該化合物的結(jié)構(gòu).

積分線的高度之比為：7:2.9:1.4=70:29:14=10:4:2=5:2:1

第56頁/共69頁例：分子式為C7H8O的化合物，其核磁共振譜圖上的δ值分別等56*13C核磁共振譜，簡寫為13C-NMR或13CMR

。13C的含量僅占碳同位素的1.069%，共振信號(hào)太弱，因此對13C-NMR的研究比1H-NMR

難。

70年代后，應(yīng)用計(jì)算機(jī)及脈沖Fourier變換技術(shù)，解決了13C靈敏度低的問題，13C譜得到了廣泛應(yīng)用。與1H－NMR

原理相同，一些規(guī)律也類似。用13CMR可測定有機(jī)化合物的碳骨架結(jié)構(gòu)，13CMR幾乎可以分辨出每一個(gè)碳峰。第57頁/共69頁*13C核磁共振譜，簡寫為13C-NMR或13CMR。57①測定有機(jī)物碳骨架結(jié)構(gòu)，尤其是不與氫相連的基團(tuán)，如：C=O，-CN等。13C-NMR:②碳譜的化學(xué)位移范圍寬，200多ppm,氫譜僅幾個(gè)ppm，故能提供更多的結(jié)構(gòu)信息。③采用了質(zhì)子去偶技術(shù)和質(zhì)子偏共振去偶技術(shù)得到的譜圖是線譜，每條線代表一類碳原子。注意：由于采用了質(zhì)子去偶技術(shù)、譜線強(qiáng)度比不能代表產(chǎn)生信號(hào)的碳原子數(shù)之比。第58頁/共69頁①測定有機(jī)物碳骨架結(jié)構(gòu)，尤其是不與氫相連的基團(tuán)，如：C58如：丙酸的13C-NMR123第59頁/共69頁如：丙酸的13C-NMR123第59頁/共69頁59作業(yè)：P932（4）；3；4；6；9.第60頁/共69頁作業(yè)：P93第60頁/共69頁60常用：原子量

X表示各種原子，如（1H、12C）有些原子核有自旋現(xiàn)象（繞自身的軸旋轉(zhuǎn)），常用自旋量子數(shù)I表征。磁核：某些I≠0的核的自旋可產(chǎn)生一個(gè)小磁場，形成磁矩，這種核有磁性，稱為磁核。第61頁/共69頁常用：原子量X表示各種原子，如（1H、12C）有些61第62頁/共69頁第62頁/共69頁62（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移1.化學(xué)位移（δ）（1）屏蔽效應(yīng)：核處于核外電子的包圍之中，在外磁場的作用下，核外電子的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)與外磁場方向相反的感應(yīng)磁場（H’），使磁核實(shí)受磁場有所降低，核外電子的這種作用稱屏蔽效應(yīng)。實(shí)際感受的磁場H=Ho－H’

H=Ho（1－σ）而H’=Hoσ（σ為屏蔽常數(shù)，百萬分之幾）第63頁/共69頁（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移1.化學(xué)位移（δ）（1）屏蔽效應(yīng)：63

B.炔氫：炔氫所受的各向異性效應(yīng)如圖：去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)炔氫處于屏蔽區(qū)，高場，δ值小第64頁/共69頁B.炔氫：炔氫所受的各向異性效應(yīng)如圖：去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)64（三）信號(hào)的積分（信號(hào)峰的高度）

氫核的數(shù)目兩種H核數(shù)比=1∶1三種H核數(shù)比=3∶2∶3第65頁/共69頁（三）信號(hào)的積分（信號(hào)峰的高度）兩種H核數(shù)比=1∶1三種H核65峰面積比=積分曲線高度比=H核數(shù)比對叔丁基甲苯的核磁共振譜a：b：c＝8.8：2.9：3.8

≈9：3：4第66頁/共69頁峰面積比=積分曲線高度比=H核數(shù)比對叔丁基甲苯的核磁66質(zhì)子信號(hào)峰的裂分與鄰近質(zhì)子的關(guān)系第67頁/共69頁質(zhì)子信號(hào)峰的裂分與鄰近質(zhì)子的關(guān)系第67頁/共69頁67如：丙酸的13C-NMR123第68頁/共69頁如：丙酸的13C-NMR123第68頁/共69頁68感謝您的觀賞！第69頁/共69頁感謝您的觀賞！第69頁/共69頁69一、核磁共振基本原理1、原子核及核的自旋原子原子核電子質(zhì)子帶正電荷中子不帶電荷核磁共振：原子核在外加磁場的作用下，吸收電磁波的能量后，從一個(gè)自旋能級(jí)躍遷到另一個(gè)能級(jí)后而產(chǎn)生的波譜。

