離子注入機(jī)助力高效電池提效降本

CONTENTSPART01關(guān)于PART

02產(chǎn)品和技術(shù)PART

03企業(yè)文化PART

04展望未來(lái)PART

05們3PART

01關(guān)于About

Us4公司概述凱世通半導(dǎo)體，2009年4月在張江成立，由

“計(jì)劃”入選獲得者及國(guó)家特聘 ——入設(shè)備 創(chuàng)立。公司 資本5000萬(wàn)博士為首的五位世界一流離子注，主要研制、生產(chǎn)、再制造和銷售國(guó)際領(lǐng)先高端離子注入機(jī)，重點(diǎn)應(yīng)用于光伏 能電池，OLED平板顯示，和半導(dǎo)體集成電路領(lǐng)域。*5管理團(tuán)隊(duì)五位世界一流離子注入機(jī)超過(guò)100年世界名企的工作經(jīng)驗(yàn)離子注入機(jī)行業(yè)成功的創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗(yàn)價(jià)值觀相同，專注于離子注入機(jī)勤儉創(chuàng)業(yè)、全力以赴、以身作則*6成員博士博士是國(guó)際離浙江大學(xué)熱能系

,

哥倫比亞大學(xué)應(yīng)用物理學(xué)博士。子注入技術(shù)終生常務(wù)理事，被公認(rèn)為行業(yè)內(nèi)最有技術(shù)創(chuàng)意的領(lǐng)

物和國(guó)，他曾以著者或合著者的

15篇，擁有16際級(jí)的離子注入設(shè)備項(xiàng)

專利。他在2009年帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)由回國(guó)創(chuàng)辦

凱世通半導(dǎo)體公司，經(jīng)過(guò)潛心研究，以獨(dú)特的創(chuàng)新技術(shù)和制造高端的集成電路和

能先進(jìn)設(shè)備，并以自己在國(guó)際上的聲譽(yù)引進(jìn)了上億元的國(guó)外研發(fā)開(kāi)發(fā)，目標(biāo)是

大規(guī)模制造國(guó)際一流水平的高端半導(dǎo)體設(shè)備。1999.12009.42015.121999年1月至2008年8月任Advanced

Ion

Beam

Technology副

、首席技術(shù)官。Inc.2009年4月至2015年12月任通半導(dǎo)體

總經(jīng)理。凱世2015年12月至今任

凱世通半導(dǎo)體董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理，三年。*7成員Jeffery

Boeker博士獲得

大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)

和法學(xué)博士(J.D.)控

領(lǐng)域有15年以上研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，專長(zhǎng)于自動(dòng)化控制和，在半導(dǎo)體設(shè)備自，曾主導(dǎo)研發(fā)用于OLED封裝的關(guān)鍵設(shè)備和集成電路用大型離子注入機(jī)。2009年至今任

凱世通半導(dǎo)體

董事和副總經(jīng)理。擁有英國(guó)圣安德博士大學(xué)物理學(xué)博士。曾任

國(guó)家研究員，并擔(dān)任國(guó)家光電設(shè)備課題主要

，20多年研究和開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)。曾主導(dǎo)整個(gè)

能離子注入機(jī)的開(kāi)發(fā)，提出創(chuàng)新性的雙離子源技術(shù)和簾狀的寬幅離子束流傳輸系

統(tǒng)，2009年至今任

凱世通半導(dǎo)體

董事并出任公司副總經(jīng)理、*財(cái)務(wù)。8成員博士化工學(xué)士，

明尼蘇達(dá)大學(xué)化學(xué)博士

。曾任職于

道康寧公I(xiàn)n

公司，任工程技術(shù)部經(jīng)理。在硅材料及半導(dǎo)體封裝材料方面有司，很深的造詣。Donald

Berrian

博士擁有

普林斯頓大學(xué)半導(dǎo)體器件物理學(xué)博士

和羅

大學(xué)電氣工程學(xué)士。有超過(guò)40年的頂尖離子注入設(shè)備設(shè)計(jì)研發(fā)經(jīng)驗(yàn)。曾在Varian、Eaton、AIBT等企業(yè)成功開(kāi)發(fā)過(guò)多款享譽(yù)全球的離子注入設(shè)備。主導(dǎo)設(shè)計(jì)E220/500等設(shè)備，全球銷量最高的離子注入機(jī)。*920092017公司成立發(fā)展歷程伙伴增資1億新品研發(fā)成功離子注入機(jī)量產(chǎn)公司掛牌成功20112016iPV-3000發(fā)布2019建成臨港IPO*10*11企業(yè)資質(zhì)*12企業(yè)專利技術(shù)，并且另有幾十件申請(qǐng)截止至2017年7月，已有近80余項(xiàng)專利申請(qǐng)獲得在

