電子器件制造業(yè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系編制說(shuō)明

10/17電子器件〔半導(dǎo)體芯片〕制造業(yè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系編制說(shuō)明指標(biāo)體系制定的主要產(chǎn)業(yè)政策介紹90形式的合作。19974月，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局制定并公布了《關(guān)于推行清潔生產(chǎn)中，以便更深入地促進(jìn)清潔生產(chǎn)。19952022年兩次修訂公布的《中華人民共2022629日，第202211日起實(shí)施。從今，清潔生產(chǎn)有了特地的法律保障。為貫徹落實(shí)《清潔生產(chǎn)促進(jìn)法2022，2022，20223批《國(guó)家重點(diǎn)行業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)導(dǎo)向名目金、石化、化工、輕工、紡織、機(jī)械、有色金屬、建材、電力、煤炭，半導(dǎo)體等141有重要的現(xiàn)實(shí)意義。保護(hù)部也已經(jīng)或正在組織制定一系列清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，其中一些雖涉及到電子行部長(zhǎng)在《加快產(chǎn)業(yè)構(gòu)造調(diào)整推開工業(yè)節(jié)能減排》署名文章中明確指出：“要件，使企業(yè)承受優(yōu)化技術(shù)，滿足清潔生產(chǎn)審核要求，并到達(dá)排放要求。爭(zhēng)辯、制定電子器件行業(yè)的清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系。半導(dǎo)體行業(yè)概況27001倍。報(bào)道稱我國(guó)將連續(xù)通過“極大規(guī)模集成電育成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)。對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)加大投入的同時(shí)2022年國(guó)家進(jìn)展和改革委員會(huì)第21號(hào)令公布了《產(chǎn)業(yè)構(gòu)造調(diào)整指導(dǎo)名目2022年本〔2022年修正28家鼓舞進(jìn)展的優(yōu)先產(chǎn)業(yè)。我國(guó)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)概況目前我國(guó)大陸及臺(tái)灣地區(qū)8英寸及12英寸半導(dǎo)體廠商及生產(chǎn)力量見表1和表2。表1 8英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及產(chǎn)能表1 12英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及產(chǎn)能我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進(jìn)展推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)展的技術(shù)因素總體上說(shuō)有兩個(gè)一是芯片尺寸的縮小已經(jīng)實(shí)現(xiàn)1->0.5->0.35->0.25->0.18->0.13->0.11->0.09um 65->45->32->22nm挺進(jìn)；二是晶圓尺寸不斷擴(kuò)大，已從100->125->150->200->300mm400mm過渡。據(jù)我們收集到的資料來(lái)看，目前全球已建、在建和擬建的300mm晶圓廠約為40座，根本上分布在美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，歐洲、日本、韓國(guó)、加坡各地。