提升第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)器件設(shè)計(jì)和制造能力

提升第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)器件設(shè)計(jì)和制造能力培育優(yōu)勢(shì)主體，拉動(dòng)產(chǎn)業(yè)整體規(guī)?？焖贁U(kuò)大1、壯大龍頭企業(yè)加大對(duì)重點(diǎn)企業(yè)的關(guān)注和扶持力度，實(shí)行一企一策，協(xié)調(diào)解決企業(yè)發(fā)展關(guān)鍵制約點(diǎn)。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)項(xiàng)目納入山東省新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換重大項(xiàng)目庫，充分利用好新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)換政策，進(jìn)行重點(diǎn)扶持；圍繞SiC、GaN等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，培育壯大細(xì)分行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)。2、融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)強(qiáng)化需求牽引的作用，從應(yīng)用端需求入手，加強(qiáng)從材料、芯片、器件到模塊應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作。加強(qiáng)省內(nèi)省外行業(yè)對(duì)接合作，精準(zhǔn)招引、實(shí)施補(bǔ)鏈、延鏈、強(qiáng)鏈項(xiàng)目。沿鏈分批打造規(guī)模大、技術(shù)強(qiáng)、品牌響的領(lǐng)航型企業(yè)，培育細(xì)分領(lǐng)域的專精特新企業(yè)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，有效提升產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性和競爭力。堅(jiān)持全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展，提升產(chǎn)業(yè)整體競爭能力以技術(shù)和產(chǎn)品發(fā)展相對(duì)成熟的SiC、GaN材料為切入點(diǎn)，迅速做大第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模。聚焦材料、外延、芯片、器件、封裝、設(shè)備和應(yīng)用等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重點(diǎn)環(huán)節(jié)，加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研聯(lián)合，以合資、合作方式培育和吸引高水平企業(yè)，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)集聚和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體在電力電子、微波電子和半導(dǎo)體照明等領(lǐng)域的應(yīng)用，打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高地。1、提升材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力加速推進(jìn)大尺寸SiC、GaN等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術(shù)，突破SiC、GaN材料大直徑、低應(yīng)力和低位錯(cuò)缺陷等關(guān)鍵技術(shù)，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關(guān)鍵核心技術(shù)，提升4-8英寸SiC、GaN襯底材料精密加工能力。加大對(duì)薄膜材料外延生長技術(shù)的支持力度，補(bǔ)足第三代半導(dǎo)體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動(dòng)Ga2O3等新一代超寬禁帶半導(dǎo)體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。2、提升器件設(shè)計(jì)和制造能力搭建第三代半導(dǎo)體研發(fā)、仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應(yīng)用和GaN功率器件的消費(fèi)類快充及工業(yè)類電源市場，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導(dǎo)器件設(shè)計(jì)企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進(jìn)基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、大功率絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微型發(fā)光二極管（Micro-LED）、高端傳感器、以及激光器等器件和模塊的研發(fā)制造，支持科研院所微納加工平臺(tái)建設(shè)。大力推動(dòng)晶圓生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，優(yōu)先發(fā)展特色工藝制程器件制造，在關(guān)鍵電力電子器件方面形成系列產(chǎn)品，綜合性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。3、提升封測技術(shù)和供給能力重點(diǎn)開發(fā)基于第三代半導(dǎo)體的功率和電源管理芯片的封裝材料，解決高功率、高密度大芯片的封裝可靠性技術(shù)問題，積極引進(jìn)先進(jìn)封測生產(chǎn)線和技術(shù)研發(fā)中心，推動(dòng)高端封裝測試工藝技術(shù)裝備的研制和生產(chǎn)效率的提升，提高產(chǎn)業(yè)鏈配套能力。4、提升關(guān)鍵裝備支撐能力布局生長、切片、拋光、外延等核心技術(shù)裝備，突破核心共性關(guān)鍵技術(shù)，通過關(guān)鍵設(shè)備牽引，實(shí)現(xiàn)分段工藝局部成套。突破SiC晶體可控生長環(huán)境精準(zhǔn)檢測與控制技術(shù)、基于大數(shù)據(jù)分析的數(shù)字孿生及人工智能模擬技術(shù)，研制SiC單晶智能化生長裝備并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。提升清洗、研磨、切割等設(shè)備的生產(chǎn)能力以及設(shè)備的精度和穩(wěn)定性。