2017年高考一輪總復(fù)習(xí)同步課件考點(diǎn)28第43課時(shí)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

第43課時(shí)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課標(biāo)版化學(xué)考試要點(diǎn)命題規(guī)律備考策略1.了解原子晶體的特征,能描述金剛

石、二氧化硅等晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的

關(guān)系。2.理解離子鍵的形成,能根據(jù)離子化合

物的結(jié)構(gòu)特征解釋其物理性質(zhì)。3.理解金屬鍵的含義,并能用金屬鍵理

論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。4.了解分子晶體、原子晶體、離子晶

體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒及微粒間作

用力的區(qū)別。1.高考對(duì)本課時(shí)知識(shí)的考查主要從兩

方面切入:(1)有關(guān)晶胞的計(jì)算;(2)晶體微粒間的相互作用力以及物

理性質(zhì)的比較。2.題型以填空題為主。如2015年課標(biāo)

Ⅰ,37T;2015年山東理綜,33T等。對(duì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的復(fù)習(xí)主要抓住以

下幾點(diǎn):(1)晶體與非晶體;(2)幾種晶體的比較;

(3)晶體結(jié)構(gòu);(4)物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低的

比較;(5)確定晶體的化學(xué)式。考綱導(dǎo)學(xué)一、晶體常識(shí)1.晶體與非晶體教材研讀

晶體非晶體結(jié)構(gòu)特征原子在三維空間里呈周期

性①

序排列原子排列相對(duì)②

序性質(zhì)特征自范性③

④

熔點(diǎn)⑤

⑥

異同表現(xiàn)各向異性無(wú)各向異性區(qū)別方法熔點(diǎn)法有固定熔點(diǎn)無(wú)固定熔點(diǎn)X射線對(duì)固體進(jìn)行X-射線衍射實(shí)驗(yàn)有無(wú)有無(wú)固定不固定2.晶胞(1)概念:描述晶體結(jié)構(gòu)的⑦

。(2)晶體中晶胞的排列——無(wú)隙并置。a.無(wú)隙:相鄰晶胞之間沒(méi)有任何⑧

。b.并置:所有晶胞都是平行排列的,⑨

相同。自測(cè)1判斷下列說(shuō)法是否正確。(1)固態(tài)物質(zhì)一定是晶體。

(

)(2)冰和固體碘晶體中相互作用力相同。

(

)(3)晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律周期性排列。

(

)(4)凡有規(guī)則外形的固體一定是晶體。

(

)(5)晶體與非晶體的本質(zhì)區(qū)別:是否有自范性。

(

)(6)晶體有一定的熔沸點(diǎn)。

(

)基本單元空隙取向

答案

(1)?

(2)?

(3)√

(4)?

(5)?

(6)√自測(cè)2下圖為離子晶體空間構(gòu)型示意圖(

表示陽(yáng)離子,

表示陰離子),以M表示陽(yáng)離子,以N表示陰離子,寫出各離子晶體的組成表達(dá)式:

A

、B

、C

。

答案MNMN3MN2

解析在A中,含M、N的個(gè)數(shù)相等,故組成為MN;在B中,含M:

×4+1=

(個(gè)),含N:

×4+2+4×

=

(個(gè)),故組成為MN3;在C中,含M:

×4=

(個(gè)),含N為1個(gè),故組成為MN2。二、常見(jiàn)晶體類型的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)1.四種晶體類型比較晶體類型分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體構(gòu)成粒子①

②

③

④

粒子間的相互作用力⑤

(某些含氫鍵)⑥

⑦

⑧

硬度較小很大有的很大,有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高,有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑難溶于常見(jiàn)溶劑大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電、傳熱性一般不導(dǎo)電,溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電,水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電分子原子金屬陽(yáng)離子、自由電子陰、陽(yáng)離子范德華力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵續(xù)表物質(zhì)類別及舉例部分非金屬單質(zhì)、非

金屬氫化物、酸、部

分非金屬氧化物、絕

大多數(shù)有機(jī)物(有機(jī)