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由西向東從美國(guó)-歐洲/日本-韓國(guó)/臺(tái)灣-中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，國(guó)存在較大差距。此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又是我國(guó)必需進(jìn)展的產(chǎn)業(yè)，必需進(jìn)展投資。理安排，使其科學(xué)爭(zhēng)辯產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。以有重大的成果。我國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)展趨勢(shì)提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)水平在電子產(chǎn)品批量上市以前，首先必需保證可以生產(chǎn)并有適當(dāng)?shù)某善仿?。設(shè)高成功接觸的概率改進(jìn)原料和能源首先，應(yīng)嚴(yán)格材料的純度和粒子，削減雜質(zhì)和粒子的引入。如半導(dǎo)體器件生CO等非金屬雜質(zhì)元素的濃度。其次，對(duì)進(jìn)廠元器件或半成品投入生產(chǎn)前進(jìn)展各種溫度、檢漏、振動(dòng)、高壓超純氣體、化學(xué)試劑等純度的準(zhǔn)時(shí)監(jiān)測(cè)。優(yōu)化生產(chǎn)工藝配、檢驗(yàn)、技術(shù)裝備等制定相應(yīng)的生產(chǎn)工藝。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝中，產(chǎn)品的牢靠30伏以上的元器件；免清洗技術(shù)適用于生產(chǎn)批量大且元器件方式是承受靜止的水槽，定期將第一級(jí)回收槽的水全部拿去回收或補(bǔ)充鍍槽液，其次、第三級(jí)槽的水分別依次放入第一、其次級(jí)槽中，第三級(jí)參加的水；多級(jí)出。水質(zhì)的把握。產(chǎn)品生產(chǎn)過程中多數(shù)需用超純水清洗工序，而且清洗次數(shù)多，等，降低COD是當(dāng)前和今后的最大難點(diǎn)。另外，還必需提高工序力量，盡可能加大允許的工藝參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)范圍，盡量削減工藝參數(shù)分布偏差。如重點(diǎn)解決壓焊、粘片等工序的工藝標(biāo)準(zhǔn)，提高其工序力量指數(shù)，從而提高成品率。嚴(yán)格過程把握面：5％以下的成品率損失是由人和環(huán)境造成的。超凈工藝環(huán)境因素主要包括空氣干凈產(chǎn)過程中廢品產(chǎn)生量大的工位選擇適當(dāng)?shù)年P(guān)鍵點(diǎn)進(jìn)展檢測(cè)，準(zhǔn)時(shí)實(shí)行半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝及污染把握技術(shù)調(diào)查分析半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝分立器件制造工藝NPN三極管流程如上圖主要工藝有：氧化、光刻、埋層集中、N型外延、隔離集中、基區(qū)集中、放射區(qū)集中、Al金屬化、CVD鈍化層等步驟。半導(dǎo)體芯片制造工藝功能設(shè)計(jì)不同，視需要重復(fù)操作。圖1 半導(dǎo)體芯片制造工藝根本流程封裝工藝的一系列步驟。在沖切中，用激光或金剛石鋸將單個(gè)芯片〔或模片〕從晶片上分別。然后通過錫焊或使用環(huán)氧樹脂將金屬構(gòu)造〔如鉛〕裱到芯片上。用混合溶劑或萜烴進(jìn)展清洗。