擴展知識-ddr分類比較

DDRDDR（雙倍數(shù)據(jù)速率DDR=DoubleDataRate雙倍速率同步動態(tài)隨機器嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDRSDRAM，人們稱為DDR，其中，SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory的縮寫，即同步動態(tài)隨機存取器。而DDRSDRAM是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，是雙倍速率同步動態(tài)隨機器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，仍然沿用SDRAMSDRAM的設(shè)備稍加改進，即可DDR內(nèi)存的生產(chǎn)，可有效的降低成本。DoubleDataRate：與傳統(tǒng)的單數(shù)據(jù)速率相比，DDR技術(shù)實現(xiàn)了一個時鐘周期內(nèi)進行兩開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)能力（即：4bit數(shù)據(jù)讀預(yù)取。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以控制總線4倍的速度運行。由于DDR2標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定所有DDR2內(nèi)存均采用FBGA封裝形式，而不同于廣泛應(yīng)用的TSOP/TSOP-Ⅱ封裝形式，F(xiàn)BGADDR2內(nèi)DDR的發(fā)展歷程，從第一代應(yīng)InDDR2內(nèi)存將是大勢所趨。[1]DDR3是一種計算機內(nèi)存規(guī)格。它屬于SDRAM的內(nèi)存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2SDRAMDDR2SDRAM（同步動態(tài)動態(tài)隨機存取內(nèi)存）的DDR3更易于被用戶和廠家接受。工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現(xiàn)更高的工作頻率，在一定程度彌補了延降低顯卡整體成本：DDR216MX32bit，搭配中高端顯卡常用的DDRDDR2，DDR3DDR2的兼容性更好。由于針腳、封裝等關(guān)鍵特性不變搭配DDR2的顯示和公版設(shè)計的顯卡稍加修改便能采用DDR3顯存，DDR3DDR4DDR4DDR4DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。201114DDR48bitDDR31.2V，201114DDR4DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開30nm級工藝制造了首批樣品。DDR4內(nèi)存的仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，1.2V2133MHz3200MHz。DDR31600MHz1.5V僅此一點，DDR440%。根據(jù)此前的規(guī)劃，DDR44266MHzDDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“PseudoOpenDrain”(虛擬開漏極)技術(shù)，在、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。三星稱，201012DDR4內(nèi)存條的樣品進行JEDEC2011DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，預(yù)計2012年開始投入。DDR5DDR4普及的時代。而現(xiàn)在為大家津津樂道的DDR5GDDR5GDDR時代，GDDR1、GDDR2、GDDR3GDDR4GDDR5顯存全面上市，它相比集中在了它上面。各種說法也隨之而來，有人錯誤的說：GDDR3GDDR5之間，就沒什么區(qū)別，就是頻率高點。也有人錯誤的說：GDDR5128bit顯存位寬，性能還不如GDDR3，256bit的。GDDR51、速度不同-6.4GHz以上，GDDR5比GDDR32GDDR5可以運行在比GDDR3更高的頻率上呢？0.4ns的GDDR5GDDR3DQGDDR5顯存的實際速度快了一倍。所謂的數(shù)據(jù)預(yù)GDDR2GDDR4時代，顯存的預(yù)取數(shù)據(jù)為，2GDDR31倍。4倍以上，5000MHz2、功耗更低-GDDR5GDDR3GDDR3或GDDR4顯存顆粒而言，GDDR5顯存顆粒最大的亮點就是擁有準(zhǔn)來看，GDDR31.8V，GDDR51.5V，還具有優(yōu)秀的電3-GDDR5128bit顯存，仍比GDDR3256bit其顯存頻率達了4000MHz。