2021年全球刻蝕設(shè)備格局分析

2021年全球刻蝕設(shè)備格局分析一、刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)地位及概述1、產(chǎn)業(yè)地位半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)細(xì)分品類眾多，目前本土半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)仍處于成長(zhǎng)早期，其中刻蝕機(jī)作為刻蝕工藝的關(guān)鍵設(shè)備，占比晶圓制造設(shè)備最高22%的市場(chǎng)份額，略高于光刻機(jī)，主要原因是刻蝕機(jī)在成熟制程應(yīng)用更廣，雖然精度單機(jī)價(jià)格相較高端光刻機(jī)，但整體規(guī)模仍高于光刻機(jī)，是晶圓代工中最重要的生產(chǎn)設(shè)備之一。2、產(chǎn)業(yè)分類刻蝕機(jī)是晶圓制造三大核心設(shè)備之一，干法刻蝕占比90%以上市場(chǎng)份額，根據(jù)作用機(jī)理不同，干法刻蝕又可分為電容性等離子體（CCP）刻蝕設(shè)備和電感性等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備。CCP主要用于質(zhì)地較硬的電介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域；等離子體（ICP）刻蝕設(shè)備可用于質(zhì)地較軟的金屬、硅等導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域。二、刻蝕設(shè)備發(fā)展背景1、技術(shù)工藝背景按照刻蝕工藝劃分，其主要分為干法刻蝕以及濕法刻蝕。由于干法刻蝕可以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，符合現(xiàn)階段半導(dǎo)體制造的高精準(zhǔn)、高集成度的需求，因此在小尺寸的先進(jìn)工藝中，基本采用干法刻蝕工藝，導(dǎo)致干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕市場(chǎng)中占據(jù)絕對(duì)主流地位，市場(chǎng)占比超過(guò)90%。根據(jù)被刻蝕的材料的不同，刻蝕工藝可以分為金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。2、半導(dǎo)體設(shè)備政策國(guó)家政策陸續(xù)出臺(tái)，驅(qū)動(dòng)國(guó)產(chǎn)刻蝕設(shè)備行業(yè)持續(xù)發(fā)力。近年來(lái)國(guó)家加大對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策的扶持力度，多項(xiàng)重磅文件相繼出臺(tái)，主要表現(xiàn)在對(duì)于整個(gè)IC產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)的政策優(yōu)待以及對(duì)于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的相關(guān)規(guī)劃與推動(dòng)。使得我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)涌現(xiàn)出了一批擁有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的龍頭企業(yè)，有效促進(jìn)了我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的發(fā)展。三、刻蝕設(shè)備產(chǎn)業(yè)影響因素1、整體半導(dǎo)體設(shè)備現(xiàn)狀就全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模變動(dòng)而言，隨著下游消費(fèi)電子需求回暖，疊加汽車電子產(chǎn)業(yè)快速擴(kuò)張，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣度高漲帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，數(shù)據(jù)顯示，2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1026.4億美元，同比2020年增長(zhǎng)44%以上，經(jīng)歷了2019年產(chǎn)業(yè)的整體萎縮，產(chǎn)業(yè)回彈規(guī)模更快。就趨勢(shì)而言，目前汽車電子仍有較大發(fā)展空間，整體消費(fèi)電子在東南亞等地滲透率有提升空間，半導(dǎo)體設(shè)備規(guī)模將保持?jǐn)U張趨勢(shì)。2、需求端：隨著半導(dǎo)體制程的不斷縮小，受光波長(zhǎng)限制，關(guān)鍵尺寸無(wú)法滿足要求，必須采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加以及刻蝕設(shè)備在晶圓產(chǎn)線中價(jià)值比率不斷上升，其中20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米工藝和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過(guò)100次。目前國(guó)內(nèi)受限于高端光刻機(jī)（EUV）及部分半導(dǎo)體設(shè)備尚未國(guó)產(chǎn)化，制程技術(shù)水平僅達(dá)14nm工藝，無(wú)法突破到7nm,且14nm完全依賴阿斯麥等國(guó)際光刻機(jī)廠商，相較全球龍頭產(chǎn)品結(jié)構(gòu)差距較大，就整體趨勢(shì)而言，隨著先進(jìn)制程占比持續(xù)上升，刻蝕設(shè)備全球需求量持續(xù)走高。四、刻蝕設(shè)備市場(chǎng)現(xiàn)狀1、市場(chǎng)規(guī)模全球刻蝕設(shè)備領(lǐng)域中，硅基刻蝕主要被Lam和AMAT壟斷，介質(zhì)刻蝕主要被TEL和Lam壟斷。數(shù)據(jù)顯示，2020年全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約為137億美元，其中，介質(zhì)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約60億美元，導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模約76億美元。2、市場(chǎng)結(jié)構(gòu)目前硅刻蝕和介質(zhì)刻蝕基本平分干法刻蝕市場(chǎng)，ICP刻蝕設(shè)備主要用于金屬及硅刻蝕，占比略高于主要用于介質(zhì)刻蝕的CCP設(shè)備，占比61%左右。這兩種設(shè)備皆為干法刻蝕主要設(shè)備，整體占比全球90%以上刻蝕方式。五、刻蝕設(shè)備競(jìng)爭(zhēng)格局1、市場(chǎng)集中度全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)呈現(xiàn)高度壟斷格局，拉姆研究、東京電子、應(yīng)用材料占據(jù)主要市場(chǎng)份額。2020年刻蝕機(jī)領(lǐng)域拉姆研究、東京電子和應(yīng)用材料整體市場(chǎng)份額近九成，國(guó)產(chǎn)企業(yè)中微公司、北方華創(chuàng)和屹唐半導(dǎo)體合計(jì)占比2.36%的市場(chǎng)份額，其中中微公司市占率為1.37%，國(guó)產(chǎn)成長(zhǎng)替代空間廣闊。2、中微公司經(jīng)營(yíng)現(xiàn)狀中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，核心產(chǎn)品包括集成電路領(lǐng)域的等離子體刻蝕設(shè)備、深硅刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備。就中微公司經(jīng)營(yíng)情況而言，隨著國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)，中微公司刻蝕設(shè)備收入持續(xù)增長(zhǎng)，截止2021年已達(dá)到20.04億元，同比2020年增長(zhǎng)55.5%，CCP和ICP刻蝕設(shè)備分別銷售14.93億元和5.1億元，毛利率都在44%左右。六、國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)截至2020年12月16日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)累計(jì)招