GB/T 13539.4-2016低壓熔斷器第4部分：半導體設備保護用熔斷體的補充要求

ICS2912050

K31..

中華人民共和國國家標準

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.代替:

GB/T13539.4—2009

低壓熔斷器

第4部分半導體設備保護用熔斷體

:

的補充要求

Low-voltagefuses—

Part4Sulementarreuirementsforfuse-linksfortherotectionof

:ppyqp

semiconductordevices

(IEC60269-4:2012,IDT)

2016-04-25發(fā)布2016-11-01實施

中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

目次

前言

…………………………Ⅰ

總則

1………………………1

術語和定義

2………………2

正常工作條件

3……………2

分類

4………………………4

熔斷器特性

5………………4

標志

6………………………7

設計的標準條件

7…………………………8

試驗

8………………………8

附錄資料性附錄熔斷體和半導體設備的配合導則

AA()……………18

附錄規(guī)范性附錄制造廠應在產品使用說明書樣本中列出的半導體設備保護用熔斷體

BB()()

的資料

…………22

附錄規(guī)范性附錄半導體設備保護用標準化熔斷體示例

CC()………23

參考文獻

……………………39

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

前言

低壓熔斷器目前包括以下個部分

GB13539《》6:

第部分基本要求

———1:;

第部分專職人員使用的熔斷器的補充要求主要用于工業(yè)的熔斷器標準化熔斷器系統(tǒng)示

———2:()

例至

AK;

第部分非熟練人員使用的熔斷器的補充要求主要用于家用和類似用途的熔斷器標準化

———3:()

熔斷器系統(tǒng)示例至

AF;

第部分半導體設備保護用熔斷體的補充要求

———4:;

第部分低壓熔斷器應用指南

———5:;

第部分太陽能光伏系統(tǒng)保護用熔斷體的補充要求

———6:。

本部分為的第部分

GB135394。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分代替低壓熔斷器第部分半導體設備保護用熔斷體的補充要

GB/T13539.4—2009《4:

求本部分與相比主要技術變化如下

》。GB/T13539.4—2009:

增加電壓源逆變器內容包括特性技術要求及試驗方法等

———VSI(),VSI、;

表和型熔斷體的約定時間和約定電流中型約定不熔斷電流I從I

———101“‘gR’‘gS’”,“gR”nf1.1n

改為I

1.13n;

表完整試驗清單中刪去了交流試驗補充了試驗并將腳注

———102“”No.6~No.10,VSINo.21,a

修改為如果周圍空氣溫度在和之間弧前I2t特性有效

“10℃30℃,”;

表同一熔斷體系列中最小額定電流熔斷體試驗一覽表中刪去了交流試驗和直流

———103“”No.6

試驗

No.11;

指示裝置和撞擊器如有的動作增加指示裝置或撞擊器的性能和性能驗證由制造

———8.4.3.6“()”“

廠和用戶協(xié)商規(guī)定

”;

將原表驗證交流截斷電流I2t特性和電弧電壓特性試驗參數(shù)刪去改為新的表

———106“、”,106

熔斷體分斷能力試驗參數(shù)

“VSI”;

附錄的型螺栓連接熔斷體系統(tǒng)和型接觸片式熔斷體系統(tǒng)中

———CC“CC.3B———DIN”“CC.5A”

增加了和型熔斷體的約定時間和約定電流表

“‘gR’‘gS’”;

附錄的北美熔斷體系統(tǒng)增加了分斷能力試驗的恢復電壓要求

———CC;

附錄增加了法國的型圓筒形帽熔斷體系統(tǒng)

———CCB。

本部分使用翻譯法等同采用低壓熔斷器第部分半導體設備保護用熔斷體

IEC60269-4:2012《4:

的補充要求

》。

與本部分中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應關系的我國文件如下

:

優(yōu)先數(shù)和優(yōu)先數(shù)系

———GB/T321—2005(ISO3:1973,IDT);