下一步是引線接合〔插腳，使芯片的金屬化局部與封裝或框子部件的連外來(lái)研磨后的晶片清洗氧化均膠光刻顯影濕法/干法刻蝕集中、離子注入化學(xué)氣相沉淀〔CVD〕化學(xué)機(jī)械拋光〔CMP〕金屬化等。圖2 半導(dǎo)體封裝工藝根本流程產(chǎn)污分析特征。廢液污染來(lái)源與污染特性芯片、去光刻較及蝕刻等程序所排出的廢液，如圖1所示。各股廢液來(lái)源及其所包含的污染化學(xué)物說(shuō)明如表3所示。工藝產(chǎn)生的污染物依產(chǎn)品差異而有同，包括鍍錫鉛、鍍鎳、鍍銀等，封裝工藝各節(jié)點(diǎn)廢液污染物可能來(lái)源見圖2。各股廢液來(lái)源及其所包含的污染化學(xué)物說(shuō)明如表4所示。第擴(kuò)點(diǎn)一層光刻〔散爐〔集中、區(qū)光阻、蝕刻P離、區(qū)子清光注洗阻入〕、〕清洗圓晶初成品氯化爐〔清洗圓晶初成品氯化爐〔初步氧化〕蝕刻、清洗〕其次層光刻〔閘區(qū)及接氧化爐〔閘區(qū)氧化〕阻、蝕刻、清洗〕第三層光刻〔接觸區(qū)光濺鍍機(jī)〔金屬化、CVD蝕第刻、清洗〕四層光刻〔接線光阻、圓晶成品〕清酸廢去光廢去光廢去光廢去光洗堿液光阻液光阻液光阻液光阻廢液、阻液、阻液、阻液、阻液液蝕廢、蝕廢、蝕廢、蝕廢、廢、 刻液清 廢洗 液

刻液 蝕廢、 刻液清 廢洗 液

刻液 蝕廢、 刻液清 廢洗 液

刻液 蝕廢、 刻液清 廢洗 液符號(hào)說(shuō)明：：連續(xù)性排放廢液：定期性排放廢液圖1半導(dǎo)體芯片制造過程中廢液污染物可能來(lái)源廢液種類 有毒有害物質(zhì)晶片清洗廢液 硫酸、雙氧水、氫氟酸、氫氧化銨、鹽酸去光阻廢液 二甲苯、乙酸丁酯、甲苯廢液種類 有毒有害物質(zhì)晶片清洗廢液 硫酸、雙氧水、氫氟酸、氫氧化銨、鹽酸去光阻廢液 二甲苯、乙酸丁酯、甲苯濕式蝕刻廢液 氫氟酸、氟化銨、硝酸、雙氧水、鹽酸、硫酸、醋酸、磷酸、氫溴酸、鋁、硅洗爐管廢液 氫氟酸純水設(shè)備再生廢液 氫氧化鈉、鹽酸、硫酸晶晶晶打印去導(dǎo)浸清成包電圓圓片磨碼筋線錫洗品裝子成切粘/封打電測(cè)產(chǎn)品割附膠彎鍍?cè)嚻非醒须娊甯钅ュ冨a洗廢廢廢廢廢液液液液液符號(hào)說(shuō)明：圖2半導(dǎo)體封裝過程中廢液污染物可能來(lái)源 ：連續(xù)性排放廢液廢液種類切割/研磨廢液電鍍廢液廢液種類切割/研磨廢液電鍍廢液浸錫廢液清洗廢液純水設(shè)備再生廢液有毒有害物質(zhì)含矽晶粉末，污染物質(zhì)為SS電鍍前脫脂過程用到的有機(jī)物〔油脂，SS，COD和螯合劑〕，Cu2+，Ni2+,Zn2+,Pb2+,Ag2+，氰化物，氟化物等助焊劑硫酸，硝酸，雙氧水，醋酸，磷酸氫氧化鈉、鹽酸、硫酸廢氣污染來(lái)源與污染特性半導(dǎo)體生產(chǎn)管在硅晶圓、半導(dǎo)體芯片制造，或是半導(dǎo)體芯片封裝，其生產(chǎn)氣污染呈現(xiàn)少但種類繁多的特性。晶圓及半導(dǎo)體芯片制造過程中幾乎每個(gè)步驟都分別使用各式各樣的酸堿物連續(xù)排放。圖3中說(shuō)明晶圓及半導(dǎo)體芯片制程中可能的污染源及其排放污染物。圓晶初成品爐〔初步氧化圓晶初成品爐〔初步氧化〕、清洗〕層光刻〔爐〔集中、光阻、蝕刻層光刻〔閘區(qū)及接爐〔閘區(qū)氧化〕蝕刻、清洗〕層光刻〔接觸區(qū)光機(jī)〔金屬化、CVD、清洗〕層光刻〔接線光阻、圓晶成品〕清氯蝕第擴(kuò)點(diǎn)第氧阻第濺蝕第洗化刻一散區(qū)二化、三鍍刻四P離、區(qū)子清光注洗阻入〕、〕VOCs毒酸酸VOCs毒酸酸VOCs毒酸酸VOCs毒酸 VOCs性堿堿性堿堿性堿堿性堿氣廢廢氣廢廢氣廢廢氣廢體氣氣體氣氣體氣氣體氣符號(hào)說(shuō)明：：連續(xù)性排放廢氣：定期性排放廢氣VOCs：揮發(fā)性有機(jī)物圖3半導(dǎo)體芯片制造過程中廢氣污染物可能來(lái)源晶晶晶打印去導(dǎo)浸清成包電圓圓片磨碼筋線錫洗品裝子成切粘/封打電測(cè)產(chǎn)品割附膠彎鍍?cè)嚻匪徨aVOs堿煙氣廢氣符號(hào)說(shuō)明：：連續(xù)性排放廢液VOCs：揮發(fā)性有機(jī)物圖4半導(dǎo)體芯片封裝過程中廢氣污染物可能來(lái)源半導(dǎo)體生產(chǎn)隨著其制程使用同的化學(xué)物質(zhì)，所產(chǎn)生的空氣污染物種類與特性亦一樣，可歸納為酸堿廢氣、有機(jī)溶劑散蒸氣、特別毒性及燃燒性氣體，5為半導(dǎo)體生產(chǎn)過程所產(chǎn)生的空氣污染物種類與成份。