半導(dǎo)體器件物理-MOSFET2課件

西安電子科技大學(xué)XIDIDIANUNIVERSITY第四章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET結(jié)構(gòu)和基本工作原理

2023/1/31場(chǎng)效應(yīng)器件物理西安電子科技大學(xué)2022/12/271場(chǎng)效應(yīng)器件物2023/1/3XIDIANUNIVERSITY4.1MOSFET結(jié)構(gòu)MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductorfield-effecttransistorMOS器件：四端器件，G、S、D、B一般情況下，VBS=0，則成為三端器件與JFET相比：控制柵為MOS結(jié)構(gòu)

源、漏摻雜與類型與襯底相反簡(jiǎn)單看作：MOS電容和兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成2022/12/27XIDIANUNIVERSITY4.2023/1/34.1MOSFET結(jié)構(gòu)MOS電容：外加VG，氧化層下方半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型層，連接SD區(qū)

強(qiáng)反型層------MOSFET的導(dǎo)電溝道VDS在溝道上產(chǎn)生電場(chǎng)，載流子從源漂移到漏，被漏極收集形成ID重要參數(shù)：溝道長(zhǎng)度L：柵氧下方源漏之間半導(dǎo)體的長(zhǎng)度.溝道寬度W：與溝長(zhǎng)垂直的水平方向的源漏區(qū)寬度柵氧厚度tox2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET

MOSFET分類(1)

n溝道MOSFET：NMOSP襯，n型反型層，電子導(dǎo)電VDS>0,ID>0p溝道MOSFET：PMOSN襯，p型反型層，空穴導(dǎo)電VDS<0,ID<0按照溝道載流子的導(dǎo)電類型分:每種器件只有一種載流子參與導(dǎo)電——單極性器件2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET

MOSFET分類(2)0柵壓是否存在反型溝道分：n溝耗盡型MOSFET零柵壓時(shí)已存在反型溝道，VTN<0加?xùn)艍篤GS<VTN,溝道關(guān)閉n溝增強(qiáng)型MOSFET零柵壓時(shí)不存在反型溝道，VTN>0，加?xùn)艍篤GS>VTN,溝道開(kāi)啟思考：不進(jìn)行專門的N型摻雜，能否形成耗盡型NMOS？2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET

MOSFET分類(3)

p溝增強(qiáng)型MOSFET零柵壓時(shí)不存在反型溝道VTP<0加?xùn)艍篤GS<VTP,溝道開(kāi)啟p溝耗盡型MOSFET零柵壓時(shí)存在反型溝道VTP>0加?xùn)艍篤GS>VTP,溝道關(guān)閉2022/12/274.1MOSFET4.1MOSFET

MOSFET分類（4）四種類型MOS晶體管的電路符號(hào)n溝、p溝的箭頭：襯底與溝道之間可形成的場(chǎng)感應(yīng)pn結(jié)的正偏方向耗盡型：代表溝道區(qū)的線為實(shí)線，即VGS=0時(shí)已存在溝道增強(qiáng)型：代表溝道區(qū)的線為虛線，即VGS=0時(shí)不存在溝道4.1MOSFETMOSFET分類（44.1MOSFET

MOSFET分類（5）四種類型MOS晶體管的的偏置條件4.1MOSFETMOSFET分類（5）四4.1MOSFET

MOSFET的閾值電壓VBS=0，即襯底接地；VGS

即為中間MOS電容兩側(cè)電勢(shì)差MOS電容VT：MOS電容半導(dǎo)體表面是否強(qiáng)反型的臨界電壓，

強(qiáng)反型層-MOSFET的導(dǎo)電溝道VGS＜VT：半導(dǎo)體表面未形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道未形成，器件截止VGS>VT：半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道形成，器件導(dǎo)通MOSFET的閾值電壓VT：表面剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓溝道內(nèi)可動(dòng)電荷Qn，面電荷密度Q`n=COX(VGS-VT)：只有VGS大于>VT，表面才產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，根據(jù)電容電壓電荷關(guān)系得Q`n2023/1/3n溝增強(qiáng)型4.1MOSFETMOSFET的閾值電壓4.1MOSFET