電氣設備用圖形符號第部分圖形符號

———GB/T5465.2—20082:(IEC60417DB:2007,

IDT);

低壓熔斷器第部分基本要求

———GB13539.1—20151:(IEC60269-1:2009,IDT);

低壓熔斷器第部分專業(yè)人員使用的熔斷器的補充要求主要用

———GB/T13539.2—20152:(

于工業(yè)的熔斷器標準化熔斷器系統(tǒng)示例至

)AK(IEC60269-2:2013,IDT);

低壓熔斷器第部分非熟練人員使用的熔斷器的補充要求主要用于

———GB13539.3—20083:(

Ⅰ

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

家用和類似用途的熔斷器標準化熔斷器系統(tǒng)示例至

)AF(IEC60269-3:2006,IDT)。

本部分作了下列編輯性修改

:

刪除國際標準的前言

———;

圖中右上圖有個剖視符號個疑有誤刪去此外右下圖中詳圖6)疑有誤改

———CC.63“x”,2,;“X”,

為詳圖5)

“X”;

中見疑有誤改為見

———CC.6.1“(CC.6.4)”,“(CC.6.3)”。

本部分由中國電器工業(yè)協(xié)會提出

。

本部分由全國熔斷器標準化技術委員會歸口

(SAC/TC340)。

本部分負責起草單位上海電器科學研究院

:。

本部分參加起草單位上海電器陶瓷廠有限公司人民電器集團有限公司好利來中國電子科技

:、、()

股份有限公司西安西整熔斷器廠美爾森電氣保護系統(tǒng)上海有限公司浙江正泰電器股份有限公司

、、()、、

浙江西熔電氣有限公司上海西門子線路保護系統(tǒng)有限公司溫州三實電器有限公司浙江新力熔斷器

、、、

有限公司樂清市滬熔特種熔斷器有限公司西安中熔電氣有限公司庫柏西安熔斷器有限公司上海電

、、、、

器設備檢測所

。

本部分主要起草人吳慶云張麗麗林海鷗李全安賴文輝劉雙庫賈煒李傳上李振飛周綱

:、、、、、、、、、、

黃旭雄方徑林鄭愛國石曉光張懿易穎

、、、、、。

本部分所代替標準的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB13539.4—1992;

———GB/T13539.4—2005、GB/T13539.7—2005;

———GB/T13539.4—2009。

Ⅱ

GB/T135394—2016/IEC60269-42012

.:

低壓熔斷器

第4部分半導體設備保護用熔斷體

:

的補充要求

1總則

除規(guī)定外補充下列要求

IEC60269-1:2006,。

半導體設備保護用熔斷體應符合所有要求并且還應符合本部分規(guī)定的補充

IEC60269-1:2006,

要求

。

11范圍和目的

.

本部分的補充要求適用于安裝在具有半導體裝置的設備上的熔斷體該熔斷體適用于標稱電壓不

,

超過交流或直流的電路如適用還可用于更高的標稱電壓的電路

1000V1500V。,。

注1此類熔斷體通常稱為半導體熔斷體

:“”。

注2在多數(shù)情況下組合設備的一部分可用作熔斷器底座由于設備的多樣性難以作出一般的規(guī)定組合設備

:,。,;

是否適合作熔斷器底座宜由用戶與制造廠協(xié)商但是如果采用獨立的熔斷器底座或熔斷器支持件他們

,。,,

應符合的相關要求

IEC60269-1:2006。

注3專用于太陽能光伏系統(tǒng)的保護

:IEC60269-6。

本部分的目的是確定半導體熔斷體的特性從而在相同尺寸的前提下可以用具有相同特性的其他

,,

型式的熔斷體替換半導體熔斷體因此本部分中特別規(guī)定了

。,:

熔斷體的下列特性

a):

額定值

1);

正常工作時的溫升

2);

耗散功率

3);

時間電流特性

4)-;

分斷能力