鹽除外)部分非金屬單質(zhì)(如

金剛石、晶體硼),部

分非金屬化合物(如

SiC、SiO2)金屬單質(zhì)(如Na、

Al、Fe)與合金(如青

銅)金屬氧化物(如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿(如KOH、NaOH)、絕大部分鹽(如NaCl)2.晶格能(1)定義氣態(tài)離子形成1摩離子晶體釋放的能量,通常取正值,單位:⑨

。(2)影響因素a.離子所帶電荷數(shù):離子所帶電荷數(shù)越多,晶格能越⑩

。b.離子的半徑:離子的半徑越

,晶格能越大。(3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系晶格能越大,形成的離子晶體越

,且熔點(diǎn)越

,硬度越

。kJ·mol-1大小穩(wěn)定高大自測(cè)3判斷下列說(shuō)法是否正確。(1)在晶體中只要有陰離子就一定有陽(yáng)離子。

(

)(2)在晶體中只要有陽(yáng)離子就一定有陰離子。

(

)(3)原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高。

(

)(4)分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低。

(

)(5)離子晶體一定都含有金屬元素。

(

)(6)金屬元素和非金屬元素組成的晶體不一定是離子晶體。

(

)

答案

(1)√

(2)?

(3)?

(4)?

(5)?

(6)√選項(xiàng)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONaSiO2CO2DBa(OH)2金剛石玻璃自測(cè)4下列晶體分類中正確的一組是

(

)

答案

CA項(xiàng),Ar屬于分子晶體,故A錯(cuò)誤;B項(xiàng),石墨屬于混合晶體,H2SO4屬于分子晶體,故B錯(cuò)誤;C正確;D項(xiàng),玻璃不屬于晶體,故D錯(cuò)誤。自測(cè)5下列各物質(zhì)的晶體中,晶體類型相同的是

(

)A.CCl4與H2OB.SiO2和CO2C.NaCl與金剛石D.MgCl2與Na

答案

ASiO2是原子晶體,CO2為分子晶體,二者晶體類型不同,故B錯(cuò)誤;NaCl是離子晶體,金剛石是原子晶體,二者晶體類型不同,故C錯(cuò)誤;MgCl2是

離子晶體,Na是金屬晶體,二者晶體類型不同,故D錯(cuò)誤?？键c(diǎn)一晶體的基本類型

考點(diǎn)突破晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解原子晶體金剛石

(1)每個(gè)碳原子與相鄰4個(gè)碳原子以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)鍵角均為109°28(3)最小碳?jí)挠?個(gè)C組成且六原子不在同一平面內(nèi)(4)每個(gè)C參與4條C—C鍵的形成,C原子數(shù)與C—C鍵數(shù)之比為1∶2SiO2

(1)每個(gè)Si與4個(gè)O以共價(jià)鍵結(jié)合,形成正四面體結(jié)構(gòu)(2)每個(gè)正四面體占有1個(gè)Si,4個(gè)“

O”,N(Si)∶N(O)=1∶2(3)最小環(huán)上有12個(gè)原子,即6個(gè)O,6個(gè)Si續(xù)表晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解分子晶體干冰

(1)8個(gè)CO2分子構(gòu)成立方體且在6個(gè)面心又各占據(jù)1個(gè)CO2分子(2)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有12個(gè)離子晶體NaCl型

(1)每個(gè)Na+(Cl-)周圍等距且緊鄰的Cl-(Na+)有6個(gè)。每個(gè)Na+周圍等距且緊鄰的Na+

有12個(gè)(2)每個(gè)晶胞中含4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-CsCl型

(1)每個(gè)Cs+周圍等距且緊鄰的Cl-有8個(gè),每個(gè)Cs+(Cl-)周圍等距且緊鄰的Cs+(Cl-)有6

個(gè)(2)如圖為8個(gè)晶胞,每個(gè)晶胞中含1個(gè)Cs+、1個(gè)Cl-續(xù)表晶體晶體結(jié)構(gòu)晶體詳解金屬晶體簡(jiǎn)單立方堆積

