中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)景氣度高預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器行業(yè)總量379億元NOR-Flash增量規(guī)模大行業(yè)前景廣闊VIP

中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)景氣度高，預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器行業(yè)總量379億元，NOR-Flash增量規(guī)模大，行業(yè)前景廣闊

一、存儲(chǔ)器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

隨著智能制造的發(fā)展，我們的生活正在改變，圖像識(shí)別、語(yǔ)音識(shí)別、人機(jī)大戰(zhàn)、智能機(jī)器人、深度學(xué)習(xí)、自動(dòng)駕駛等應(yīng)用層出不窮，數(shù)據(jù)作為這些技術(shù)的核心力量，也處于爆炸式增長(zhǎng)的階段。2018年，全球生產(chǎn)的全部閃存容量為0.25ZettaBytes。而2019年全球預(yù)計(jì)數(shù)據(jù)總量40ZettaBytes。2025年全球數(shù)據(jù)將有175ZettaBytes的總量。如此驚人而又龐大的數(shù)據(jù)量，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器將具有極大的市場(chǎng)。所有的現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中都使用存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)層次來(lái)使得軟件和硬件互相補(bǔ)充，一般而言，從高層往底層走，存儲(chǔ)設(shè)備變得更慢、更便宜和更大。

目前，市場(chǎng)上主流的存儲(chǔ)器呈現(xiàn)三強(qiáng)鼎立的局面。由于上半年價(jià)格的暴跌，全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)在2016年整年里同比下降1%，2017年起市場(chǎng)將整體"回暖"，2020年其市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1000億美元。

存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。有了存儲(chǔ)器，計(jì)算機(jī)才有記憶功能，才能保證正常工作。按用途存儲(chǔ)器可分為主存儲(chǔ)器(內(nèi)存)和輔助存儲(chǔ)器(外存),也有分為外部存儲(chǔ)器和內(nèi)部存儲(chǔ)器的分類(lèi)方法。外存通常是磁性介質(zhì)或光盤(pán)等，能長(zhǎng)期保存信息。內(nèi)存指主板上的存儲(chǔ)部件，用來(lái)存放當(dāng)前正在執(zhí)行的數(shù)據(jù)和程序，但僅用于暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，關(guān)閉電源或斷電，數(shù)據(jù)會(huì)丟失。

存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。其概念很廣，有很多層次，在數(shù)字系統(tǒng)中，只要能保存二進(jìn)制數(shù)據(jù)的都可以是存儲(chǔ)器;在集成電路中，一個(gè)沒(méi)有實(shí)物形式的具有存儲(chǔ)功能的電路也叫存儲(chǔ)器，如RAM、FIFO等;在系統(tǒng)中，具有實(shí)物形式的存儲(chǔ)設(shè)備也叫存儲(chǔ)器，如內(nèi)存條、TF卡等。在計(jì)算機(jī)的運(yùn)算過(guò)程中，輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都會(huì)保存在存儲(chǔ)器里，可以說(shuō)存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)發(fā)展的核心部件之一。

國(guó)內(nèi)智能計(jì)量市場(chǎng)上，智能電表年產(chǎn)量接近1億臺(tái)/年，智能燃?xì)獗砟晷枨罅看蠹s2000萬(wàn)臺(tái)。

由于中國(guó)擁有龐大內(nèi)需市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，目前已成為全球最大集成電路消費(fèi)市場(chǎng)。中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)是獲得中國(guó)政府大力支持的一個(gè)戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，歷年集成電路設(shè)計(jì)公司規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)及設(shè)計(jì)能力顯著提升。盡管中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)公司的平均規(guī)模仍落后于世界頂尖的集成電路企業(yè)，但差距已日益縮小。

但是存儲(chǔ)器作為我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)中占比最大的領(lǐng)域之一，勢(shì)必會(huì)在我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展中扮演極為重要的角色，而云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的布局，集成電路相關(guān)政策的發(fā)布，更是為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)發(fā)展奠定了市場(chǎng)、政策等基礎(chǔ)。