第1頁/共69頁一、核磁共振基本原理1、原子核及核的自旋原子70常用：原子量

X表示各種原子，如（1H、12C）有些原子核有自旋現(xiàn)象（繞自身的軸旋轉(zhuǎn)），常用自旋量子數(shù)I表征。磁核：某些I≠0的核的自旋可產(chǎn)生一個(gè)小磁場，形成磁矩，這種核有磁性，稱為磁核。第2頁/共69頁常用：原子量X表示各種原子，如（1H、12C）有些71質(zhì)量數(shù)原子序數(shù)自旋量子數(shù)（I）自旋形狀核磁共振訊號(hào)原子核偶數(shù)偶數(shù)0非自旋球體無12C，16O，32S，28Si奇數(shù)偶數(shù)或奇數(shù)1/2，自旋球體有1H，13C，15N，19F，29Si，31P奇數(shù)偶數(shù)或奇數(shù)3/2，5/2…自旋橢圓體有11B，17O，33S，35Cl，37Cl，81Br，

79Br，127I偶數(shù)奇數(shù)1，2，3…自旋橢圓體有2H，10B，14N哪些核有磁性呢？第3頁/共69頁質(zhì)量數(shù)原子序數(shù)自旋量子數(shù)（I）自旋形狀核磁共振訊號(hào)原子核偶數(shù)72

1H占?xì)渫凰氐?9.985%，共振信號(hào)強(qiáng)，應(yīng)用最廣泛。氫核磁共振又稱質(zhì)子核磁共振，簡寫為1H－NMR或PMR

13C的核磁共振，簡寫為13C－NMR或13CMR。13C的含量僅占碳同位素的1.069%，共振信號(hào)太弱，因此對13C－NMR的研究比1H－NMR難。計(jì)算機(jī)對信號(hào)處理上萬次后，疊加得到強(qiáng)信號(hào)。其中I＝1/2的核可當(dāng)作球體，核磁共振信號(hào)簡單I>1的核為橢球體，核磁信號(hào)復(fù)雜。第4頁/共69頁1H占?xì)渫凰氐?9.985%，共振信號(hào)強(qiáng)，應(yīng)用最廣泛。732、核磁共振現(xiàn)象無外磁場有外磁場第5頁/共69頁2、核磁共振現(xiàn)象無外磁場有外磁場第5頁/共69頁74磁核放入磁場強(qiáng)度為Ho的外磁場中，小磁矩將出現(xiàn)兩種取向：與外磁場平行或大體平行；處于低能級(jí)

與外磁場反平行或大體反平行，處于高能級(jí)

α自旋態(tài)

β自旋態(tài)第6頁/共69頁磁核放入磁場強(qiáng)度為Ho的外磁場中，小磁矩將出現(xiàn)兩種取向：與外75γ－核的磁旋比。Ｈ核:γ

＝26750弧度/秒·高斯h－普朗克常數(shù)ΔE是量子化的，且與外加磁場H。成正比

兩種自旋態(tài)的能量差與外磁場強(qiáng)度關(guān)系γhH。2π△E=第7頁/共69頁γ－核的磁旋比。h－普朗克常數(shù)ΔE是量子化的，兩種自旋態(tài)的能76若以電磁波照射，供給自旋核能量△E’

，使：△E’=△E即：磁核發(fā)生能級(jí)躍遷，低能態(tài)的核吸收能量躍遷至高能態(tài)，產(chǎn)生核磁共振現(xiàn)象。即：發(fā)生核磁共振的條件為：例：當(dāng)質(zhì)子感受到的磁場為14092Ｇ時(shí)，發(fā)生核磁共振的頻率為：υ＝26750×14092/2π＝60×106HZ=60MHZ第8頁/共69頁若以電磁波照射，供給自旋核能量△E’，使：△E’=△E77使H0與υ匹配的兩種方法：發(fā)生核磁共振時(shí)，會(huì)在特定的υ或H０下出現(xiàn)信號(hào)，如圖：1.固定H0，逐漸改變?chǔ)浴獟哳l；∨2.固定υ，逐漸改變H0—掃場。第9頁/共69頁使H0與υ匹配的兩種方法：發(fā)生核磁共振時(shí)，會(huì)在特定的υ或H０783、核磁共振儀簡介溶液或液態(tài)的樣品，加入內(nèi)標(biāo)物(TMS)。一般為0.4ml，濃度為0.1~0.5M。為了避免干擾，常用不含氫的溶劑如CCl4、CS2、CCl3F、CF3COCF3等；也可以用氘代有機(jī)溶劑如CDCl3、CD3OD、CD3COCD3等。氘代溶劑昂貴一些，其譜圖中常出現(xiàn)殘存的氫峰樣品的準(zhǔn)備:第10頁/共69頁3、核磁共振儀簡介溶液或液態(tài)的樣品，加入內(nèi)標(biāo)物(TMS)。79第11頁/共69頁第11頁/共69頁80

