高中化學高考三輪沖刺三輪沖刺 2023年高考化學三輪題型搶分講義講義16 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)

講義16物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)【高考定位】物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的常見題型為綜合題，常以元素推斷或某一主題兩種方式引入，考查學生的歸納推理能力、信息遷移能力以及綜合應(yīng)用能力。物質(zhì)結(jié)構(gòu)包括原子結(jié)構(gòu)(原子核外電子排布、原子的雜化方式、元素電負性大小比較、元素金屬性、非金屬性的強弱)、分子結(jié)構(gòu)(化學鍵、分子的電子式、結(jié)構(gòu)式、結(jié)構(gòu)簡式的書寫、化學式的種類、官能團等)、晶體結(jié)構(gòu)(晶體類型的判斷、物質(zhì)熔沸點的高低、影響因素、晶體的密度、均攤方法的應(yīng)用等)?！局R講解】一、原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中常見的命題角度有原子核外電子的排布規(guī)律及其表示方法、原子結(jié)構(gòu)與元素電離能和電負性的關(guān)系及其應(yīng)用。在高考試題中，各考查點相對獨立，難度不大。試題側(cè)重原子核外電子排布式或軌道表示式，未成對電子數(shù)判斷，電負性、電離能、原子半徑和元素金屬性與非金屬性比較的考查。高考中考查點主要集中在電子排布的書寫及電離能、電負性大小比較上，所以在書寫基態(tài)原子電子排布時，應(yīng)避免違反能量最低原理、泡利原理、洪特規(guī)則及特例；還需注意同能級的軌道半充滿、全充滿或全空狀態(tài)的原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定如Cr：3d54s1、Mn：3d54s2、Cu：3d104s1、Zn：3d104s2；另外需理解電離能與金屬性及金屬元素價態(tài)的關(guān)系，電負性與非金屬性及組成化合物所形成的化學鍵的關(guān)系。二、分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中的常見命題角度有圍繞某物質(zhì)判斷共價鍵的類型和數(shù)目，分子的極性、中心原子的雜化方式，微粒的立體構(gòu)型，氫鍵的形成及對物質(zhì)的性質(zhì)影響等，考查角度較多，但各個角度獨立性大，難度不大。試題側(cè)重微粒構(gòu)型、雜化方式、中心原子的價層電子對數(shù)、配位原子判斷與配位數(shù)、化學鍵類型、分子間作用力與氫鍵、分子極性的考查。?？键c有對σ鍵和π鍵判斷，要掌握好方法；雜化軌道的判斷，要理解常見物質(zhì)的雜化方式；通過三種作用力對性質(zhì)的影響解釋相關(guān)現(xiàn)象及結(jié)論。注意以下三個誤區(qū)：不要誤認為分子的穩(wěn)定性與分子間作用力和氫鍵有關(guān)，其實分子的穩(wěn)定性與共價鍵的強弱有關(guān)；不要誤認為組成相似的分子，中心原子的雜化類型相同，關(guān)鍵是要看其σ鍵和孤電子對數(shù)是否相同。如BCl3中B原子為sp2雜化，NCl3中N原子為sp3雜化；不要誤認為只要含有氫鍵物質(zhì)的熔、沸點就高，其實不一定，分子間的氫鍵會使物質(zhì)的熔、沸點升高，而分子內(nèi)氫鍵一般會使物質(zhì)的熔、沸點降低。三、晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)在高考中常見的命題角度有晶體的類型、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系，晶體熔沸點高低的比較，配位數(shù)、晶胞模型分析及有關(guān)計算等是物質(zhì)結(jié)構(gòu)選考模塊的必考點。試題側(cè)重晶體類型判斷、物質(zhì)熔沸點的比較與原因、晶胞中微粒數(shù)的判斷、配位數(shù)、晶胞密度計算、晶胞參數(shù)、空間利用率計算的考查。物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的難點就是涉及到晶胞特點的計算類題目，涉及有關(guān)晶胞的計算時，注意單位的換算。如面心立方晶胞與體心立方晶胞的配位數(shù)不同；晶胞參數(shù)給定單位是nm或pm時，忽略換算成cm?！具^關(guān)搏殺】1．元素周期表中第四周期某些過渡元素(如Ti、Mn、Zn等)在生產(chǎn)生活中有著廣泛的應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：(1)鈦的應(yīng)用越來越受到人們的關(guān)注。①第四周期元素中，基態(tài)原子的未成對電子數(shù)與鈦相同的有___________(填元素符號)。②鈦比鋼輕、比鋁硬，是一種新興的結(jié)構(gòu)材料。鈦硬度比鋁大的原因是___________。