I-V定性分析偏置特點(diǎn)：VBS=0,源襯短接；VGS>VT,溝道形成；VDS≥0，形成漏極電流ID，造成溝厚不等厚：

VDS≥0→溝道中從源到漏電位不斷增大→溝道上一點(diǎn)X，

VXS，X從S往D移動(dòng)，VXS↑,VGX(=VGS-VXS)↓→VGX>VT,X點(diǎn)處才形成溝道,反型層可動(dòng)電荷Q`n(x)=COX(VGX-VT)，→X從S往D移動(dòng)，Q`n(x)不斷↓，源端Q`n(0)最大，漏端Q`n(L)最小溝道面電荷密度不相等可等效為溝道截面積不相等2023/1/3n溝增強(qiáng)型4.1MOSFETI-V定性分析偏置特點(diǎn)2023/1/34.1MOSFETID隨VDS的變化(1)線性區(qū)VDS＜＜VDS(sat),VDS對(duì)Vox的抵消作用可忽略→反型層和耗盡層近似均勻→溝道等效電阻不變

→ID∝VDS（線性區(qū)）2022/12/274.1MOSFETID2023/1/34.1MOSFET

ID隨VDS的變化(2)過(guò)渡區(qū)脫離線性區(qū)后，VDS↑,VDS對(duì)Vox的抵消作用不可忽略→溝道厚度不等→溝道等效電阻增加

→ID隨VDS的增長(zhǎng)率減?。ㄟ^(guò)渡區(qū)）2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFETID隨VDS的變化(3)飽和點(diǎn)飽和點(diǎn)：溝道夾斷點(diǎn)X：

反型層電荷密度剛好≈0→VGX=VT,

→VGS-VXS=VT

→VXS=VGS-VT=VDS(sat)

→2022/12/274.1MOSFETID2023/1/34.1MOSFETID隨VDS的變化(4)飽和區(qū)原溝道區(qū)：導(dǎo)電溝道區(qū)和夾斷區(qū)。電流被夾斷了嗎？導(dǎo)電溝道區(qū)可導(dǎo)電，又有電勢(shì)差，所以有電流，根據(jù)電流連續(xù)性原理，整個(gè)器件的電流仍存在，大小由導(dǎo)電溝道區(qū)決定漂移到夾斷點(diǎn)的電子在夾斷區(qū)大電場(chǎng)的作用下被掃向漏極，形成ID長(zhǎng)溝MOSFET，L變化可略，導(dǎo)電區(qū)形狀和該區(qū)上壓降不變，ID保持剛夾斷時(shí)的IDS(sat)不變，即飽和區(qū)內(nèi)ID不隨VDS的增加而增加2022/12/274.1MOSFET擊穿區(qū)：

VDS再繼續(xù)↑→漏極和襯底之間PN結(jié)反偏電壓過(guò)大

→導(dǎo)致pn結(jié)耗盡層內(nèi)發(fā)生雪崩擊穿，ID急劇增大，進(jìn)入擊穿區(qū)，→此時(shí)電壓為BVDS輸出特性曲線：VGS>VT的某常數(shù)時(shí)，ID隨VDS的變化曲線4.1MOSFETI-V特性定性分析擊穿區(qū)：4.1MOSFETn溝增強(qiáng)型MOSFET器件源漏ID-VDS特性曲線簇VGS不同，ID隨VDS變化物理過(guò)程與上述分析相同，曲線變化趨勢(shì)也相同VGS的影響：非飽和區(qū)：VGS增大，Q`n=COX(VGS-VT)增大，所以對(duì)同一VDS，ID增大飽和點(diǎn)：VDS(sat)=VGS-VT，VGS增大，VDS(sat)也增大。飽和區(qū)：VGS增大，