應(yīng)用范圍：食品、聚合物、石化、醫(yī)藥、生物等行業(yè)

在石化行業(yè)中的應(yīng)用：

1.

石油蒸餾物以及煤的總氫含量測定；

2.

石蠟中的油含量測定；

3.

油品粘度的測定。第12頁/共69頁應(yīng)用范圍：食品、聚合物、石化、醫(yī)藥、生物等行業(yè)

在石化81產(chǎn)生磁場產(chǎn)生固定頻率的電磁輻射波；檢測和放大共振信號(hào)將共振信號(hào)繪制成標(biāo)準(zhǔn)譜圖第13頁/共69頁產(chǎn)生磁場產(chǎn)生固定頻率的電磁輻射波；檢測和放大共振信號(hào)將共振信82（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移1.化學(xué)位移（δ）（1）屏蔽效應(yīng)：核處于核外電子的包圍之中，在外磁場的作用下，核外電子的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)與外磁場方向相反的感應(yīng)磁場（H’），使磁核實(shí)受磁場有所降低，核外電子的這種作用稱屏蔽效應(yīng)。實(shí)際感受的磁場H=Ho－H’

H=Ho（1－σ）而H’=Hoσ（σ為屏蔽常數(shù)，百萬分之幾）第14頁/共69頁（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移1.化學(xué)位移（δ）（1）屏蔽效應(yīng)：83

處于不同化學(xué)環(huán)境的磁核受到不同的屏蔽作用，共振頻率會(huì)有差別：（2）化學(xué)位移的定義：由于電子的屏蔽或去屏蔽引起核磁共振的吸收位置的移動(dòng)（相對于孤立質(zhì)子或裸核），稱做化學(xué)位移，以δ表示。對于質(zhì)子NMR來說，化學(xué)位移的范圍僅為外磁場的百萬分之十左右，但這百萬分之十的差異，確是核磁共振用于結(jié)構(gòu)分析的基礎(chǔ)。υ＝γH。2π(1-σ)第15頁/共69頁處于不同化學(xué)環(huán)境的磁核受到不同的屏蔽作用，共振頻率會(huì)有差84（3）化學(xué)位移的表示：以四甲基硅(CH3)4Si（TMS）作為標(biāo)準(zhǔn)物，將其在NMR譜圖上的位置定為零，某一氫核吸收峰位置與TMS信號(hào)之間的差稱為化學(xué)位移。為了能顯示化學(xué)位移，需要在小范圍內(nèi)變動(dòng)磁場或電磁波的頻率。有兩種辦法，一是掃頻法；二是掃場法。δ值為ppm數(shù)量級(jí)