其帶寬=4000MHzx128bit/8，而GDDR3版本、顯存頻率在1800MHzGT240，其帶寬=1800MHzx128bit82.22倍的顯存頻率，獲256bit的顯卡，也可以憑借高頻率的優(yōu)勢獲得性能上的在相同的情況下，GDDR5版本的GT240，會比GDDR3版本的快28.9%，而當(dāng)頻率（650/4000MHz在性能上比256bit的96GT高24%，甚至接近了性能更高的98GT。這一切的根源都來GDDR5優(yōu)異的性能。GDDR5在2008年，廠商其實就已經(jīng)GDDR3的顯存頻率難以再往上大幅提升，ATI和JEDEG（國際內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定組織）制定了GDDR4顆粒標(biāo)準(zhǔn)，并在RadeonATI單方面推廣，NVIDIA方面依然專注GDDR3產(chǎn)品，因此內(nèi)存廠商對于GDDR4沒有表087月，AMDGDDR5RadeonHD4870GDDR5256bitGDDR5200920%的市場份額。AMD從HD4000系列開始，主品均配備GDDR5顯存，最早的是2008年11月上市的RadeonHD4870,和后期相繼發(fā)布的RadeonHD4890/4750/4770以及新一代旗艦RV870HD5000系列的相關(guān)產(chǎn)品。NVIDIA200911GDDR5顯存顆粒的顯卡開始，產(chǎn)品規(guī)劃上也已經(jīng)采用GDDR5顯存的產(chǎn)品。2010年開始，采用GDDR5據(jù)外媒ArsTechnica，負(fù)責(zé)計算機內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的組織JEDEC宣稱，下一代內(nèi)存標(biāo)DDR5201762018年完成最終的標(biāo)準(zhǔn)制定。[1]DDR（內(nèi)存名稱ddr，即雙倍速率同步動態(tài)隨機器，是內(nèi)存的其中一種內(nèi)存又可以叫做主存。是CPU能直接尋址的空間，由半導(dǎo)體器Windows操作系統(tǒng)、打字軟件、游戲軟件等，一般都是安裝在硬SDRAMDDR內(nèi)此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達到更SDRAM相比：DDR運用了更先進的同步電路，使指定地址、數(shù)據(jù)的輸送和輸出主要步驟既獨立執(zhí)行，又保持與CPU完全同步；DDRDLL(DelayLockedLoop，延時鎖定回路提供一個數(shù)據(jù)濾波信號)技術(shù)，當(dāng)數(shù)據(jù)有效時，控制器可使用這個數(shù)據(jù)濾波信號來精確定位數(shù)據(jù)，每16次輸出一次，并重新同步來自不同器模塊的數(shù)據(jù)。DDR本質(zhì)上不需要提SDRAM的兩倍。DDR184SDRAM16個針腳，主要包含了新的控制、時鐘、電源和接地等信號。DDR2.5VSSTL2SDRAM3.3V電壓LVTTL標(biāo)準(zhǔn)。DDRDDRDDR內(nèi)存可以在脈沖的上升和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，因此傳輸數(shù)據(jù)的等效頻有時候大家將老的技術(shù)DDR稱為DDR1，使之與DDR2加以區(qū)分。盡管一般是使用“DDR”，但DDR1與DDR的含義相同。DDR1DDR-200:DDR-SDRAM在100MHz下運行DDR-266:DDR-SDRAM在133MHz下運行DDR-333:DDR-SDRAM在166MHz下運行DDR-DDR- 在200MHz下運行（JEDEC制定的DDR最高規(guī)格）DDR-DDR-SDRAM在250MHz下運（非JEDEC制定的DDR規(guī)格）DDR-600:DDR-300MHz下運行（JEDECDDR規(guī)格）DDR-700:DDR-SDRAM350MHz下運行（JEDECDDR規(guī)格什么是DDR2DDRSDRAMDDR內(nèi)存技術(shù)的基礎(chǔ)上加以改進，從而其傳輸速度更快（可達667MHZ.DDR2（DoubleDataRate2）SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合DDR2DDR2進行開發(fā)的內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同就是，雖然同是采用了在時鐘的上升/DDR2內(nèi)存卻擁有兩倍于上一代DDR內(nèi)存預(yù)能力（即：4bit數(shù)據(jù)預(yù)。換句話說，DDR2內(nèi)存每個時鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以控制總線4倍的速度運行。