Q`n=COX(VGS-VT)增大，飽和電流也增大4.1MOSFETI-V特性定性分析n溝增強(qiáng)型MOSFET器件源漏ID-VDS特性曲線簇4.14.1MOSFETI-V轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性曲線：VDS為>0的某常數(shù)時(shí)，ID隨VGS的變化曲線VGS增大，Q`n=COX(VGS-VT)增大，飽和電流也增大VGSPMOSFETNMOSFET4.1MOSFET增強(qiáng)型NMOS耗盡型NMOS增強(qiáng)型PMOS耗盡型PMOS4.1MOSFETI-V輸出特性增強(qiáng)型NMOS耗盡型NMOS增強(qiáng)型PMOS耗盡型PMOS4.4.1MOSFETI-V特性定量分析p型襯底、n型溝道MOSFET04.1MOSFET溝道電流沿水平方向（X方向），柵與溝道之間電流=0溝道電流為多子漂移電流，載流子遷移率為常數(shù)緩變溝道近似（長(zhǎng)溝器件），即垂直于溝道方向上的電場(chǎng)變化遠(yuǎn)大于平行于溝道方向上的電場(chǎng)變化，EX為常數(shù)溝道中可動(dòng)面電荷密度Q`n(x)=COX(VGX-VT)沿X方向“緩變”面電荷密度另一種表示Q`n(x)=en(x)h(x)

式中h(x)為X處導(dǎo)電溝道的厚度2023/1/34.1MOSFETI-V特性:基本假設(shè)溝道電流沿水平方向（X方向），柵與溝道之間電流=02022/4.1MOSFETI-V特性定量分析歐姆定律：dVx=IDdR(x),根據(jù)定義Q`n(x)=en(x)h(x)，根據(jù)MOS結(jié)構(gòu)Q`n(x)=COX(VGX-VT)4.1MOSFET2023/1/34.1MOSFETI-V特性:溝道電流漏源電流強(qiáng)度成立條件非飽和區(qū)IV公式2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFETI-V特性:線性區(qū)與飽和區(qū)2022/12/274.1MOSFETI-2023/1/34.1MOSFETI-V特性:提高器件ID驅(qū)動(dòng)能力的途徑同一個(gè)IC中，不同晶體管的COX以及VT相同，控制不同MOS器件溝道的W/L可控制電流大小。L最小值取決于工藝水平.在工作電壓范圍內(nèi)，適當(dāng)提高器件偏置電壓VGS材料參數(shù)設(shè)計(jì)參數(shù)工藝參數(shù)2022/12/274.1MOSFETI-V特性:提2023/1/34.1MOSFETμ和VT的測(cè)試提取方法高場(chǎng)下遷移率隨電場(chǎng)上升而下降存在亞閾值電流n溝耗盡型n溝增強(qiáng)型2022/12/274.1MOSFETμ2023/1/34.1MOSFET跨導(dǎo):模型跨導(dǎo)：VDS一定時(shí)，漏電流隨VGS變化率：

又稱晶體管增益:表征FET放大能力的重要參數(shù)，反映了VGS

對(duì)ID

的控制能力單位S(西門子)，一般為幾毫西(mS)

2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET跨導(dǎo):表達(dá)式器件放大應(yīng)用，一般工作在飽和區(qū)。原因？VGS一定時(shí)，飽和區(qū)跨導(dǎo)>線性區(qū)跨導(dǎo)

2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET跨導(dǎo):提高途徑增大(W/L)，（通過(guò)版圖設(shè)計(jì)保證）增大COX，（減小氧化層厚度；采用高k介質(zhì)）增大(VGS-VT)，（增大VGS，減小VT）2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET（溝道電導(dǎo)）漏導(dǎo):模型溝道電導(dǎo)（漏導(dǎo)）：VGS一定時(shí)，漏電流隨VDS的變化率2022/12/274.1MOSFET（溝道電2023/1/34.1MOSFET源漏間的有效電阻Rds源漏間的有效電阻Rds:溝道電導(dǎo)的倒數(shù)線性區(qū)導(dǎo)通電阻：表明線性區(qū)導(dǎo)通能力飽和區(qū)輸出電阻增加線性區(qū)溝道電導(dǎo)的途徑？非飽和區(qū)漏導(dǎo)等于飽和區(qū)跨導(dǎo)同增加飽和區(qū)跨導(dǎo)的途徑2022/12/274.1MOSFET源漏2023/1/34.1MOSFET襯底偏置效應(yīng)(1)≥0必須反偏或零偏P襯最低電位N襯最高電位2022/12/274.1MOSFET4.1MOSFET襯底偏置效應(yīng)(2)源襯結(jié)能帶圖：襯底0勢(shì)能參考點(diǎn)閾值反型點(diǎn)時(shí)，反型層溝道連接源漏，VDS=0，溝道和源區(qū)電子勢(shì)能近似相等,溝道區(qū)電勢(shì)能=-eΦsVSB=0時(shí)，源區(qū)電勢(shì)=VD,閾值反型點(diǎn),半導(dǎo)體Φs=2Φfp,2Φfp≈VDVSB>0時(shí)，源區(qū)電勢(shì)=VD+VSB,閾值反型點(diǎn),半導(dǎo)體Φs