（掃場法）(H標(biāo)準(zhǔn)－H樣品)H標(biāo)準(zhǔn)×106δ=第16頁/共69頁（3）化學(xué)位移的表示：以四甲基硅(CH3)4Si（TM85如果是掃頻法，則化學(xué)位移表示為：δ＝×106(ppm)υ樣品－υTMSυ０υ樣品—樣品質(zhì)子共振頻率υTMS—TMS質(zhì)子共振頻率υ０—儀器的照射頻率第17頁/共69頁如果是掃頻法，則化學(xué)位移表示為：δ＝86在譜圖上，規(guī)定δ值由右至左遞增。當(dāng)固定υ，改變H0—掃場。譜圖的左方為低場，右方為高場。選TMS作標(biāo)準(zhǔn)物，因Ｈ都等同，只有一個(gè)峰。且電負(fù)性Si＜C，Si具有供電性，甲基的質(zhì)子周圍電子云密度大，信號(hào)峰在高場。二、從1H－NMR譜圖中得到的信息第18頁/共69頁在譜圖上，規(guī)定δ值由右至左遞增。選TMS作標(biāo)準(zhǔn)物，因Ｈ都等同87（一）信號(hào)的種類H核的種類（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移，與H種類有關(guān)（三）信號(hào)的積分（強(qiáng)度）H核的數(shù)目從譜圖中得到如下信息:（四）信號(hào)的裂分相鄰H核之間的自旋偶合作用－－相鄰氫原子的數(shù)量第19頁/共69頁（一）信號(hào)的種類H核的種類（二）信號(hào)的位置化學(xué)位移，與H種類88化學(xué)等價(jià)質(zhì)子：化學(xué)環(huán)境相同的質(zhì)子?；瘜W(xué)位移相同。四種質(zhì)子，四組峰兩種質(zhì)子，兩組峰第20頁/共69頁化學(xué)等價(jià)質(zhì)子：化學(xué)環(huán)境相同的質(zhì)子。四種質(zhì)子，四組峰兩種質(zhì)子，89信號(hào)的種類：3信號(hào)的積分信號(hào)的裂分化學(xué)位移第21頁/共69頁信號(hào)的種類：3信號(hào)的積分信號(hào)的裂分化學(xué)位移第21頁/共69頁902、影響化學(xué)位移的因素(1)誘導(dǎo)效應(yīng)和共軛效應(yīng)

吸電子誘導(dǎo)和吸電子共軛效應(yīng)，使氫核周圍的電子云密度降低，氫核所受屏蔽減弱，共振信號(hào)移向低場，

δ增加。

化學(xué)位移是由于核外電子產(chǎn)生的感應(yīng)磁場引起的（屏蔽或去屏蔽效應(yīng)），使核外電子密度改變的因素都能影響化學(xué)位移。例1:電負(fù)性F＞Cl＞Br＞I第22頁/共69頁2、影響化學(xué)位移的因素(1)誘導(dǎo)效應(yīng)和共軛效應(yīng)91(CH3)4SiCH3ICH3BrCH3ClCH3F02.162.683.054.26δ(ppm)CH3BrCH3CH2BrCH3CH2CH2BrCH3(CH2)5Br2.681.651.040.9δ共軛：高場，δ減小低場，δ增大3.8-4.04.6-5.96.3-6.5

第23頁/共69頁(CH3)4SiCH3ICH3B92（２）碳的雜化狀態(tài)的影響烷烴烯烴炔烴sp3

sp2

sp2.482.753.29電負(fù)性雜化狀態(tài)化學(xué)位移δ(ppm)炔烴氫核的δ值比雙鍵上的質(zhì)子的δ值小，是由于π電子云的各向異性效應(yīng)引起的。

0.9~1.54.6~5.92.0~3.0第24頁/共69頁（２）碳的雜化狀態(tài)的影響烷烴烯烴93(３)π電子云的各向異性效應(yīng)δ0.965.842.87.269~10π電子在外磁場中產(chǎn)生環(huán)流，電子環(huán)流所產(chǎn)生的感應(yīng)磁場，在空間分為兩個(gè)區(qū)域：C:sp3sp2spsp2sp2雙鍵、苯環(huán)、羰基上質(zhì)子δ大，三鍵質(zhì)子的δ小，原因：π電子云屏蔽效應(yīng)在各個(gè)部位不同——各向異性效應(yīng)。CH3

CH2-H

CH2=CH-H

HC≡C-H

C6H5-H

R-CO-H第25頁/共69頁(３)π電子云的各向異性效應(yīng)δ0.9694與外磁場方向相同處于屏蔽區(qū)的質(zhì)子須增大外加磁場的強(qiáng)度才能發(fā)生核磁共振，所以信號(hào)移向高場，δ值小。位于去屏蔽區(qū)的氫，感應(yīng)磁場的方向與外加磁場一致，所以它的信號(hào)出現(xiàn)在低場，δ值比較大。與外磁場方向相反屏蔽區(qū)的H，δ值↓屏蔽區(qū)去屏蔽區(qū)的H，δ值↑去屏蔽區(qū)第26頁/共69頁與外磁場方向相同處于屏蔽區(qū)的質(zhì)子須增大外加磁場的強(qiáng)度才能發(fā)生95苯的各向異性效應(yīng)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)去屏蔽區(qū)芳?xì)涮幱谌テ帘螀^(qū)，低場，δ值大第27頁/共69頁苯的各向異性效應(yīng)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)去屏蔽區(qū)芳?xì)涮幱谌テ帘螀^(qū)，低場，96乙烯的各向異性效應(yīng)去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)烯氫處于去屏蔽區(qū)，低場，δ值大第28頁/共69頁乙烯的各向異性效應(yīng)去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)烯氫處于去屏蔽區(qū)，低場97A.烯氫、芳?xì)浣蕴幱谌テ帘螀^(qū)，故信號(hào)在偏低場出峰，δ值較大。分別為4.6~5.9、６~8.5ppm。