由于存儲(chǔ)器產(chǎn)品的特殊性，它的設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，因此產(chǎn)品的線寬、產(chǎn)能、成品率與折舊，成為成本的最大項(xiàng)目。任何新進(jìn)者，由于產(chǎn)能爬坡，折舊等因素幾乎無(wú)法與三星等相匹敵，所以即便舍得投入巨資，恐怕也難以取勝，其中還有專(zhuān)利等問(wèn)題。

中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)面臨艱難的抉擇，現(xiàn)實(shí)的方案是可能在處理器(CPU)與存儲(chǔ)器兩者之中選一，眾所周知，處理器己經(jīng)投入近20年，龍芯的結(jié)果是有成績(jī)，但是難予推廣應(yīng)用。所以只能選擇存儲(chǔ)器是眾望所歸，僅是感覺(jué)難度太大，多數(shù)人在開(kāi)始時(shí)表示猶豫而己。如今“木己成舟”，只能齊心協(xié)力，努力拼搏向前。

《2020-2026年中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)市場(chǎng)專(zhuān)項(xiàng)調(diào)查及投資盈利分析報(bào)告》顯示：預(yù)期最困難的是第二個(gè)難關(guān)，開(kāi)始產(chǎn)能的爬坡，以及拼產(chǎn)品的成本與價(jià)格階段。它們兩者聯(lián)在一起，當(dāng)成本差異大時(shí)，產(chǎn)能爬坡的速率一定會(huì)放緩，很難馬上擴(kuò)充產(chǎn)能達(dá)到50，000-100，000片。因?yàn)榕c對(duì)手相比較，在通線時(shí)產(chǎn)能僅5，000至10，000片，對(duì)手己是超過(guò)100，000片，它的成品率近90%，而可能在70-80%。三星己經(jīng)64層3DNAND量產(chǎn)，可能尚在32層，它的折舊在30%，或者以下，而可能大於50%，以及它們的線寬尺寸小，每個(gè)12英寸硅片可能有900個(gè)管芯，而中國(guó)僅800個(gè)，或更少等。所以不容懷疑成本差異是非常明顯，要看國(guó)內(nèi)企業(yè)從資金方面能夠忍受多長(zhǎng)時(shí)間的虧損。

二、存儲(chǔ)行業(yè)景氣度高：NOR-Flash增量大，DRAM打開(kāi)業(yè)務(wù)天花板

（一）、半導(dǎo)體存儲(chǔ)領(lǐng)域產(chǎn)品總梳理

半導(dǎo)體存儲(chǔ)從應(yīng)用上劃分又可分為隨機(jī)存儲(chǔ)存儲(chǔ)器（RandomAccessMemory，縮寫(xiě)RAM），只讀存儲(chǔ)器（Read-OnlyMemory，縮寫(xiě)ROM）。

RAM：RAM又稱(chēng)主存，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲(chǔ)器。除刷新時(shí)，RAM工作時(shí)可隨時(shí)以較高速度從任一地址讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。與ROM相比，RAM最大特點(diǎn)在于數(shù)據(jù)的易失性，一旦斷電數(shù)據(jù)不能保存，因此通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行中程序的臨時(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)或存儲(chǔ)中間結(jié)果。

進(jìn)一步可將RAM分為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（DynamicRandomAccessMemory縮寫(xiě)DRAM）和靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)（StaticRandom-AccessMemory,縮寫(xiě)SRAM）。DRAM每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容和一個(gè)晶體管組成，通過(guò)電容內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的多寡表示二進(jìn)制bit是0還是1。其工作原理決定DRAM只能將數(shù)據(jù)保存較短時(shí)間，并需按時(shí)刷新以克服漏電問(wèn)題。從傳輸速度來(lái)看，DRAM在10~100ns量級(jí)，慢于SRAM,但仍然快于ROM。DRAM具備集成度高，低功耗，低成本，體積小等顯著優(yōu)勢(shì)，通常作為讀寫(xiě)頻繁的程序內(nèi)存或容量較大的主存儲(chǔ)器，如智能手機(jī)，服務(wù)器內(nèi)存等。SRAM單元結(jié)構(gòu)由六管NMOS或OS構(gòu)成，通過(guò)觸發(fā)器存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM最大特點(diǎn)是只要充電即可將數(shù)據(jù)恒常保存，不需周期性更新；但SRAM在電力供應(yīng)停止后仍會(huì)丟失數(shù)據(jù)（即volatilememory），與ROM有根本不同。SRAM是目前讀寫(xiě)速度最快的存儲(chǔ)設(shè)備,但集成度較低，價(jià)格昂貴，多用于CPU的一級(jí)緩存，二級(jí)緩存(L1/L2Cache)。