≈VD+VSB=2Φfp+VSBVSB=0,源區(qū)電勢(shì)能=-eVDVD:源襯結(jié)內(nèi)建電勢(shì)差VSB>0,源區(qū)電勢(shì)能=-e(VD+VSB)4.1MOSFET襯4.1MOSFET襯底偏置效應(yīng)(3)襯底偏壓反型條件耗盡層電荷VTN：VTN變化VSB的存在使負(fù)的耗盡層電荷更多，VT增加，且VSB越大，VT越大VSB的存在通過(guò)影響VT，進(jìn)而影響ID，襯底能起到柵極的作用，稱“背柵”4.1MOSFET襯底偏置效應(yīng)(32023/1/3XIDIANUNIVERSITYEND2022/12/27XIDIANUNIVERSITYEND西安電子科技大學(xué)XIDIDIANUNIVERSITY第四章MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管MOSFET結(jié)構(gòu)和基本工作原理

2023/1/335場(chǎng)效應(yīng)器件物理西安電子科技大學(xué)2022/12/271場(chǎng)效應(yīng)器件物2023/1/3XIDIANUNIVERSITY4.1MOSFET結(jié)構(gòu)MOSFET:Metal-Oxide-Semiconductorfield-effecttransistorMOS器件：四端器件，G、S、D、B一般情況下，VBS=0，則成為三端器件與JFET相比：控制柵為MOS結(jié)構(gòu)

源、漏摻雜與類型與襯底相反簡(jiǎn)單看作：MOS電容和兩個(gè)背靠背PN結(jié)構(gòu)成2022/12/27XIDIANUNIVERSITY4.2023/1/34.1MOSFET結(jié)構(gòu)MOS電容：外加VG，氧化層下方半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型層，連接SD區(qū)

強(qiáng)反型層------MOSFET的導(dǎo)電溝道VDS在溝道上產(chǎn)生電場(chǎng)，載流子從源漂移到漏，被漏極收集形成ID重要參數(shù)：溝道長(zhǎng)度L：柵氧下方源漏之間半導(dǎo)體的長(zhǎng)度.溝道寬度W：與溝長(zhǎng)垂直的水平方向的源漏區(qū)寬度柵氧厚度tox2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET

MOSFET分類(1)

n溝道MOSFET：NMOSP襯，n型反型層，電子導(dǎo)電VDS>0,ID>0p溝道MOSFET：PMOSN襯，p型反型層，空穴導(dǎo)電VDS<0,ID<0按照溝道載流子的導(dǎo)電類型分:每種器件只有一種載流子參與導(dǎo)電——單極性器件2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET

MOSFET分類(2)0柵壓是否存在反型溝道分：n溝耗盡型MOSFET零柵壓時(shí)已存在反型溝道，VTN<0加?xùn)艍篤GS<VTN,溝道關(guān)閉n溝增強(qiáng)型MOSFET零柵壓時(shí)不存在反型溝道，VTN>0，加?xùn)艍篤GS>VTN,溝道開(kāi)啟思考：不進(jìn)行專門的N型摻雜，能否形成耗盡型NMOS？2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFET

MOSFET分類(3)

p溝增強(qiáng)型MOSFET零柵壓時(shí)不存在反型溝道VTP<0加?xùn)艍篤GS<VTP,溝道開(kāi)啟p溝耗盡型MOSFET零柵壓時(shí)存在反型溝道VTP>0加?xùn)艍篤GS>VTP,溝道關(guān)閉2022/12/274.1MOSFET4.1MOSFET