若質(zhì)子處于屏蔽區(qū)，δ值很小.1,4-十烷基撐苯，烷基的第5、6碳上的氫正處于苯環(huán)的上方，受到強(qiáng)烈的屏蔽，其δ＝0.3ppm。第29頁/共69頁A.烯氫、芳?xì)浣蕴幱谌テ帘螀^(qū)，故信號(hào)在偏低場出峰，δ值98第30頁/共69頁第30頁/共69頁99

B.炔氫：炔氫所受的各向異性效應(yīng)如圖：去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)炔氫處于屏蔽區(qū)，高場，δ值小第31頁/共69頁B.炔氫：炔氫所受的各向異性效應(yīng)如圖：去屏蔽區(qū)屏蔽區(qū)1003.常見質(zhì)子的化學(xué)位移烷烴：0.9~1.5烯烴：4.6~5.9炔烴：2.0~3.0芳烴：6.0~8.5鹵代烴（RCH2X）：2.0~4.5醇（R-O-H）：1~5.5醇（R-CH2-OH）：3.4~4酚（Ar-O-H）：4~12醚（RCH2OR）：3.3~4醛（RCHO）：9~10羧酸（RCOOH）：10.5~12第32頁/共69頁3.常見質(zhì)子的化學(xué)位移烷烴：0.9~1.5烯烴：4.6~5.101（三）信號(hào)的積分（信號(hào)峰的高度）

氫核的數(shù)目兩種H核數(shù)比=1∶1三種H核數(shù)比=3∶2∶3第33頁/共69頁（三）信號(hào)的積分（信號(hào)峰的高度）兩種H核數(shù)比=1∶1三種H核102峰面積比=積分曲線高度比=H核數(shù)比對叔丁基甲苯的核磁共振譜a：b：c＝8.8：2.9：3.8

≈9：3：4第34頁/共69頁峰面積比=積分曲線高度比=H核數(shù)比對叔丁基甲苯的核磁103(四)信號(hào)的裂分——相鄰H核的自旋偶合作用1.自旋偶合及自旋裂分相鄰磁核自旋之間的相互干擾作用—自旋偶合。由自旋偶合而引起的吸收峰增多現(xiàn)象—自旋裂分。2.自旋偶合裂分的起因

質(zhì)子自旋可產(chǎn)生小磁場，具有磁矩，（在外磁場中有兩種取向，與H0同向或反向）。這種局部磁場會(huì)影響鄰近質(zhì)子所感受到的外磁場強(qiáng)度。第35頁/共69頁(四)信號(hào)的裂分——相鄰H核的自旋偶合作用1.自旋偶合104Ha裂分成二重峰，強(qiáng)度比1∶1考察Hb對Ha的影響：裂分峰之間的距離—偶合常數(shù)(J),HZ取決于質(zhì)子本身，與H0無關(guān)外磁場感應(yīng)磁場Ha實(shí)際感受磁場第36頁/共69頁Ha裂分成二重峰，強(qiáng)度比1∶1考察Hb對Ha的影響：裂分峰之105Ha裂分成三重峰，強(qiáng)度比1∶2∶1影響程度是2倍

Ha實(shí)際感受磁場第37頁/共69頁Ha裂分成三重峰，強(qiáng)度比1∶2∶1影響程度是2倍Ha實(shí)106Ha裂分成四重峰，強(qiáng)度比1∶3∶3∶1Ha實(shí)際感受磁場影響程度是3倍第38頁/共69頁Ha裂分成四重峰，強(qiáng)度比1∶3∶3∶1Ha實(shí)際感受磁1072.自旋偶合裂分規(guī)律（1）質(zhì)子偶合作用通常發(fā)生于鄰近質(zhì)子之間,相鄰碳上的質(zhì)子相互偶合，產(chǎn)生裂分。（2）偶合裂分出的多重峰數(shù)由鄰近質(zhì)子數(shù)決定，若鄰近質(zhì)子數(shù)為n，則偶合的多重峰數(shù)為n+1（3）裂分峰強(qiáng)度比為二項(xiàng)式(a+b)n展開式的系數(shù)比。n=11∶1

