命題-試題820半導(dǎo)體器件物理_第1頁
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西安科技大2011年入學(xué)考試試科目 科目名稱：半導(dǎo)體器件物1234一、（每小題4分，共40分12、擊345、PN678、MOS910、能二、簡要回答下列問題（848分124、NMOSIDSVDS56MOSFET三、根據(jù)要求解答問題（共26分1、NPN晶體管的輸出特性曲線如下圖所示，回答下列問題（10C

A、B、C、DAVCE（3）B2PN（83NMOS（8四、證明題（共16分1PNPNNA、NDPN kTlnNDNAnq （8分nqi2NMOS場效應(yīng)晶體管線性區(qū)的電流-電壓關(guān)系為（8

1U2

DS證明其飽和區(qū)跨導(dǎo)gms

UT其中 為閾值電壓

L,UGSUDSMOS五、計算題（共20分1NPN晶體管的=0.99、BUCBO=150伏、Wb=18.7 nb=1微秒，忽略發(fā)射結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合和表面復(fù)合（10（1）求0（6分（2）BUCEOBUCBOBUCEO（4分2、NMOSW=15μmL=2μm,COX=6.9×10-8F/cm2，如果該管工作性區(qū)的UDS=0.10V固定不變。實驗測得：UGS=1.5V時，IDS=35μA；UGS=2.5V時，IDS=75μA（10分）（6分簡要說明該管為增強(qiáng)型還是耗盡型？（4分Dn352NPN0=8.85×10-14F/cm，r=3.9，q=1.6×10-K=1.38×10-23J/K，

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