典型代表Po,配位數(shù)為6,空

間利用率52%面心立方最密堆積

又稱為A1型或銅型,典型代

表Cu、Ag、Au,配位數(shù)為1

2,空間利用率74%體心立方堆積

又稱為A2型或鉀型,典型代

表Na、K、Fe,配位數(shù)為8,

空間利用率68%六方最密堆積

又稱為A3型或鎂型,典型代

表Mg、Zn、Ti,配位數(shù)為1

2,空間利用率74%

典例1決定物質(zhì)性質(zhì)的重要因素是物質(zhì)結(jié)構(gòu)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題。(1)下圖是石墨的結(jié)構(gòu),其晶體中存在的作用力有

(填序號(hào))。A.σ鍵B.π鍵C.氫鍵D.配位鍵E.分子間作用力F.金屬鍵G.離子鍵(2)下面關(guān)于晶體的說(shuō)法不正確的是

。A.晶體熔點(diǎn)由低到高:CF4<CCl4<CBr4<CI4B.硬度由大到小:金剛石>碳化硅>晶體硅C.熔點(diǎn)由高到低:Na>Mg>AlD.晶格能由大到小:NaF>NaCl>NaBr>NaI(3)CaF2結(jié)構(gòu)如圖Ⅰ所示,Cu形成晶體的結(jié)構(gòu)如圖Ⅲ所示,圖Ⅱ?yàn)镠3BO3晶體

結(jié)構(gòu)圖(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過(guò)氫鍵結(jié)合)。①圖Ⅰ所示的晶體中與Ca2+最近且等距離的Ca2+數(shù)為

,圖Ⅲ中未標(biāo)號(hào)

的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為

;②H3BO3晶體中B原子雜化方式為

;CNO-的構(gòu)型為

;③三種晶體的熔點(diǎn)高低順序?yàn)?/p>

(填化學(xué)式);H3BO3晶體受熱

熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用力為

。

答案

(1)ABEF(2)C(3)①1212②sp2雜化直線形③CaF2>Cu>H3BO3分子間作用力

解析

(1)石墨晶體是一種特殊晶體,層與層之間存在范德華力(也可看成分子間作用力),層內(nèi)存在共價(jià)鍵,每個(gè)C原子的一個(gè)未參與雜化的p軌道上

都有自由電子,可以形成“電子氣”,即所謂的金屬鍵;在石墨晶體中,同層

的每一個(gè)碳原子以sp2雜化軌道與相鄰的三個(gè)碳原子以σ鍵結(jié)合,六個(gè)碳原

子在同一個(gè)平面上形成了正六邊形的環(huán),伸展成片層結(jié)構(gòu),這里C—C鍵的

鍵長(zhǎng)皆為142pm,這正好屬于原子晶體的鍵長(zhǎng)范圍,因此對(duì)于同一層來(lái)說(shuō),

它是原子晶體。在同一平面上的碳原子還各剩下一個(gè)p軌道,其中有一個(gè)2

p電子。這些p軌道又都互相平行,并垂直于碳原子sp2雜化軌道構(gòu)成的平面,

形成了大π鍵,因此石墨晶體中,既存在σ鍵又存在π鍵。(2)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔點(diǎn)越高,故晶體熔

點(diǎn):CF4<CCl4<CBr4<CI4,A正確;對(duì)于原子晶體,原子半徑越小,共價(jià)鍵越強(qiáng),硬

度越大,故硬度:金剛石>碳化硅>晶體硅,B正確;對(duì)于金屬晶體,原子半徑越

小,價(jià)電子數(shù)越多,金屬鍵越強(qiáng),熔點(diǎn)越高,故熔點(diǎn):Na<Mg<Al,C錯(cuò)誤;對(duì)于離

子晶體,離子所帶的電荷數(shù)越多,半徑越小,晶格能越大,故晶格能:NaF>NaCl>NaBr>NaI,D正確。(3)①在立方體的8個(gè)頂點(diǎn)上和6個(gè)面心上各有1個(gè)Ca2+,故頂點(diǎn)上的Ca2+與晶