DDR3DDR2DDR3DDR2DDR38bit，所以突發(fā)傳輸周期（BurstLength，BL）8Chop（突發(fā)突變）模式，即由一個BL=4的操作加上一個BL=4的寫入操作來合成一個BL=8的數(shù)據(jù)突發(fā)傳輸，屆時可通過A12地址線來控制這一突發(fā)模式。而且需要的是，傳輸控制（4bit順序突發(fā)。尋址時序就像DDR2從DDRDDR3的CL周期也將比DDR2有所提高。DDR2CL2～5DDR35～11之間，且附加延遲（AL）的設(shè)計也有所變化。DDR2AL的范圍是0～4DDR3AL有三種選項，分別是0、CL-1CL-2。另外，DDR3還新增加了一個時序參數(shù)——寫入延遲（CWD，這一參數(shù)將根據(jù)具體的工作DDR24.內(nèi)存同步時外頻頻率跟內(nèi)存型號的關(guān)系求增加這能如今終于在DDR3上實現(xiàn)了這一引腳將使DDR3的初始化處理變得簡單。Reset期間，DDR3有的程序裝置將復(fù)位，DLL（延遲鎖相環(huán)路）與時鐘電路將停止工作，而且不理睬數(shù)據(jù)DDR3達到最節(jié)省電力的目的。DDR3ZQZQ240歐姆的低公差參考電阻。這個引腳通過ODT的終結(jié)電阻值。當(dāng)系統(tǒng)發(fā)出這一指令后，將用相應(yīng)的時鐘周期（在加64個時鐘周期）ODT電阻進行重新校準(zhǔn)。DDR3VREF將分為兩個信號，即為VREFCAVREFDQ，這將有效地提高系統(tǒng)數(shù)據(jù)總組，或者是點對雙點（Point-to-two-Point，P22P）的關(guān)系（Bank的模組，從而大大地減輕了地址/命令/DDR2的類別相類似，PCFB-DIMMAMB2（高級內(nèi)存緩沖器。面向64位構(gòu)架的DDR3顯然在頻率和速度上擁有的優(yōu)勢，此外，由于DDR3所采用的DDR3DDR2內(nèi)存的不是臺式機而是服務(wù)器一樣。在CPU外頻提升最迅速的PC臺式機領(lǐng)域，DDR3未來也是一片光明。In預(yù)計在第二季所推出的新-(BearLake)，其將支持DDR3規(guī)格，而AMD也預(yù)計同時在K9平臺上支持DDR2DDR3兩種規(guī)格。據(jù)介紹JEDEC將會在不久之后啟動DDR4內(nèi)存，而這也標(biāo)志著DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定工作2011DDR42010年。JEDEC表示在7月份于召開的器大會MEMCON07SanJose上時就考慮過DDR4內(nèi)存DDR3Single-endedSignaling(SE信號)信號方式則表示64-bit模塊技術(shù)將會得到繼承。不過據(jù)說在召開此次的DDR4時，DDR4內(nèi)存不僅僅只有Single-endedSignaling方式，大會同時也推出了基于微分信號器標(biāo)準(zhǔn)的DDR4DDR4SE信號和微分信號的兩種規(guī)格產(chǎn)品。DDR4DifferentialSignaling()AMDPhilHester先生也對當(dāng)然，三星并不是第一家提供gddr5Hynix和奇夢達雙方也宣布了類似的零件，但三星的已經(jīng)進了一步提供了數(shù)據(jù)傳輸速率6gb/sec，超過標(biāo)準(zhǔn)5gb/sec。24除了增加帶寬，gddr5體也比較低功耗，三星公司聲稱其體，只是1.5v。三星是采樣512MB的gddr5（16MB×32），mueez，三星繪圖體的市場主管，他說“該體將使種圖形硬體的表現(xiàn)將推動軟件開發(fā)商提供了一個新臺gddr5DDR器電氣特性驗幾乎每一個電子設(shè)備，從智能到服務(wù)器，都使用了某種形式的RAM器。盡管閃存本提供了速度和很好的結(jié)合，SDRAM仍然是大多數(shù)計算機以及基于計算機產(chǎn)品的主流器技術(shù)。DDR是雙數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，已經(jīng)成為今天器技術(shù)的選擇。DDR技，或確保系統(tǒng)器和器控制設(shè)備的互操作性器子系統(tǒng)的模擬信號完整性已成追溯到信號完整性問題上。因此器的模擬信號完整性驗證已經(jīng)成為很多電子設(shè)計驗證，JEDEC(電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合)已經(jīng)明確規(guī)定設(shè)備詳細(xì)測試要求需要對抖動定時于實際目的)，無法進入連接，如何進行器的探測呢？一種解決方案是在PCB布線過程中設(shè)計測試點，或探測器元件板的背面的過孔。雖，PCBP7500系列探頭有4～20GHz提供了有效的解決方案，同時提供優(yōu)秀的信號保真度和4GHz帶寬，足已滿足器D