中。凱世通半導(dǎo)體新品iPV-3000榮獲第中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)銀獎(jiǎng)SILVER

AWARDPART

02產(chǎn)品和技術(shù)Product

&

Technology14iPV-3000主要產(chǎn)品第三代光伏離子注入設(shè)備維持皮帶水平傳送硅片和固態(tài)磷離子源改進(jìn)的大束流離子源，束流提升

40%，增加圖案化注入摻雜功能，產(chǎn)能>3000WPH。凱世通光伏離子注入機(jī)已開(kāi)發(fā)出第三代系列產(chǎn)品。iPV-3000具有高產(chǎn)能、低成本、兼容性強(qiáng)等特點(diǎn)，使離子注入機(jī)完全滿足現(xiàn)代及將來(lái)光伏量產(chǎn)設(shè)備的要求，諸如大尺寸、薄片化等。*15光伏離子注入機(jī)對(duì)比設(shè)備型號(hào)凱世通iPV-3000競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手價(jià)格產(chǎn)能3000WPH2400WPH磷源固態(tài)磷源，0.3分/片（RMB）低壓磷烷，3.4分/片（RMB）傳送方式單向皮帶水平傳送，無(wú)機(jī)械接觸托盤(pán)，水平加垂直傳送；大量快速機(jī)械接觸圖案化注入功能具備，硅片自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)技術(shù)NA兼容各種尺寸硅片可以快速兼容，無(wú)需更換任何零部件需要更換托盤(pán)，重新校準(zhǔn)自動(dòng)化是否兼容薄片/IBC可以無(wú)法適應(yīng)薄片，碎片率高*162009201020112012201320142015長(zhǎng)離子源其他產(chǎn)品FinFET

IMP

Optima-HDAMOLED

IMPE500再制造Ion

Solar

IMPiPV-2000

IMP低能機(jī)構(gòu)1720162017*18主要技術(shù)系統(tǒng)工藝產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)離子注入機(jī)行業(yè)

者全球TOP1光伏離子注入機(jī)，高效N型，P型電池片適用可控性注入劑量和深度可控，實(shí)現(xiàn)摻雜表面濃度和結(jié)型的精確控制。方向性離子束流的方向性，保證了摻雜的單面性。無(wú)需掩模，簡(jiǎn)化了工藝步驟。均勻性高均勻性簾狀束流，實(shí)現(xiàn)硅片內(nèi)摻雜均勻性<2%。低成本采用固態(tài)磷作為摻雜源，相當(dāng)于氣態(tài)磷烷成本的10%，摻雜成本和傳統(tǒng)擴(kuò)散相當(dāng)并提升安全性。技術(shù)特點(diǎn)高密度RF離子源。獨(dú)創(chuàng)天線結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的電場(chǎng)布置，實(shí)現(xiàn)大密度高均勻性簾狀束流，線性束流密度可達(dá)5.0mA/cm。高效硅片傳送系統(tǒng)。用花籃和皮帶進(jìn)行硅片承載和傳送，無(wú)需靜電或真空吸附，避免硅片損傷或碎片。完全兼容不同硅片尺寸（

156.75~161.75mm)和厚度(120~180μm)。圖案化注入功能。硅片自對(duì)準(zhǔn)設(shè)計(jì)，保證對(duì)位精度。Mask結(jié)合雙離子源完成圖案化注入摻雜。設(shè)備自動(dòng)化。増加高精度Robot實(shí)現(xiàn)花籃的自動(dòng)進(jìn)出LL及軟著陸式提放，最大限度保證設(shè)備設(shè)計(jì)產(chǎn)能的穩(wěn)定