胞中頂點(diǎn)所在的三個(gè)面的面心上的Ca2+最近且等距離,故由圖Ⅰ可以看出

晶體中與Ca2+最近且等距離的Ca2+數(shù)為

=12;圖Ⅲ中未標(biāo)號(hào)的Cu原子形成晶體后周圍最緊鄰的Cu原子數(shù)為3+6+3=12。②H3BO3分子中,硼原子最

外層只有3個(gè)電子,B原子與3個(gè)羥基相連,與氧原子形成3對(duì)共用電子對(duì),即

形成3個(gè)σ鍵,無(wú)孤電子對(duì),雜化軌道數(shù)為3,故B原子采取sp2雜化;CNO-與CO2

互為等電子體,CO2為直線形結(jié)構(gòu),故CNO-也為直線形結(jié)構(gòu)。③CaF2為離子

晶體,Cu為金屬晶體,H3BO3為分子晶體,三種晶體的熔點(diǎn)高低順序?yàn)镃aF2>

Cu>H3BO3。1-1A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含

有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同;C的最外層有6個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同

的電子;D是短周期元素中電負(fù)性最小的元素;在這六種元素中E的最高價(jià)

氧化物的水化物酸性最強(qiáng);F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài)外,其余能

層均充滿電子。G元素與D元素同主族,且相差3個(gè)周期。(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的順序是

(用元素符號(hào)表示)。(2)E的最高價(jià)含氧酸中E的雜化方式為

。(3)F原子的外圍電子排布式為

,F的晶體中原子的堆積方式是下圖

中的

(填“甲”“乙”或“丙”)。(4)DE、GE兩種晶體都屬于離子晶體,但配位數(shù)不同,其原因是

。

答案

(1)C<O<N(2)sp3雜化(3)3d104s1丙(4)正、負(fù)離子的半徑比不同

解析A、B、C、D、E、F為前四周期元素且原子序數(shù)依次增大,其中A含有3個(gè)能級(jí),且每個(gè)能級(jí)所含的電子數(shù)相同,因此A的原子序數(shù)是6,即A是

碳元素;C的最外層有6個(gè)運(yùn)動(dòng)狀態(tài)不同的電子,則C是第ⅥA族元素;D是短

周期元素中電負(fù)性最小的元素,說(shuō)明D的金屬性最強(qiáng),則D是鈉元素;C的原

子序數(shù)小于鈉,所以C是氧元素;B的原子序數(shù)介于A和C之間,則B是氮元素;

在這六種元素中E的最高價(jià)氧化物的水化物酸性最強(qiáng),因此E是氯元素;F除最外層原子軌道處于半充滿狀態(tài)外,其余能層均充滿電子,則F的原子序數(shù)

是2+8+18+1=29,所以F是銅元素;G元素與D元素同主族,且相差3個(gè)周期,所

以G是第六周期的Cs元素。(1)元素A、B、C的第一電離能由小到大的順序是C<O<N。(3)根據(jù)核外電子的排布規(guī)律可知,銅原子的外圍電子排布式為3d104s1。銅

形成的晶體是面心立方最密堆積,因此選丙。(4)NaCl、CsCl的陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)之比都是1∶1,都屬于AB型離子晶體,

但由于晶體中正、負(fù)離子的半徑比不同,因此二者的配位數(shù)不同?？键c(diǎn)二晶體結(jié)構(gòu)中的有關(guān)計(jì)算

1.長(zhǎng)方體(正方體)晶胞中不同位置的粒子數(shù)目的計(jì)算方法

2.非長(zhǎng)方體(正方體)晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算方法非長(zhǎng)方體(正方體)晶胞中粒子數(shù)目的計(jì)算要根據(jù)具體情況分析晶胞中的粒