FlashROM又可分為NOR-Flash和NADNFlash。NOR和NAND都是將浮柵場(chǎng)效應(yīng)管作為基本存儲(chǔ)單位，存儲(chǔ)單元又分為三端器件，即源級(jí)，漏級(jí)和柵級(jí)。柵級(jí)為復(fù)合結(jié)構(gòu)，與外界電源接觸的是控制柵極，不接觸的為浮柵?？刂茤排c浮柵，浮柵與硅襯底之間有二氧化硅絕緣層，以保護(hù)柵極中電荷不泄露。NAND作為電壓控制器件，其讀寫(xiě)基于隧穿效應(yīng)，通過(guò)對(duì)控制柵施加足夠正電壓使電流隧穿浮柵與硅襯底之間絕緣層，穿過(guò)后的電子形成“記憶“效應(yīng)，通過(guò)充電實(shí)現(xiàn)以頁(yè)為單位的數(shù)據(jù)寫(xiě)入，放電實(shí)現(xiàn)以塊為單位的數(shù)據(jù)擦除。NOR閃存擦除數(shù)據(jù)同樣基于隧穿效應(yīng)，只是采用熱電子注入方式（電流從浮置柵極到源極）。

NOR最小讀寫(xiě)單位是“字節(jié)”，擦除仍要按塊來(lái)擦，成本限制下不易做到大容量，一般小容量NOR讀寫(xiě)速度在120ns量級(jí)，寫(xiě)入較慢。由于NOR數(shù)據(jù)線和地址線分開(kāi)，可實(shí)現(xiàn)隨機(jī)尋址功能，且支持片上執(zhí)行代碼（XIP：executeinplace），即應(yīng)用程序直接在閃存內(nèi)運(yùn)行而無(wú)需讀取到RAM系統(tǒng)，因此適用于開(kāi)機(jī)就要執(zhí)行的代碼存儲(chǔ)。

NOR多應(yīng)用在PC的開(kāi)機(jī)啟動(dòng)系統(tǒng)BIOS，功能機(jī)開(kāi)機(jī)啟動(dòng)系統(tǒng)，車(chē)載系統(tǒng)等。NAND以頁(yè)為單位讀取數(shù)據(jù)，塊為單位擦除數(shù)據(jù)（NOR沒(méi)有頁(yè)）。NAND數(shù)據(jù)線和地址線復(fù)用，不能像NOR一樣實(shí)現(xiàn)隨機(jī)尋址，因此讀取速度比NOR慢，但寫(xiě)入和擦除速度更快。NAND內(nèi)部電路更為簡(jiǎn)單，數(shù)據(jù)密度大，體積更小，成本更低，目前多作為大容量存儲(chǔ)，最常見(jiàn)應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC（DiskOnChip）和通常用的"閃盤(pán)"。

按照每存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)bit個(gè)數(shù)不同，NAND可分成SLC，MLC和TLC三類(lèi)，每單位分別存儲(chǔ)1/2/3bit。每單位bit數(shù)增加不僅使設(shè)計(jì)難度增加，還使每個(gè)狀態(tài)所分得電壓減少，所有狀態(tài)以極小的電壓區(qū)隔，電壓區(qū)隔越小越難控制，同時(shí)干擾也越復(fù)雜，導(dǎo)致讀寫(xiě)性能下降，壽命變短，可靠性降低等問(wèn)題，相應(yīng)成本也會(huì)降低。目前市場(chǎng)上也出現(xiàn)了QLC，容量更大，壽命更短，理論上擦寫(xiě)150次。從應(yīng)用上看，現(xiàn)在高端SSD會(huì)選取MLC，SLC甚至QLC，低端SSD則選取TLC，SD卡一般選取TLC。