二重峰n=21∶2∶1

三重峰n=31∶3∶3∶1

四重峰第39頁/共69頁2.自旋偶合裂分規(guī)律（1）質(zhì)子偶合作用通常發(fā)生于鄰近質(zhì)子之108質(zhì)子信號(hào)峰的裂分與鄰近質(zhì)子的關(guān)系第40頁/共69頁質(zhì)子信號(hào)峰的裂分與鄰近質(zhì)子的關(guān)系第40頁/共69頁109氯乙烷的核磁共振譜第41頁/共69頁氯乙烷的核磁共振譜第41頁/共69頁110三重峰四重峰單重峰CBA第42頁/共69頁三重峰四重峰單重峰CBA第42頁/共69頁111單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ7ppm→苯環(huán)Hδ2.3ppm→烷烴H第43頁/共69頁單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ112單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ7ppm→苯環(huán)Hδ2.3ppm→烷烴H第44頁/共69頁單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ1132-丁烯單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H數(shù)比δ5.3ppm→烯烴Hδ1.5ppm→烷烴H第45頁/共69頁2-丁烯單重峰→無鄰近H偶合2組峰→兩類H積分高度比→兩類H114三、譜圖解析弄清質(zhì)子的化學(xué)位移值，質(zhì)子峰的相對面積，以及質(zhì)子間的偶合情況

。1、各類質(zhì)子的數(shù)目，可通過計(jì)算峰的相對面積之比和化合物中質(zhì)子的總數(shù)求出

2、質(zhì)子偶合關(guān)系的確認(rèn)：n+1規(guī)則

如，某化合物C8H10，積分線的高度之比為8:3.2:4.8,譜圖如下:第46頁/共69頁三、譜圖解析弄清質(zhì)子的化學(xué)位移值，質(zhì)子峰的相對面積，1、各類115C8H10四重峰三重峰單峰積分高度比8：3.2：4.8＝5：2：3單取代苯環(huán)δ7.1ppm→芳H第47頁/共69頁C8H10四重峰三重峰單峰積分高度比8：3.2：4.8＝5116ABC乙酸乙酯n+1重峰→n個(gè)鄰近H3組峰→三類Hδ2.0ppm，單峰→C=O影響的CH3的HCH3CO-OCH2CH3δ4.2ppm，四重峰→與O相連CH2的Hδ1.2ppm，三重峰→CH3的Habc第48頁/共69頁ABC乙酸乙酯n+1重峰→n個(gè)鄰近H3組峰→三類Hδ2.0117C3H7Br六重峰三重峰三重峰CH3-CH2-CH2-Brδ3.4ppm，三重峰→a類Hδ1.8ppm，六重峰→c類Hδ0.9ppm，三重峰→b類Habc第49頁/共69頁C3H7Br六重峰三重峰三重峰CH3-CH2-CH2-Brδ118例１）給出符合譜圖(a)、(b)、(c)的結(jié)構(gòu),其中:(a)C2H3Br3(a)CH2BrCHBr2只有2類氫a:b=2:1第50頁/共69頁例１）給出符合譜圖(a)、(b)、(c)的結(jié)構(gòu),119(b)CH3CHBr2(b)C2H4Br2b有2類H,a:b=3:1第51頁/共69頁(b)CH3CHBr2(b)C2H4Br2b有2類120(c)C2H5Brc有2類H,a:b=3:2(c)CH3CH2Br第52頁/共69頁(c)C2H5Brc有2類H,(c)CH3CH2Br第5121例２）給出符合譜圖的結(jié)構(gòu)：C11H16積分:5:2:9δ7.2ppm,多重峰5H→單取代苯環(huán)δ0.9ppm,單峰9H，→3個(gè)CH3第53頁/共69頁例２）給出符合譜圖的結(jié)構(gòu)：C11H16積分:5:2:9δ122核磁共振總結(jié)1、產(chǎn)生的原理：

2、化學(xué)位移：

3、影響化學(xué)位移的因素：4、自旋偶合及其自旋裂分的規(guī)律：n+1規(guī)則

5、核磁共振給出的