子在晶胞中的位置以及為幾個(gè)晶胞所共有,然后運(yùn)用均攤法具體計(jì)算。如

石墨晶體中每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂點(diǎn)(1個(gè)碳原子)被三個(gè)六邊形

所共有,每個(gè)六邊形擁有該粒子的1/3,則每個(gè)六元環(huán)占有的C原子數(shù)為6×1/

3=2,如下圖:

3.根據(jù)晶體晶胞的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和有關(guān)數(shù)據(jù),求算晶體的密度對(duì)于立方晶胞,可建立如下求算途徑:晶胞←

ρ=

(a表示晶胞邊長(zhǎng),ρ表示密度,NA表示阿伏加德羅常數(shù),n表示1個(gè)晶胞所含基本粒子或特定組合的個(gè)數(shù),M表示摩爾質(zhì)量)

典例2

(1)Fe單質(zhì)的晶體在不同溫度下有兩種堆積方式,信息如下:序號(hào)堆積方式晶胞棱長(zhǎng)(cm)Ⅰ

aⅡ

b則方式Ⅰ與方式Ⅱ中Fe原子配位數(shù)之比為

,晶體密度之比為

。(2)已知CaF2晶體的密度為ρg/cm3,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值,棱上相鄰的兩個(gè)Ca2+的核間距為acm,則CaF2的相對(duì)分子質(zhì)量可以表示為

。

答案

(1)3∶22b3∶a3(2)

解析

(1)方式Ⅰ中Fe原子配位數(shù)為12,方式Ⅱ中Fe原子配位數(shù)為8,故配位數(shù)之比為12∶8=3∶2;Ⅰ中密度為

,Ⅱ中密度為

,故密度之比為2b3∶a3。(2)該晶胞中含有鈣離子個(gè)數(shù)=

×8+6×

=4,含有氟離子個(gè)數(shù)為8,晶胞體積V=a3,CaF2密度ρ=

,則CaF2的相對(duì)分子質(zhì)量M=

。2-1

(2015河南洛陽(yáng)統(tǒng)考,24)已知元素X、Y、Z、R為前四周期元素,且原

子序數(shù)依次增大。X原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),s軌道電子數(shù)是p

軌道電子數(shù)的兩倍;Z原子L電子層上有2對(duì)成對(duì)電子;R+核外有3個(gè)電子層

且各層均處于全滿狀態(tài)。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)R基態(tài)原子的外圍電子排布式為

,其基態(tài)原子有

種能量不同的電子。(2)元素X、Y、Z的第一電離能由小到大的順序?yàn)?用元素符號(hào)表示)

。(3)與XYZ-互為等電子體微粒的化學(xué)式為

(寫出一種即可),XYZ-

的中心原子的雜化方式為

雜化。(4)

與NH3形成的配離子中,提供孤對(duì)電子的原子是

。(5)已知Z、R能形成兩種化合物,其晶胞如圖所示,甲的化學(xué)式為

,乙的化學(xué)式為

;高溫時(shí),甲易轉(zhuǎn)化為乙的原因?yàn)?/p>

。若甲晶體中一個(gè)晶胞的邊長(zhǎng)為apm,則甲晶體的

密度為

g/cm3(寫出含a的表達(dá)式,用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的

值)。

答案

(1)3

4s17(2)C<O<N(3)CO2、N2O、SCN-等(寫出任意一種即可)sp(4)N(5)CuOCu2OCu2O中Cu+的3d能級(jí)為全充滿狀態(tài),較穩(wěn)定

解析X原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),則X原子核外有6個(gè)電子,故X是C;Z原子的L電子層上有2對(duì)成對(duì)電子,應(yīng)為2p4,故Z為O;根

據(jù)X、Y、Z、R的原子序數(shù)依次增大知Y是N;R+核外有3個(gè)電子層且各層

均處于全滿狀態(tài),分別有2、8、18個(gè)電子,故R是Cu。(1)Cu的基態(tài)原子的外圍電子排布式為3d104s1,核外電子分布在1s、2s、