綜上，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器雖然種類(lèi)較多，但因性能和成本差別各有市場(chǎng)。NOR-Flash自NAND面世以來(lái)市場(chǎng)不斷被擠壓，但目前NAND替代已經(jīng)完成。受人口老齡化趨勢(shì)與收入結(jié)構(gòu)影響，功能機(jī)市場(chǎng)在日本、非洲、東南亞等國(guó)仍有廣闊市場(chǎng)，且在5G基站、AMOLED屏幕和物聯(lián)網(wǎng)的推動(dòng)下，未來(lái)NOR-FLASH具備旺盛需求。SLC市場(chǎng)被MLC、SLC和QLC擠壓，但速度、可靠性和壽命等核心性能領(lǐng)先，在市場(chǎng)上具備不可替代性，常用作企業(yè)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。目前SLCNAND在網(wǎng)絡(luò)通訊、語(yǔ)音存儲(chǔ)、智能電視、工業(yè)控制、機(jī)頂盒、打印機(jī)、穿戴式設(shè)備等方面得到廣泛應(yīng)用。

（二）、NOR-Flash行業(yè)景氣度提升

1、需求端：下游需求多樣，行業(yè)景氣度提升

NOR-Flash去年經(jīng)歷行業(yè)低谷后，今年市場(chǎng)快速回溫。2018-2023年功能機(jī)市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)，繼續(xù)為NOR-Flash筑底需求。此外伴隨5G建設(shè)及AI-IoT等技術(shù)發(fā)展，下游客戶出現(xiàn)TWS、汽車(chē)電子、AMOLED/TDDI屏幕等大批新增需求，助力行業(yè)邁入上行周期。

TWS高速成長(zhǎng)帶來(lái)行業(yè)最大紅利。TWS市場(chǎng)如日中天，未來(lái)市場(chǎng)增幅巨大。TWS(TrueWirelessStereo)耳機(jī)即真無(wú)線藍(lán)牙耳機(jī),由主耳機(jī)通過(guò)無(wú)線方式向副耳機(jī)傳輸音頻信號(hào)，左右兩個(gè)耳機(jī)通過(guò)藍(lán)牙組成立體聲系統(tǒng)，其優(yōu)勢(shì)在于完全解決物理線材束縛，便攜性與功能多樣性大幅提升。在藍(lán)牙5.0技術(shù)和智能無(wú)孔化趨勢(shì)的共同推動(dòng)下，TWS市場(chǎng)增幅巨大根據(jù)統(tǒng)計(jì)TWS無(wú)線耳機(jī)的市場(chǎng)滲透率僅為15%，滲透率較低，因此受疫情影響極為有限。2020年仍然能夠維持高增長(zhǎng)。預(yù)測(cè)2020年TWS無(wú)線耳機(jī)的出貨量將達(dá)到2.3億副，TWS無(wú)線耳機(jī)的市場(chǎng)滲透率僅15%，

NOR-Flash成TWS標(biāo)配，享受行業(yè)最大紅利。TWS核心技術(shù)在于解決一對(duì)二音頻傳輸問(wèn)題。蘋(píng)果設(shè)計(jì)方案是左耳機(jī)與手機(jī)一對(duì)一連接，連接時(shí)需要配對(duì)密碼，左耳機(jī)把密鑰分享給右耳機(jī)，從而實(shí)現(xiàn)一對(duì)二連接效果。從對(duì)Airpods1.5代的拆解結(jié)果來(lái)看，每只Airpod搭載一顆高階128MNOR-Flash。伴隨功能不斷升級(jí)，2020年Airpodspro有望搭載256MNOR-Flash以存儲(chǔ)更高階代碼。由于蘋(píng)果對(duì)其設(shè)計(jì)方案進(jìn)行專(zhuān)利封鎖，安卓廠家過(guò)去只能采取轉(zhuǎn)發(fā)方案，導(dǎo)致產(chǎn)品穩(wěn)定性降低，延遲提高，功耗增加等多種問(wèn)題。但是在2019年前三季度，絡(luò)達(dá)、高通、華為依次實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，均配置NOR-Flash解決核心技術(shù)問(wèn)題，為市場(chǎng)注入新一波成長(zhǎng)動(dòng)能。容量方面以三星TWS耳機(jī)GalaxyBuds為例，該耳機(jī)搭載華邦電64MbNOR-Flash，合理推測(cè)安卓陣營(yíng)搭載NOR-Flash容量在4-64Mb之間。

