標(biāo)準(zhǔn)解讀

GB/T 20724-2006 是一項(xiàng)中國國家標(biāo)準(zhǔn)，全稱為《薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測定方法》。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了利用會(huì)聚束電子衍射技術(shù)來測定薄晶體樣品厚度的方法原理、實(shí)驗(yàn)條件、操作步驟、數(shù)據(jù)處理以及測量精度評(píng)估等內(nèi)容。下面是該標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容概述：

標(biāo)準(zhǔn)適用范圍

本標(biāo)準(zhǔn)適用于使用透射電子顯微鏡(TEM)中的會(huì)聚束電子衍射技術(shù)，對(duì)厚度在納米尺度范圍內(nèi)的薄晶體樣品進(jìn)行非破壞性測量。這些樣品通常用于材料科學(xué)、半導(dǎo)體技術(shù)、納米技術(shù)和生物醫(yī)學(xué)研究等領(lǐng)域。

基本原理

  • 會(huì)聚束電子衍射：與傳統(tǒng)的平行束電子衍射不同，會(huì)聚束電子衍射技術(shù)采用聚焦電子束照射樣品，產(chǎn)生衍射花樣。這種方法能提供更高空間分辨率的信息，適用于超薄樣品的分析。
  • 布拉格方程：是分析衍射圖案的基礎(chǔ)，用于計(jì)算晶體平面間距，進(jìn)而通過特定模型估算樣品厚度。

實(shí)驗(yàn)條件與設(shè)備

  • 透射電子顯微鏡：需要具備高分辨成像和會(huì)聚束電子衍射功能。
  • 樣品制備：樣品需薄且均勻，通常通過超薄切片、離子減薄等方法制備。
  • 電子束參數(shù)：包括束流強(qiáng)度、會(huì)聚半角、加速電壓等，應(yīng)根據(jù)樣品特性進(jìn)行優(yōu)化設(shè)定。

測量步驟

  1. 樣品安裝：將制備好的樣品放置于TEM的樣品臺(tái)上，并確保其穩(wěn)定。
  2. 調(diào)整束流：調(diào)節(jié)電子束的會(huì)聚程度，以獲得適宜的衍射條件。
  3. 采集衍射圖像：記錄電子束照射樣品產(chǎn)生的衍射花樣，可能包括選取特定區(qū)域或全視場掃描。
  4. 數(shù)據(jù)解析：根據(jù)衍射斑點(diǎn)的位置、強(qiáng)度分布，應(yīng)用相應(yīng)的理論模型和計(jì)算方法確定晶體的面間距，進(jìn)一步推算樣品的厚度。

數(shù)據(jù)處理與精度評(píng)估

  • 圖像處理軟件：使用專門軟件對(duì)獲取的衍射圖像進(jìn)行分析，包括斑點(diǎn)識(shí)別、標(biāo)定等。
  • 誤差分析：考慮儀器精度、樣品不均勻性、電子束散射等因素，評(píng)估測量結(jié)果的不確定度。

結(jié)果表達(dá)與報(bào)告

標(biāo)準(zhǔn)要求測量結(jié)果應(yīng)清晰表述，包括但不限于樣品基本信息、實(shí)驗(yàn)條件、測量值及其不確定度，并建議提供衍射圖樣作為附件，以便復(fù)核驗(yàn)證。


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  • 2006-12-25 頒布
  • 2007-08-01 實(shí)施
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文檔簡介

ICS71.040.99N53中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T20724—2006薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測定方法Methodofthicknessmeasurementforthincrystalbyconvergentbeamelectrondiffraction2006-12-25發(fā)布2007-08-01實(shí)施中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測定方法GB/T20724-2006中中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045.en電話：010)51299090.685220062007年6月第一版書號(hào)：155066·1-29497版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010)68522006

GB/T20724一2006前本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口.本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京科技大學(xué)。本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人:柳得檐。本標(biāo)準(zhǔn)為首次制定

GB/T20724-2006薄晶體厚度的會(huì)聚束電子衍射測定方法范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用透射電子顯微鏡測定薄品體試樣厚度的會(huì)聚束電子衍射方法。本方法適用于測定線度為10-°m～0.1×10-3m、厚度在幾十至幾百納米范圍的薄晶體厚度規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件,其隨后所有的修改單(不包括勒誤的內(nèi)容)或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn).然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB/T18907—2002透射電子顯微鏡選區(qū)電子衍射分析方法術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)31會(huì)聚束電子衍射convergentbeamelectrondiffraction（CBED)一種電子衍射方法,由電子槍發(fā)射的高能電子束被會(huì)聚成直徑很小而孔徑角較大(通常大于10-弧度)的照明束照射試樣,所得到的衍射圖由具有一定尺寸的衍射圓盤與直射圓盤組成，在衍射盤內(nèi)出現(xiàn)衍射條紋襯度。3.2薄晶體試樣ethincrystalspecimen能夠置放在透射電子顯微鏡試樣臺(tái)上并對(duì)高能照明電子束透明的品體試樣33萃取復(fù)型試樣lextractionreplicaspecimen應(yīng)用化學(xué)或電化學(xué)方法將固態(tài)試樣表面形貌或顯微組織復(fù)制在復(fù)型材料上,同時(shí)把試樣中的第二相顆粒萃取在該復(fù)型上的一種試樣3.4Kossel-Millenstedt衍射圖Kossel-Millenstedtpattern衍射盤與直射盤沒有重疊，而且盤內(nèi)呈現(xiàn)衍射襯度的一種會(huì)聚束電子衍射圖3.5雙束近似twobeamapproximation進(jìn)行電子衍射實(shí)驗(yàn)時(shí),使晶體試樣僅有一列品面(hi)滿足布拉格反射條件的一種近似條件原理在透射電子顯微鏡中的薄晶體試樣被會(huì)聚電子束照射時(shí),產(chǎn)生會(huì)聚束電子衍射圖。利用雙束近似條件下衍射盤內(nèi)的Kossel-Mollenstedt條紋可精確測定薄品體試樣微區(qū)的厚

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