標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 18032-2000 砷化鎵單晶AB微缺陷檢驗方法》作為一項國家標(biāo)準(zhǔn)，詳細(xì)規(guī)定了砷化鎵（GaAs）單晶材料中AB微缺陷的檢測和評估方法。然而，您提供的對比項似乎不完整，沒有明確指出要與哪個具體的標(biāo)準(zhǔn)或版本進行比較。因此，直接對與未知標(biāo)準(zhǔn)的具體變更進行描述是不可能的。但是，我可以概述《GB/T 18032-2000》本身的關(guān)鍵內(nèi)容和可能的一般性更新方向，這些在標(biāo)準(zhǔn)修訂或與其他標(biāo)準(zhǔn)比較時通常是關(guān)注的重點。

該標(biāo)準(zhǔn)主要涵蓋了以下幾個方面：

  1. 定義與術(shù)語：明確了砷化鎵單晶中AB微缺陷的基本定義和相關(guān)專業(yè)術(shù)語，為后續(xù)檢驗提供了統(tǒng)一語言基礎(chǔ)。
  2. 檢驗原理：闡述了利用特定的物理或化學(xué)方法來識別和分析GaAs單晶中的AB微缺陷的科學(xué)原理。
  3. 樣品制備：規(guī)定了檢驗前樣品應(yīng)如何切割、拋光及清洗，確保檢驗結(jié)果的準(zhǔn)確性。
  4. 檢驗方法：詳細(xì)描述了包括透射電子顯微鏡（TEM）、掃描電子顯微鏡（SEM）、X射線衍射（XRD）等在內(nèi)的多種檢測手段及其操作步驟。
  5. 缺陷分類與評定：根據(jù)缺陷的形態(tài)、尺寸、分布等特點進行分類，并給出了評定缺陷等級的標(biāo)準(zhǔn)。
  6. 數(shù)據(jù)處理與報告：規(guī)范了檢測數(shù)據(jù)的記錄、統(tǒng)計和報告格式，確保檢驗結(jié)果的可追溯性和一致性。

如果要比較該標(biāo)準(zhǔn)與其他標(biāo)準(zhǔn)或其后續(xù)修訂版的差異，通常會關(guān)注上述領(lǐng)域的更新或增補，例如：

  • 技術(shù)進步：新檢測技術(shù)的引入，如更高級的顯微技術(shù)，可能會導(dǎo)致檢驗方法的變更。
  • 標(biāo)準(zhǔn)細(xì)化：對缺陷分類的更加精細(xì)，或是新增缺陷類型的定義，以適應(yīng)材料質(zhì)量控制的更高要求。
  • 操作流程優(yōu)化：樣品制備和檢測流程的簡化或優(yōu)化，以提高效率和減少對樣品的損害。
  • 限值調(diào)整：根據(jù)行業(yè)需求或研究成果，對缺陷接受限值進行修訂，以更好地反映產(chǎn)品質(zhì)量要求。

由于缺乏具體的比較對象，以上內(nèi)容僅為一般性的指導(dǎo)思路，旨在說明在不同標(biāo)準(zhǔn)間或同一標(biāo)準(zhǔn)的修訂過程中可能涉及的變更類型。


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  • 正在執(zhí)行有效
  • 2000-04-03 頒布
  • 2000-09-01 實施
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TCS.77.040.01H24中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T18032—2000砷化家單晶AB微缺陷檢驗方法TheinspectingmethodofABmicroscopicdefectingalliumarsenidesinglecrystal2000-04-03發(fā)布2000-09-01實施國家質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)神化鎮(zhèn)單晶AB微缺陷檢驗方法GB/T18032-2000中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號郵政編碼：100045電話：63787337.637874472000年9月第一版2006年1月電子版制作書號：155066·1-16984版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報電話：010)68533533

GB/T18032-2000砷化篆晶片是光電、微波及高速集成電路等器件的重要襯底材料。近年來，普遍認(rèn)為襯底材料中的AB微缺陷對器件的性能有明顯的影響,例如對砷化家FET器件性能進行測試之后,用AB腐蝕液顯示FET芯片上的AB微缺陷，發(fā)現(xiàn)芯片上的AB微缺陷密度高時,FET器件的低頻跨導(dǎo)很低：當(dāng)AB微缺陷密度低時,FET的低頻跨導(dǎo)較高。由此可見AB液顯示的AB微缺陷密度對了解襯底質(zhì)量和提高器件性能是一個不可忽略的參數(shù)。目前國內(nèi)外都在對砷化鏢單品AB微缺陷進行研究。但是在檢驗方法上還沒有形成一個統(tǒng)一的規(guī)范。在此時制定《砷化鏢單品AB微缺陷檢驗方法》的國家標(biāo)準(zhǔn)是適時的、非常必要的。本標(biāo)準(zhǔn)可為砷化鏢材料和器件的生產(chǎn)、科研單位對AB微缺陷的檢驗提供依據(jù)，本標(biāo)準(zhǔn)由國家有色金屬工業(yè)局提出。本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所歸口本標(biāo)準(zhǔn)由北京有色金屬研究總院起草本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王海濤、錢嘉裕、王彤涵、宋斌、樊成才

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)砷化家單晶AB微缺陷檢驗方法GB/T18032-2000TheinspectingmethodofABmicroscopiedefectingalliumarsenidesinglecrystal適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化家單品AB微缺陷的檢驗方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于砷化鏢單品AB微缺陷密度（AB-EPD)的檢驗。檢驗面為(100)面。測量范圍小于5×10°cm-。2定義2.1AB腐蝕液ABetchantAB腐蝕液用于顯示砷化鏢單品AB微缺陷及位錯線的一種化學(xué)腐蝕劑2.2AB微缺陷ABmicrodefect神化鏢單品片經(jīng)AB腐蝕液腐蝕后,在(100)面上顯示出的橢圓狀腐蝕坑所表征的微缺陷2.3AB微缺陷密度(AB-EPD）ABmicrodelectdensity用AB腐蝕液顯示出砷化鏢單品片(100)面上在單位表面積內(nèi)AB微缺陷腐蝕坑的個數(shù)(個/cm2)方法原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示缺陷。由于單品中缺陷附近的原子排序被破壞，品格畸變，應(yīng)變比較大.在某些化學(xué)腐蝕劑中品體缺陷處與非缺陷處腐蝕速度不同,利用這種異常的物理化學(xué)效應(yīng).在表面處產(chǎn)生選擇性的浸蝕，從而形成特定的腐蝕圖形化學(xué)試劑A1硫酸（H.SO,）,分析純4.2過氧化氫(H.O.)，分析純4.3氫氟酸(HF)分析純。4.4三氧化鉻(CrO,),分析純4.5硝酸銀(AgNO,),分析純4.6去離子水,電阻率大于5MQ·cm.5試樣制備5.1定向切割從砷化鏢單品鏡的待測部分經(jīng)定向切取

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