智能手機(jī)屏幕：AMOLED/TDDI助NOR-Flash迎來(lái)第二春

AMOLED屏幕帶動(dòng)小容量NOR-Flash需求。AMOLED屏幕是指以AMOLED材料為主的屏幕，是OLED主流技術(shù)，具備反應(yīng)速度較快、對(duì)比度更高、視角較廣等特點(diǎn)。AMOLED面板技術(shù)難度較高，容易出現(xiàn)亮度均勻性和殘像兩大難題，需要通過(guò)外部驅(qū)動(dòng)電路感知像素的電學(xué)或光學(xué)特性并進(jìn)行補(bǔ)償（De-mura）。因De-mura編碼整合進(jìn)入驅(qū)動(dòng)IC成本過(guò)高，必須外掛一顆8Mb或16Mb的NOR-Flash存儲(chǔ)DeMura所需的編碼。

AMOLED市場(chǎng)滲透率提升，可折疊趨勢(shì)帶來(lái)下游新需求。2018年蘋(píng)果和三星的AMOLED滲透率已高達(dá)63.2%和65.7%，但受制于產(chǎn)能和良率，整體市場(chǎng)滲透率不高。2019年受益全球面板廠商顯示技術(shù)，良率和產(chǎn)能規(guī)模改善，小米、vivo等品牌將AMOLED納入旗艦機(jī)。同時(shí)2019年三星推出第一款可折疊手機(jī)GalaxyFold引發(fā)柔性屏創(chuàng)新熱潮，帶來(lái)AMOLED屏幕新增量。2019年可折疊手機(jī)滲透率約為0.1％，對(duì)應(yīng)約150萬(wàn)臺(tái)出貨量，2020年有望提升至0.7％，對(duì)應(yīng)約1000萬(wàn)臺(tái)出貨量。AMOLED滲透率從2017年的17.7%增長(zhǎng)至2019年的23.9%，預(yù)計(jì)到2020年超過(guò)LTPSLCD達(dá)到29.6%，未來(lái)仍有較大空間。

TDDI催生NOR-Flash又一需求。TDDI（TouchandDisplayDriverIntegration）指觸控與現(xiàn)實(shí)驅(qū)動(dòng)器集成。傳統(tǒng)智能手機(jī)觸控和顯示功能由兩篇芯片獨(dú)立控制，而TDDI將觸控芯片和顯示芯片二合一，推動(dòng)智能手機(jī)構(gòu)架進(jìn)入新階段。TDDI技術(shù)支持無(wú)邊框設(shè)計(jì)及，有效提高屏占比，并兼具低成本、高集成度、顯示色彩更明亮,供應(yīng)鏈簡(jiǎn)化等多重優(yōu)勢(shì)。TDDI觸控功能所需編碼容量較大，無(wú)法一并整合至芯片，需外掛一顆4-16Mb的NOR-Flash存儲(chǔ)所需分位編碼，并輔助TDDI進(jìn)行參數(shù)調(diào)整。

全面屏趨勢(shì)驅(qū)動(dòng)TDDI市場(chǎng)快速成長(zhǎng)。三星2017年3月推出S8旗艦機(jī)，屏占比84%，得到不俗市場(chǎng)反饋，隨后蘋(píng)果推出iPhoneX點(diǎn)燃全球全面屏市場(chǎng)。目前，蘋(píng)果、三星、華為、小米、OPPO、索尼、LG等主流品牌都已采用全面屏設(shè)計(jì)，TDDI技術(shù)進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)時(shí)代。根2019年全球TDDI出貨量突破5億顆，滲透率達(dá)28%。