(2)錳及其化合物的應(yīng)用研究是前沿科學之一①已知金屬錳有多種晶型，γ型錳的面心立方晶胞俯視圖符合下列___________(選填字母編號)。②三醋酸錳[(CH3COO)3Mn]是一種很好的有機反應(yīng)氧化劑。三醋酸錳[(CH3COO)3Mn]中陽離子的價層電子排布式中電子的自旋狀態(tài)___________(填“相同”或“相反”)。③Mn2＋能形成配離子為八面體的配合物MnClm·nNH3，在該配合物的配離子中，Mn2＋位于八面體的中心。若含1mol該配合物的溶液與足量AgNO3溶液作用可生成lmolAgCl沉淀，則該配離子化學式為___________。(3)比較Fe和Mn的第三電離能，I3(Fe)___________I3(Mn)(填“大于”或“小于”)，原因是___________。(4)某鈣鈦型復合氧化物如圖，以A原子為晶胞的頂點，A位可以是Ca、Sr、Ba或Pb，當B位是V、Cr、Mn、Fe時，這種化合物具有巨磁電阻效應(yīng)。已知La為＋3價，當被鈣等＋2價元素A替代時，可形成復合鈣鈦礦化合物LaxA1-xMnO3，(x＞，此時一部分＋3價錳轉(zhuǎn)變?yōu)椋?價，導致材料在某一溫度附近有反鐵磁-鐵磁、鐵磁-順磁轉(zhuǎn)變及金屬-半導體的轉(zhuǎn)變，則復合鈣鈦礦化合物中＋3價錳與＋4價錳的物質(zhì)的量之比為___________(用含x的代數(shù)式表示)。(5)具有較高催化活性的材料金紅石的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。已知該晶體的密度為dg·cm-3，Ti、O原子半徑分別為apm和bpm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，則金紅石晶體的空間利用率為___________(列出計算式)。2．金屬陶瓷是一種復合材料，兼有金屬和陶瓷的優(yōu)點，應(yīng)用非常廣泛，金屬基體可為，，，陶瓷基體為碳化硅等.回答下列問題：(1)位于元素周期表中第四周期_______族，與的基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)之比為_______。(2)與C相比，原子之間難以形成雙鍵的原因是_______。(3)已知的一種晶體結(jié)構(gòu)與、相似，則該晶體的熔點比晶體的_______(填“高”、“低")，原因是_______。(4)鈷獻菁可顯著提升二次電池的充放電效率，為增強水溶性將其改性為四氨基鈷酞菁，其結(jié)構(gòu)如圖所示：四氨基鈷酞菁中與鈷離子通過配位鍵結(jié)合的氮原子的編號是_______；水溶性得到有效改善的原因是_______。(5)的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.晶胞參數(shù)為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，晶體的密度為_______.以晶胞參數(shù)為單位長度建立的坐標系，可以表示晶胞中各原子的位置，稱作原子的分數(shù)坐標，若圖中原子1的分數(shù)坐標為，則原于2的分數(shù)坐標為_______。3．硼原子有3個價電子，但有4個價軌道，這種價電子數(shù)少于價軌道數(shù)的原子稱作缺電子原子。因此，硼的一些化合物表現(xiàn)出缺電子特征?；卮鹣铝袉栴}：(1)BF3與NH3可通過___________鍵形成氨合三氟化硼(BF3·NH3)，在該鍵中由___________原子提供空軌道。(2)硼酸分子結(jié)構(gòu)簡式可寫為B(OH)3，其晶體為層型片狀結(jié)構(gòu)，容易在層與層之間裂解，這是因為在平面層內(nèi)硼酸分子之間通過___________結(jié)合，而層與層之間通過___________結(jié)合。(3)硼砂是硼含氧酸的重要鈉鹽，其陰離子的結(jié)構(gòu)如圖所示，其中B原子的雜化方式為___________。硼砂晶體中結(jié)晶水與硼的物質(zhì)的量比為2：1，硼砂的化學式為___________。(4)固態(tài)硼化物可用作耐火材料、火箭外殼和渦輪機的葉片等，在超導領(lǐng)域也有重要應(yīng)用潛質(zhì)。如圖為一種金屬鈣硼化物的立方晶胞，該化合物的化學式為___________，鈣原子的配位數(shù)為___________。若由硼原子組成的正八面體棱長為apm，連接兩個八面體的B—B鍵長為bpm，該物質(zhì)的密度為___________g·cm-3(列表達式)。4．