指導(dǎo)思想以推動(dòng)第三代半導(dǎo)體高質(zhì)量發(fā)展為主線，以應(yīng)用牽引、技術(shù)驅(qū)動(dòng)、協(xié)同創(chuàng)新、綠色發(fā)展為途徑，以骨干企業(yè)為龍頭，以重點(diǎn)產(chǎn)品為依托，以重大項(xiàng)目為抓手，優(yōu)化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，著力發(fā)展以SiC、GaN為主的第三代半導(dǎo)體材料、器件、模組及系統(tǒng)應(yīng)用等。加快補(bǔ)短板、鍛長板，提升第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈整體競爭力，為推動(dòng)全省新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，培育壯大現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系提供有力支撐。基本原則1、優(yōu)化布局、協(xié)同發(fā)展統(tǒng)籌全省產(chǎn)業(yè)布局，支持濟(jì)南、青島、淄博、濰坊、濟(jì)寧等市先行先試，指導(dǎo)有條件的市做好產(chǎn)業(yè)配套，集中優(yōu)勢(shì)資源支持第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)突破、重點(diǎn)產(chǎn)品發(fā)展和重大項(xiàng)目建設(shè)，逐步做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。2、龍頭帶動(dòng)、鏈?zhǔn)桨l(fā)展不斷優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)，延伸完善產(chǎn)業(yè)鏈條，發(fā)揮龍頭企業(yè)引領(lǐng)支撐作用，補(bǔ)齊產(chǎn)業(yè)鏈缺失環(huán)節(jié)，促進(jìn)晶體材料—芯片及器件制造—模塊及系統(tǒng)應(yīng)用全產(chǎn)業(yè)鏈集聚發(fā)展，打造空間集聚、功能關(guān)聯(lián)的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群。3、技術(shù)驅(qū)動(dòng)、創(chuàng)新發(fā)展以新基建為重要抓手，主動(dòng)承擔(dān)國家科技重大專項(xiàng)和重大工程，不斷突破共性關(guān)鍵技術(shù)和重大產(chǎn)品研發(fā)，加強(qiáng)對(duì)產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)、核心技術(shù)掌控，提升產(chǎn)業(yè)核心競爭力。4、應(yīng)用導(dǎo)向、融合發(fā)展以市場為導(dǎo)向，以應(yīng)用為牽引，推動(dòng)技術(shù)集成、產(chǎn)品應(yīng)用、商業(yè)模式創(chuàng)新，強(qiáng)化第三代半導(dǎo)體企業(yè)、系統(tǒng)方案提供商與系統(tǒng)整機(jī)企業(yè)交流與合作，推進(jìn)第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)與應(yīng)用，帶動(dòng)全省電子信息產(chǎn)業(yè)融合發(fā)展。發(fā)展目標(biāo)到2025年，我省第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈鏈條完善，關(guān)鍵核心技術(shù)自主可控，保持第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料市場領(lǐng)先地位。培育壯大產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)能力強(qiáng)的鏈主企業(yè)，提升芯片和器件設(shè)計(jì)能力，擴(kuò)大應(yīng)用場景，實(shí)現(xiàn)協(xié)同發(fā)展，打造百億級(jí)國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地。創(chuàng)新能力顯著增強(qiáng)，引進(jìn)并培養(yǎng)一批高端人才，壯大人才隊(duì)伍，建成第三代半導(dǎo)體國家地方聯(lián)合工程研究中心、產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新中心、國家博士后科研工作站和院士工作站，搭建國際先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體公共研發(fā)、檢測和服務(wù)平臺(tái)，突破新材料、工藝裝備和芯片設(shè)計(jì)等核心關(guān)鍵技術(shù)，推動(dòng)全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新能力得到有效提升。產(chǎn)業(yè)鏈條持續(xù)完善，補(bǔ)齊產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)，努力打造國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)的產(chǎn)業(yè)集群，提升產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展能力，形成結(jié)構(gòu)合理、生態(tài)良好的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)體系。市場主體培育壯大，大力發(fā)展掌握核心技術(shù)、具有國際競爭力和影響力的龍頭企業(yè)，帶動(dòng)發(fā)展掌握核心關(guān)鍵技術(shù)的特色企業(yè)，夯實(shí)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展根基。產(chǎn)業(yè)規(guī)模快速提升，抓住新能源汽車、汽車電子、5G應(yīng)用、雙碳減排等新應(yīng)用的市場機(jī)會(huì)，迅速做大產(chǎn)業(yè)規(guī)模。到2025年，第三代半導(dǎo)體材料、芯片、器件、模塊、應(yīng)用等產(chǎn)值達(dá)到300億元。提升器件設(shè)計(jì)和制造能力搭建第三代半導(dǎo)體研發(fā)、仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，大力扶持基于SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料的功率、射頻、以及微型發(fā)光器件及芯片設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)，圍繞SiC功率器件的新能源汽車應(yīng)用和GaN功率器件的消費(fèi)類快充及工業(yè)類電源市場，促進(jìn)產(chǎn)學(xué)研合作以及成果轉(zhuǎn)化，引導(dǎo)器件設(shè)計(jì)企業(yè)上規(guī)模、上水平。推進(jìn)基于GaN、SiC的垂直型肖特基二極管（SBD）、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、高電子遷移率晶體管（HEMT）、大功率絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）