針對(duì)有毒氣體處需因應(yīng)各單元所排放的毒氣特性，結(jié)合多種同型式毒氣處方法及設(shè)備，階段性地處各種同特性毒性氣體物質(zhì)，以確保處效，包裝生產(chǎn)線員工的身體安康及生命安全。廢氣種類污染物成份廢氣種類污染物成份污染源〔工藝〕酸堿廢氣 酸氣：HF、HCl、HNO3、H2SO4、CH3COOH、H3PO4、氧化、光H2Cr2O7堿氣：NH3、NaOH揮發(fā)性有機(jī)物〔VOCs〕刻、蝕刻、反響爐〔氧化爐、集中爐〕后的清洗、CVD二氯甲烷〔CH2Cl2〕、氯仿〔CHCl3〕、丁酮、甲苯、光阻液清乙本、丙酮、苯、二甲苯、乙酸丁酯、三氯乙烷、異丙洗、顯影液去除、蝕刻液去除、晶丁基苯4-甲基-2戊酮[〔CH〕CHCHCOCH]、Trans-D3 223半導(dǎo)體芯片horoethene圓清洗毒性氣體AsH3PH3SiH4BHBH2 6 4 10P2O5SiF4CC14、氧化、光HBr、BFA1C1BOAsO、BCl332 52 33、POC1、刻、蝕刻、3Cl2、HCN、SiH2Cl2燃燒氣體SiH4、AsH3、PH3、BF、H2、SiH2Cl23集中、CVD注入離子注入、CVD指標(biāo)體系狀況簡(jiǎn)介電子器件清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系專業(yè)類別劃分狀況由于電子器件制造業(yè)各產(chǎn)品生產(chǎn)工藝差異較大，生產(chǎn)過程環(huán)境污染程度也不故優(yōu)先制定《電子器件〔半導(dǎo)體芯片〕范圍：擴(kuò)改建工程環(huán)境影響評(píng)價(jià)、建工程審批核準(zhǔn)；企業(yè)環(huán)保核查、節(jié)能評(píng)估等。本指標(biāo)體系適應(yīng)的半導(dǎo)體芯片制造包括集成電路芯片制造，分立器件芯片制造和薄膜晶體管液晶顯示器〔TFT-LCD〕制造。指標(biāo)體系制定原則則表達(dá)在如下幾個(gè)方面：符合清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)編制要求的原則。清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)依據(jù)國(guó)家現(xiàn)行通用〔生產(chǎn)工藝裝備及技術(shù)、生產(chǎn)治理指標(biāo)，綜合考慮電子器件產(chǎn)品生產(chǎn)實(shí)際，指標(biāo)承受定性、定量相結(jié)合的方式。取到生產(chǎn)過程和產(chǎn)品的處理處置的各個(gè)環(huán)節(jié)。產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。并確定了相應(yīng)的清潔生產(chǎn)分級(jí)。潔生產(chǎn)企業(yè)的績(jī)效評(píng)定和企業(yè)清潔生產(chǎn)績(jī)效公告制度的需要。與現(xiàn)行治理制度相結(jié)合的原則。充分考慮電子器件產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特〔相結(jié)合，以環(huán)境保護(hù)為重點(diǎn)，作為污染預(yù)防戰(zhàn)略的技術(shù)支持。指標(biāo)體系參考資料〔國(guó)家環(huán)科院清潔生產(chǎn)與循環(huán)經(jīng)濟(jì)爭(zhēng)辯中心，2022年4月?！