GB/T 14863-2013用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法

ICS29045

H80.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T14863—2013

代替

GB/T14863—1993

用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系

測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法

Methodfornetcarrierdensityinsiliconepitaxiallayersbyvoltage-capacitance

ofgatedandungateddiodes

2013-12-31發(fā)布2014-08-15實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T14863—2013

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流

GB/T14863—1993《-

子濃度的標(biāo)準(zhǔn)方法

》。

本標(biāo)準(zhǔn)與相比主要有下列變化

GB/T14863—1993,:

增加了標(biāo)準(zhǔn)的前言

———“”;

調(diào)整并增加了引用標(biāo)準(zhǔn)

———;

對(duì)試驗(yàn)條件試驗(yàn)方法進(jìn)行了簡(jiǎn)化和調(diào)整

———、;

對(duì)附錄進(jìn)行了調(diào)整

———。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院歸口

。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究

:、

所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人何秀坤董顏輝周智慧段曙光劉筠

:、、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T14863—1993。

Ⅰ

GB/T14863—2013

用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系

測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用柵控和非柵控二極管的電壓電容關(guān)系測(cè)定硅外延層中凈載流子濃度的測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于外延層厚度不小于某一最小厚度值見附錄相同或相反導(dǎo)電類型襯底上的型或

(A)n

型外延層的凈載流子濃度測(cè)量本標(biāo)準(zhǔn)也適用于硅拋光片的凈載流子濃度測(cè)量

p。。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

硅外延層擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定直排四探針法

GB/T14141、

硅外延層載流子濃度測(cè)定汞探針電容電壓法

GB/T14146-

重?fù)诫s襯底上輕摻雜硅外延厚度的紅外反射測(cè)量方法

GB/T14847

用磨角和染色技術(shù)測(cè)定硅外延或擴(kuò)散層厚度的試驗(yàn)方法

SEMIMF110-1105

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

擊穿電壓breakdownvoltage

被測(cè)二極管出現(xiàn)漏電電流時(shí)的反向偏壓

10μA。

4方法原理

測(cè)量柵控或非柵控結(jié)或肖特基二極管的小訊號(hào)高頻電容與反向偏壓的函數(shù)關(guān)系由所測(cè)電容

p-n,

和反向偏壓值確定凈載流子濃度與深度的函數(shù)關(guān)系對(duì)于柵控二極管的測(cè)量柵極加一恒定偏壓

。,。

5測(cè)量儀器

51電容電橋或電容計(jì)

.

量程滿刻度為以倍增大或減小測(cè)量頻率范圍為每個(gè)

1pF~1000pF,10。0.09MHz~1.1MHz,

量程準(zhǔn)確度優(yōu)于滿刻度的重復(fù)性優(yōu)于滿刻度的儀器應(yīng)能承受或絕對(duì)值更高的外

1.0%,0.25%。200V

加直流偏壓能補(bǔ)償不低于的外部探針架的雜散電容內(nèi)部交流測(cè)量訊號(hào)不大于

,5pF,0.05V(r.m.s)。

52數(shù)字電壓表或電位計(jì)

.

其靈敏度優(yōu)于