MOSFET分類（4）四種類型MOS晶體管的電路符號(hào)n溝、p溝的箭頭：襯底與溝道之間可形成的場(chǎng)感應(yīng)pn結(jié)的正偏方向耗盡型：代表溝道區(qū)的線為實(shí)線，即VGS=0時(shí)已存在溝道增強(qiáng)型：代表溝道區(qū)的線為虛線，即VGS=0時(shí)不存在溝道4.1MOSFETMOSFET分類（44.1MOSFET

MOSFET分類（5）四種類型MOS晶體管的的偏置條件4.1MOSFETMOSFET分類（5）四4.1MOSFET

MOSFET的閾值電壓VBS=0，即襯底接地；VGS

即為中間MOS電容兩側(cè)電勢(shì)差MOS電容VT：MOS電容半導(dǎo)體表面是否強(qiáng)反型的臨界電壓，

強(qiáng)反型層-MOSFET的導(dǎo)電溝道VGS＜VT：半導(dǎo)體表面未形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道未形成，器件截止VGS>VT：半導(dǎo)體表面形成強(qiáng)反型層，導(dǎo)電溝道形成，器件導(dǎo)通MOSFET的閾值電壓VT：表面剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓溝道內(nèi)可動(dòng)電荷Qn，面電荷密度Q`n=COX(VGS-VT)：只有VGS大于>VT，表面才產(chǎn)生導(dǎo)電溝道，根據(jù)電容電壓電荷關(guān)系得Q`n2023/1/3n溝增強(qiáng)型4.1MOSFETMOSFET的閾值電壓4.1MOSFET

I-V定性分析偏置特點(diǎn)：VBS=0,源襯短接；VGS>VT,溝道形成；VDS≥0，形成漏極電流ID，造成溝厚不等厚：

VDS≥0→溝道中從源到漏電位不斷增大→溝道上一點(diǎn)X，

VXS，X從S往D移動(dòng)，VXS↑,VGX(=VGS-VXS)↓→VGX>VT,X點(diǎn)處才形成溝道,反型層可動(dòng)電荷Q`n(x)=COX(VGX-VT)，→X從S往D移動(dòng)，Q`n(x)不斷↓，源端Q`n(0)最大，漏端Q`n(L)最小溝道面電荷密度不相等可等效為溝道截面積不相等2023/1/3n溝增強(qiáng)型4.1MOSFETI-V定性分析偏置特點(diǎn)2023/1/34.1MOSFETID隨VDS的變化(1)線性區(qū)VDS＜＜VDS(sat),VDS對(duì)Vox的抵消作用可忽略→反型層和耗盡層近似均勻→溝道等效電阻不變

→ID∝VDS（線性區(qū)）2022/12/274.1MOSFETID2023/1/34.1MOSFET

ID隨VDS的變化(2)過(guò)渡區(qū)脫離線性區(qū)后，VDS↑,VDS對(duì)Vox的抵消作用不可忽略→溝道厚度不等→溝道等效電阻增加

→ID隨VDS的增長(zhǎng)率減?。ㄟ^(guò)渡區(qū)）2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFETID隨VDS的變化(3)飽和點(diǎn)飽和點(diǎn)：溝道夾斷點(diǎn)X：

反型層電荷密度剛好≈0→VGX=VT,

→VGS-VXS=VT

→VXS=VGS-VT=VDS(sat)

→2022/12/274.1MOSFETID2023/1/34.1MOSFETID隨VDS的變化(4)飽和區(qū)原溝道區(qū)：導(dǎo)電溝道區(qū)和夾斷區(qū)。電流被夾斷了嗎？導(dǎo)電溝道區(qū)可導(dǎo)電，又有電勢(shì)差，所以有電流，根據(jù)電流連續(xù)性原理，整個(gè)器件的電流仍存在，大小由導(dǎo)電溝道區(qū)決定漂移到夾斷點(diǎn)的電子在夾斷區(qū)大電場(chǎng)的作用下被掃向漏極，形成ID長(zhǎng)溝MOSFET，L變化可略，導(dǎo)電區(qū)形狀和該區(qū)上壓降不變，ID保持剛夾斷時(shí)的IDS(sat)不變，即飽和區(qū)內(nèi)ID不隨VDS的增加而增加2022/12/274.1MOSFET擊穿區(qū)：

