結(jié)型場效應(yīng)晶體管_第1頁
結(jié)型場效應(yīng)晶體管_第2頁
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文檔簡介

結(jié)型場效應(yīng)晶體管BJTFET電流控制器件電壓控制器件依靠少子工作,噪聲大依靠多子工作,噪聲低輸入阻抗低輸入阻抗高,利于直接耦合,輸入功耗小溫度穩(wěn)定性差溫度穩(wěn)定性好,具有零或負(fù)的溫度系數(shù)工藝較復(fù)雜,集成度低制造工藝較BJT,EMOS有天然的隔離,集成度高6.1.1pnJFET的基本結(jié)構(gòu)6.2器件的特性6.2.1內(nèi)建夾斷電壓、夾斷電壓和漏源飽和電壓內(nèi)建夾斷電壓：夾斷電壓：耗盡層寬度：y處電流均勻分布情況6.2.3MESFET基本結(jié)構(gòu)MESFET工作原理E型MESFET開啟電壓6.3非理想因素6.3.1溝道長度調(diào)制效應(yīng)其中，溝長調(diào)制系數(shù)6.3.2速度飽和效應(yīng)習(xí)題1（a）畫出p溝道JFET結(jié)構(gòu)的能帶圖（b）定性地討論I-V特性，包括電流方向以及電壓特性2考慮一個n溝道JFET，它具有以下參數(shù)：

Na=31018cm-3，Nd=81016cm-3，a=0.5m。（a）計算內(nèi)建夾斷電壓（b）計算未耗盡溝道寬度為0.20m時所需的柵極電壓3N溝道硅MESFET的溝道長度是L=2m。假定溝道中水平電場的均值是E=10kV/cm。計算如下情況時電子在溝道中的傳輸時間：（a）遷移率為常數(shù)

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