AI-IoT領(lǐng)域打造NOR-Flash市場(chǎng)潛力。物聯(lián)網(wǎng)（IoT）技術(shù)是指在通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)等信息載體在所有行使獨(dú)立功能的物體之間實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物互聯(lián)，物聯(lián)網(wǎng)催生海量數(shù)據(jù)信息，AI對(duì)信息進(jìn)行整合分析，兩項(xiàng)技術(shù)結(jié)合對(duì)下游應(yīng)用端產(chǎn)生革命性影響。NOR-Flash被認(rèn)為是物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備存儲(chǔ)數(shù)據(jù)信息首選，并觸及到大容量NAND市場(chǎng)。因?yàn)镮oT應(yīng)用受系統(tǒng)成本以及設(shè)計(jì)尺寸的限制，通常會(huì)減小或者去除DRAM，NOR-Flash可直接讀取代碼完成芯片內(nèi)執(zhí)行，不用將代碼再讀到系統(tǒng)RAM中。而AI運(yùn)算必須頻繁調(diào)動(dòng)閃存內(nèi)的數(shù)據(jù)庫(kù)和算法，只有保證數(shù)據(jù)吞吐量才能使AI高效運(yùn)行。高性能大容量SPINOR能以極高速度完成數(shù)據(jù)庫(kù)、代碼和算法讀取，并在整個(gè)過(guò)程中保證實(shí)時(shí)響應(yīng)。未來(lái)三年對(duì)NOR-Flash影響較為顯著且確定性最強(qiáng)的是汽車(chē)電子和智能家居領(lǐng)域。智能家居帶動(dòng)NOR-Flash穩(wěn)健增長(zhǎng)。2019年全球智能家居市場(chǎng)出貨量達(dá)8.8億臺(tái)，市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1030億美元，同比增長(zhǎng)12.5%。智能家居細(xì)分市場(chǎng)包括智能家電、智能照明、家庭安防、智能連接與控制多個(gè)領(lǐng)域，單個(gè)設(shè)備搭載單個(gè)NOR-Flash，容量在1-128Mb之間。

在汽車(chē)電子領(lǐng)域，ADAS車(chē)載系統(tǒng)帶來(lái)顯著NOR-Flash市場(chǎng)增量。ADAS即高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)，在汽車(chē)啟動(dòng)后，高分辨率顯示屏需要在極短時(shí)間內(nèi)顯示儀表盤(pán)、導(dǎo)航地圖，以及可支持ADAS的后視攝像機(jī)畫(huà)面等高解析圖形，符合x(chóng)SPI規(guī)范的8通道SPINOR-Flash的即時(shí)啟動(dòng)特性可將整個(gè)過(guò)程縮短在1s以?xún)?nèi)，解決當(dāng)前ADAS系統(tǒng)緩慢上電問(wèn)題。單個(gè)ADAS系統(tǒng)需搭載一顆或多顆32-128Mb容量的NOR-Flash,更高端ADAS系統(tǒng)需配置1Gb的NOR-Flash。據(jù)預(yù)測(cè)，2015-2021年ADAS系統(tǒng)將加速滲透，出貨量從8800萬(wàn)單元增長(zhǎng)至2.8億單元，年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)28%。

5G基站需要大容量NOR-Flash。在無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施上，現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列（FPGA）以及互補(bǔ)式片上系統(tǒng)（SoC）得到了廣泛的應(yīng)用。由于NOR-Flash存儲(chǔ)器在初始響應(yīng)和啟動(dòng)時(shí)提供高可靠性，讀取數(shù)據(jù)速度快，數(shù)據(jù)保存時(shí)間長(zhǎng)達(dá)十年，因此被廣泛應(yīng)用到無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施中來(lái)配置FPGA和SoC，以快速啟動(dòng)這些設(shè)備。此外NOR-Flash還具備兩個(gè)重要優(yōu)勢(shì)，其低功耗特性利于解決無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施戶外惡劣高溫環(huán)