VDS再繼續(xù)↑→漏極和襯底之間PN結(jié)反偏電壓過(guò)大

→導(dǎo)致pn結(jié)耗盡層內(nèi)發(fā)生雪崩擊穿，ID急劇增大，進(jìn)入擊穿區(qū)，→此時(shí)電壓為BVDS輸出特性曲線：VGS>VT的某常數(shù)時(shí)，ID隨VDS的變化曲線4.1MOSFETI-V特性定性分析擊穿區(qū)：4.1MOSFETn溝增強(qiáng)型MOSFET器件源漏ID-VDS特性曲線簇VGS不同，ID隨VDS變化物理過(guò)程與上述分析相同，曲線變化趨勢(shì)也相同VGS的影響：非飽和區(qū)：VGS增大，Q`n=COX(VGS-VT)增大，所以對(duì)同一VDS，ID增大飽和點(diǎn)：VDS(sat)=VGS-VT，VGS增大，VDS(sat)也增大。飽和區(qū)：VGS增大，

Q`n=COX(VGS-VT)增大，飽和電流也增大4.1MOSFETI-V特性定性分析n溝增強(qiáng)型MOSFET器件源漏ID-VDS特性曲線簇4.14.1MOSFETI-V轉(zhuǎn)移特性轉(zhuǎn)移特性曲線：VDS為>0的某常數(shù)時(shí)，ID隨VGS的變化曲線VGS增大，Q`n=COX(VGS-VT)增大，飽和電流也增大VGSPMOSFETNMOSFET4.1MOSFET增強(qiáng)型NMOS耗盡型NMOS增強(qiáng)型PMOS耗盡型PMOS4.1MOSFETI-V輸出特性增強(qiáng)型NMOS耗盡型NMOS增強(qiáng)型PMOS耗盡型PMOS4.4.1MOSFETI-V特性定量分析p型襯底、n型溝道MOSFET04.1MOSFET溝道電流沿水平方向（X方向），柵與溝道之間電流=0溝道電流為多子漂移電流，載流子遷移率為常數(shù)緩變溝道近似（長(zhǎng)溝器件），即垂直于溝道方向上的電場(chǎng)變化遠(yuǎn)大于平行于溝道方向上的電場(chǎng)變化，EX為常數(shù)溝道中可動(dòng)面電荷密度Q`n(x)=COX(VGX-VT)沿X方向“緩變”面電荷密度另一種表示Q`n(x)=en(x)h(x)

式中h(x)為X處導(dǎo)電溝道的厚度2023/1/34.1MOSFETI-V特性:基本假設(shè)溝道電流沿水平方向（X方向），柵與溝道之間電流=02022/4.1MOSFETI-V特性定量分析歐姆定律：dVx=IDdR(x),根據(jù)定義Q`n(x)=en(x)h(x)，根據(jù)MOS結(jié)構(gòu)Q`n(x)=COX(VGX-VT)4.1MOSFET2023/1/34.1MOSFETI-V特性:溝道電流漏源電流強(qiáng)度成立條件非飽和區(qū)IV公式2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1MOSFETI-V特性:線性區(qū)與飽和區(qū)2022/12/274.1MOSFETI-2023/1/34.1MOSFETI-V特性:提高器件ID驅(qū)動(dòng)能力的途徑同一個(gè)IC中，不同晶體管的COX以及VT相同，控制不同MOS器件溝道的W/L可控制電流大小。L最小值取決于工藝水平.在工作電壓范圍內(nèi)，適當(dāng)提高器件偏置電壓VGS材料參數(shù)設(shè)計(jì)參數(shù)工藝參數(shù)2022/12/274.1MOSFETI-V特性:提2023/1/34.1MOSFETμ和VT的測(cè)試提取方法高場(chǎng)下遷移率隨電場(chǎng)上升而下降存在亞閾值電流n溝耗盡型n溝增強(qiáng)型2022/12/274.1MOSFETμ2023/1/34.1MOSFET跨導(dǎo):模型跨導(dǎo)：VDS一定時(shí)，漏電流隨VGS變化率：

又稱晶體管增益:表征FET放大能力的重要參數(shù)，反映了VGS

對(duì)ID

的控制能力單位S(西門子)，一般為幾毫西(mS)

2022/12/274.1MOSFET2023/1/34.1