2p、3s、3p、3d、4s7個(gè)能級(jí),因此其基態(tài)原子有7種能量不同的電子。(2)同周期第一電離能由左向右呈增大的趨勢(shì),第ⅤA族元素原子的p能級(jí)是

半充滿狀態(tài),它們的第一電離能比相鄰元素大,故第一電離能C<O<N。(3)與CNO-互為等電子體的微粒有CO2、N2O、SCN-等,互為等電子體的物

質(zhì)結(jié)構(gòu)相似,CO2的結(jié)構(gòu)是直線形,C原子采取sp雜化,因此CNO-的中心原子

的雜化方式為sp雜化。(4)N原子有孤對(duì)電子,C

有空軌道,即N提供孤對(duì)電子。(5)根據(jù)均攤法可知甲含Cu原子4個(gè),O原子8×

+4×

+2×

+1=4,化學(xué)式為CuO;乙含Cu原子4個(gè),O原子8×

+1=2,化學(xué)式為Cu2O,CuO易轉(zhuǎn)變?yōu)镃u2O,是因?yàn)镃u2O中Cu+的3d能級(jí)是全充滿狀態(tài),而軌道處于全充滿、半充滿、全

空時(shí)是穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。1個(gè)甲中含CuO4個(gè),質(zhì)量為

g,晶胞體積為(a×1

)3

cm3,所以密度是

g/cm3。考點(diǎn)三四種晶體熔、沸點(diǎn)的比較

1.不同晶體一般規(guī)律:原子晶體>離子晶體>分子晶體(金屬晶體較復(fù)雜)2.同種晶體(1)原子晶體:在原子晶體中,成鍵原子半徑小,鍵能大,熔點(diǎn)就高。如金剛

石、金剛砂(碳化硅)、晶體硅的熔、沸點(diǎn)逐漸降低。(2)離子晶體:結(jié)構(gòu)相似且化學(xué)式中離子個(gè)數(shù)比相同的離子晶體中,離子半

徑小、離子所帶電荷數(shù)多的鍵能越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)就越高。如NaCl、NaBr、

NaI的熔、沸點(diǎn)依次降低。(3)分子晶體:在組成、結(jié)構(gòu)均相似的分子晶體中,相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子

間的作用力越大,熔、沸點(diǎn)越高,如O2>N2、HI>HBr>HCl(HF除外)。但結(jié)構(gòu)

相似的分子晶體中,有氫鍵存在時(shí)熔、沸點(diǎn)較高。(4)金屬晶體:金屬鍵越強(qiáng)(原子半徑小、價(jià)電子多),熔、沸點(diǎn)越高。如Na<

Mg<Al。

特別提示

(1)金屬晶體熔、沸點(diǎn)差異很大,有些金屬晶體熔點(diǎn)低于分子晶體。(2)有些離子晶體的熔點(diǎn)要高于原子晶體。(3)石墨晶體硬度很小,但熔、沸點(diǎn)很高,其熔點(diǎn)要高于金剛石。

典例3

(2015內(nèi)蒙古包頭測(cè)試)已知A、B、C、D、E、F是周期表中前36

號(hào)元素,A是原子半徑最小的元素,B元素基態(tài)原子的2p軌道上只有兩個(gè)電

子,C元素的基態(tài)原子L層只有2對(duì)成對(duì)電子,D是元素周期表中電負(fù)性最大

的元素,E2+的核外電子排布和Ar原子相同,F的核電荷數(shù)是D和E的核電荷數(shù)

之和。請(qǐng)回答下列問(wèn)題:(1)BC2的空間構(gòu)型為

形;F2+的核外電子排布式為

。(2)A分別與B、C形成的最簡(jiǎn)單化合物的穩(wěn)定性B

C(填“大于”或

“小于”);A、C兩元素可組成原子個(gè)數(shù)比為1∶1的化合物,C元素的雜化

類型為

。(3)A2C所形成的晶體類型為