半導體器件二極管

第10章常用半導體器件返回半導體的導電特性半導體：導電能力介乎于導體和絕緣體之間的物質(zhì)。半導體的導電特性：熱敏特性光敏特性摻雜特性半導體的導電特性：(可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻)。摻雜特性：往純凈的半導體中摻入某些雜質(zhì)，導電能力顯著增強(可做成各種不同用途的半導體器件，如二極管、三極管和晶閘管等）。光敏特性：當受到光照時，導電能力明顯變化(可做成各種光敏元件，如光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管等)。熱敏特性：當環(huán)境溫度升高時，導電能力增強一P型半導體和N型半導體P型半導體：本征半導體硅中加入微量的3價元素（硼、鎵、銦）N型半導體：在本征半導體中加入微量的5價元素（磷）二

PN結(jié)的形成三PN結(jié)的特性——單向?qū)щ娦訮N結(jié)具有單向?qū)щ娦?/p>

（1）PN結(jié)加正向電壓時，處在導通狀態(tài)，結(jié)電阻很低，正向電流較大。（2）PN結(jié)加反向電壓時，處在截止狀態(tài)，結(jié)電阻很高，反向電流很小。返回

四二極管的結(jié)構(gòu)

把一個PN結(jié)的兩端接上電極引線，外面用金屬（或玻璃、塑料等）管殼封閉起來，便構(gòu)成了二極管，其結(jié)構(gòu)示意圖和圖形符號如圖所示。

陰極引線陽極引線二氧化硅保護層P型硅N型硅(

c

)平面型觸絲陽極引線N型鍺片陰極引線外殼(

a)

點接觸型鋁合金小球N型硅陽極引線PN結(jié)金銻合金底座陰極引線(

b)面接觸型

半導體二極管的結(jié)構(gòu)和符號

二極管二極管的結(jié)構(gòu)示意圖陰極陽極(

d

)

符號D10二極管10.3.1基本結(jié)構(gòu)(a)點接觸型(b)面接觸型

結(jié)面積小、結(jié)電容小、正向電流小。用于檢波和變頻等高頻電路。

結(jié)面積大、正向電流大、結(jié)電容大，用于工頻大電流整流電路。(c)平面型

用于集成電路制作工藝中。PN結(jié)結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關電路中。10.3.2伏安特性硅管0.5V,鍺管0.1V。反向擊穿電壓U(BR)導通壓降

外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導通。

外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向?qū)щ娦?。正向特性反向特性特點：非線性硅0.6~0.8V鍺0.2~0.3VUI死區(qū)電壓PN+–PN–+

反向電流在一定電壓范圍內(nèi)保持常數(shù)。10.3.4主要參數(shù)1.

最大整流電流

IOM二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。2.

反向工作峰值電壓URWM是保證二極管不被擊穿而給出的反向峰值電壓，一般是二極管反向擊穿電壓UBR的一半或三分之二。二極管擊穿后單向?qū)щ娦员黄茐模踔吝^熱而燒壞。3.

反向峰值電流IRM指二極管加最高反向工作電壓時的反向電流。反向電流大，說明管子的單向?qū)щ娦圆睿琁RM受溫度的影響，溫度越高反向電流越大。

二極管電路分析舉例定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導通截止否則，正向管壓降硅0.6~0.7V鍺0.2~0.3V

分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負。若V陽

>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導通若V陽

<V陰或UD為負(反向偏置)，二極管截止

若二極管是理想的，正向?qū)〞r正向管壓降為零，反向截止時二極管相當于斷開。穩(wěn)壓二極管1.符號

UZ

穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓使用時要加限流電阻

穩(wěn)壓管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，穩(wěn)壓管在電路中可起穩(wěn)壓作用。UZIZIZMIZ2.伏安特性_+UIO

一種特殊的面接觸型半導體硅二極管。它在電路中與適當數(shù)值的電阻相配合能起穩(wěn)定電壓的作用。除此之外，還有

開關二極管

檢波二極管

整流二極管3.主要參數(shù)(1)穩(wěn)定電壓UZ

穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿)時管子兩端的電壓。(2)穩(wěn)定電流IZ、最大穩(wěn)定電流IZM(3)最大