。減少配置。20系統(tǒng)符合半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)范。通過(guò)可視化圖形界面，控制系統(tǒng)可監(jiān)測(cè)離子注入過(guò)程中的參數(shù)以及設(shè)備的各項(xiàng)參數(shù)。建立自動(dòng)控制流程、生產(chǎn)計(jì)劃、系統(tǒng)、晶片注入數(shù)據(jù)記錄。觸控屏幕，人性化設(shè)計(jì)，操作簡(jiǎn)單直觀。21離子注入機(jī)在N型電池中的應(yīng)用22背場(chǎng)磷注入摻雜，實(shí)現(xiàn)摻雜濃度和結(jié)型的精準(zhǔn)控制可實(shí)現(xiàn)全背場(chǎng)或圖案化背場(chǎng)硼注入p-poly摻雜，磷注入n-poly摻雜低能量大束流注入控制摻雜深度圖案化注入一步完成emitter和BSF的不同區(qū)域注入摻雜nPERT22%TOPCon22.5%IBC>23%圖案化注入摻雜形成正面n++選擇性發(fā)射極。選擇性發(fā)射極提高PERC電池效率0.3以上。

產(chǎn)線結(jié)合離子注入設(shè)備兼容型IBC電池工藝，技術(shù)升級(jí)無(wú)需更換設(shè)備。23離子注入在P型PERC電池中的應(yīng)用PERC電池選擇性發(fā)射極工藝對(duì)比工藝步驟所需設(shè)備效率增益磷擴(kuò)散局部激光推進(jìn)去PSG退火氧化磷擴(kuò)散爐激光設(shè)備~

0.2>0.3選擇性注入注入后退火氧化離子注入機(jī)槽式

機(jī)擴(kuò)散工藝注入工藝24實(shí)證平臺(tái)運(yùn)行數(shù)據(jù)25圖案化注入雙離子源設(shè)計(jì)兼容性強(qiáng)高產(chǎn)能、低成本硅片自對(duì)準(zhǔn)工藝保證對(duì)準(zhǔn)精度，結(jié)合雙離子源實(shí)現(xiàn)圖案化注入。保證設(shè)備高uptime。根據(jù)客戶需求，2個(gè)離子源可采用不同的摻雜源，一步實(shí)現(xiàn)p型和n型不同區(qū)域的摻雜。傳送方式簡(jiǎn)單。無(wú)需修改任何硬件，完全兼容不同硅片厚度（120-180μm）

和尺寸(156.75~161.75m)。高密度束流系統(tǒng)，束流密度>4.0mA/cm,實(shí)現(xiàn)設(shè)備產(chǎn)能>3000WPH。采用固態(tài)磷作為摻雜源，摻雜成本0.3分/片(RMB)。iPV離子注入機(jī)在客戶端已實(shí)現(xiàn)電池片量產(chǎn)?？蛻粢褜?shí)現(xiàn)nPERT電池效率22%以上、60片組件功率310W以上，IBC電池效率突破23%。的優(yōu)勢(shì)本土制造與服務(wù)全面質(zhì)量管理生產(chǎn)，快速售前售后響應(yīng)機(jī)制。*26合作伙伴蘇州中來(lái)光伏新材英利綠色能源TempressAmtechGroup晶澳（揚(yáng)州）能科技協(xié)鑫新能源*27PART

03企業(yè)文化Corporate

Culture28*公司文化1

公平2

正直3

創(chuàng)新4

進(jìn)取29品牌價(jià)值品牌和團(tuán)隊(duì)，中國(guó)制造并創(chuàng)新。30PART

04展望未來(lái)Look

Ahead31大力發(fā)展光伏離子注入機(jī)OLED、集成電路等領(lǐng)域全面發(fā)展2019實(shí)現(xiàn)主板IPO上市公司未來(lái)發(fā)展*32能電池發(fā)展趨勢(shì)平價(jià)上網(wǎng)是光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的終極目標(biāo)。 能電池光電轉(zhuǎn)換效率每提高1%，光伏系統(tǒng)發(fā)電成本降低7%。國(guó)家實(shí)施的領(lǐng)跑者計(jì)劃本質(zhì)目的也是在引導(dǎo)高效率的電池，降低發(fā)電成本。高效率的N型Pert電池由于可疊加雙面發(fā)電技術(shù)，發(fā)電量較P型電池大幅增加，并且現(xiàn)有產(chǎn)線可兼容效率更高的IBC電池，是光

伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的