仓腥A人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部，工信部節(jié)［2022］218號(hào)；《清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系編制通則〔試行稿〔和信息化部公告，2022年第33號(hào)〕《產(chǎn)業(yè)構(gòu)造調(diào)整指導(dǎo)名目2022年本2022年修正會(huì)令第21號(hào)《電子電氣產(chǎn)品清潔生產(chǎn)技術(shù)指南 器件》SJ/ZXXXX-XXXX《清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn) 集成電路芯片制造業(yè)》HJ/TXXXX-XXXX《清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn) 光電子器件制造業(yè)》HJ/TXXXX-XXXX《清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn) TFT-LCD件制造業(yè)》HJ/TXXXX-XXXX《電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》GB/TXXXX-XXXX指標(biāo)體系編制指導(dǎo)思想〔半導(dǎo)體芯片〕行業(yè)清潔生產(chǎn)標(biāo)〔半導(dǎo)體芯片〕行業(yè)將來(lái)的進(jìn)展趨勢(shì)等信息內(nèi)容。指標(biāo)體系據(jù)簡(jiǎn)潔獲得等因素，使編制的指標(biāo)體系具有可操作性。指標(biāo)體系框架確實(shí)立本指標(biāo)體系評(píng)價(jià)指標(biāo)體系框架確實(shí)立，主要依據(jù)《我國(guó)清潔生產(chǎn)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)整〔試行稿》兩個(gè)文件，并結(jié)合成果予以確定。指標(biāo)選取指標(biāo)分類特點(diǎn)的根底上，承受清洗工藝，VOC和ODS物質(zhì)處理設(shè)備及技術(shù)先進(jìn)性等。資源能源消耗指標(biāo)為行業(yè)常用的經(jīng)濟(jì)指標(biāo)。該指標(biāo)目的是促進(jìn)企業(yè)承受節(jié)用量等指標(biāo)。標(biāo)。汞，氰化物，氨氮，COD和ODS物質(zhì)等工藝把握指標(biāo)參數(shù)。品中限用有害物質(zhì)含量和產(chǎn)品包裝材料相關(guān)指標(biāo)參數(shù)。環(huán)境信息公開等。英寸及以下芯片產(chǎn)品的平均光刻層20層以下；2〕8英寸芯片芯片產(chǎn)品的平均光刻層30層以下；3〕12英寸芯片芯片產(chǎn)品的平均光刻層50層以下。指標(biāo)基準(zhǔn)值確實(shí)定級(jí)基準(zhǔn)值。長(zhǎng)不應(yīng)超過5年。權(quán)重分值確實(shí)定清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)的權(quán)重值反映了該指標(biāo)在整個(gè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系中響程度大小及其實(shí)施的難易程度來(lái)確定的。一級(jí)指標(biāo)的權(quán)重集，， 二，指標(biāo)的權(quán)重集。其中，。也就是一級(jí)指標(biāo)的權(quán)重之和為1，每個(gè)一級(jí)指標(biāo)下的二級(jí)指標(biāo)權(quán)重之和為1。關(guān)于最正確可行技術(shù)〔BAT〕的說(shuō)明整體上削減對(duì)環(huán)境的影響。最正確可行技術(shù)為制定排放限值供給了根底，代表了污染防治技術(shù)、工藝和相承受此種技術(shù)可以使得向整個(gè)環(huán)境中的排放量到達(dá)最小。同時(shí)也包括相關(guān)的運(yùn)行治理技術(shù)。經(jīng)濟(jì)合理。