W、R、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，其元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)如下：元素元素性質(zhì)或原子結(jié)構(gòu)W基態(tài)原子L能層所有能級上電子數(shù)相同R第二周期元素基態(tài)原子中未成對電子最多X基態(tài)原子核外s能級上電子總數(shù)與p能級上電子總數(shù)相等，且第一電離能低于同周期相鄰元素Y次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)的2倍Z最外層只有1個電子，其它所有軌道電子均成對請按要求填空：(1)Y的基態(tài)原子有___________種不同的運動狀態(tài)的電子，Z的價電子軌道表示式為___________(2)W、R、X的簡單氫化物中，鍵角由大到小排列是___________(用對應(yīng)的分子式表示)，原因___________(3)已知：羧酸的酸性可用pKa（pKa=-lgKa）的大小來衡量，pKa越小，酸性越強；羧酸三氯乙酸()三氟乙酸()由表可見，酸性：三氯乙酸___________三氟乙酸(填“大于”、“小于”或“等于”)，從鍵的極性角度解釋原因___________(4)W和Y兩種元素可形成一種熔點為2700、摩氏硬度為的化合物，該化合物的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，Y原子緊鄰的Y原子有___________個；若晶胞參數(shù)為anm，晶體密度為，則阿伏伽德羅常數(shù)為___________(列出計算式即可)。5．鋅及其化合物在科學技術(shù)發(fā)展和人類生產(chǎn)生活中發(fā)揮著重要作用。(1)明朝《天工開物》中就已經(jīng)記載了我國古代的煉鋅技術(shù)：以爐甘石(ZnCO3)和木炭為原料高溫制取鋅。請寫出Zn2+的核外電子排布式___，ZnCO3中C原子的雜化形式為__，Zn、C、O的電負性由小到大的順序是___。(2)“此物(“鋅火”)無銅收伏，入火即成煙飛去”，意思是鋅的沸點(907℃)較低，宜與銅熔合制成黃銅。已知Zn與Cu的能量變化如下所示：Cu(g)Cu+(g)Cu2+(g)Zn(g)Zn+(g)Zn2+(g)①銅和鋅的第一電離能大小比較為I(Cu)__I(Zn)，試解釋步驟②吸收能量大于步驟④的原因__。②金屬鋅采取如圖1所示堆積方式：該堆積方式類型為___堆積，與金屬銅的堆積方式__(填“相同”或“不相同”)。(3)我國科學家最新研制成功了一種納米半導體材料可以高效實現(xiàn)光化學轉(zhuǎn)換，該種材料主要成分為硫化鎘和硫化鋅。Cd與Zn位于同一副族，且在Zn的下一周期。已知ZnS熔點為2830℃；CdS熔點為1750℃，ZnS熔點更高的原因為__。(4)圖2為ZnS晶胞，圖3為晶胞沿z軸的1∶1投影平面圖：①晶胞中最近的兩個S原子之間的距離為___pm(寫計算表達式)。②已知S2-半徑為bpm，若晶胞中S2-、Zn2+相切，則Zn2+半徑為__pm(寫計算表達式)。(寫計算表達式)。6．過渡金屬硫族化合物為具有良好可控性的半導體材料，可用于太陽能電池制備、激光技術(shù)、光催化水的裂解等領(lǐng)域。的其中一種制備方法是以CuS、ZnS、和Cu為原料高能球磨后，在氣氛中退火?；卮鹣铝袉栴}：(1)所給電子排布圖中，能表示基態(tài)S原子3p軌道電子狀態(tài)的是_______(填標號)。A．B．C．D．(2)基態(tài)的價層電子排布式是_______。(3)CuS由與反應(yīng)制備。根據(jù)價層電子對互斥模型，中心原子價層電子對數(shù)為_______。的空間構(gòu)型為_______。(4)的晶體類型與CuS相同，除上述用途外，也用于制作火柴頭?；鸩袢紵龝r，轉(zhuǎn)化為和，這三種物質(zhì)熔點由高到低的順序是_______。(5)的四方晶胞如圖所示。

①Sb位于晶胞的頂點和體心，則圖中A代表的原子是_______。②原子A的坐標為，原子B的坐標為，則原子C的坐標為_______。③設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為，則的密度為_______(列出計算表達式)。。7．鐵被譽為“第一金屬”，鐵及其化合物在生活中有廣泛應(yīng)用。(1)基態(tài)Fe原子的價電子排布式為_______。(2)N、O、S三種元素的第一電離能由大到小的順序為__(用元素符號表示)，苯酚()中碳原子的雜化軌道類型為__。(3)的熔點為306℃，沸點為315℃。的晶體類型是_。常作凈水劑和補鐵劑，的立體構(gòu)型是__。(4)羰基鐵[]可用作催化劑、汽油抗爆劑等。分子中含__鍵，與CO互為等電子體的離子是_(填化學式，寫一種)。(5)氮化鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖1所示。該晶體中鐵、氮的微粒個數(shù)之比為__。(6)氧化亞鐵晶體的晶胞如圖2所示。已知：圖1圖2氧化亞鐵晶體的密度為，代表阿伏加德羅常數(shù)的值。在該晶胞中，與緊鄰且等距離的數(shù)目為_______；與O2-最短核間距為_______pm。8．“嫦娥五號”首次實現(xiàn)了我國地外天體采樣返回，它的成功發(fā)射標志著我國航天向前邁出了一大步。其制作材料中包含了等多種元素。回答下列問題：(1)鉻()、鉬()位于同一副族相鄰周期，具有相同的價電子排布特征，則基態(tài)原子的核外價電子排布圖為___________；基態(tài)最高能層中成對電子與未成對電子的數(shù)目比為___________。(2)S與O可形成多種酸根離子及化合物等，其中的空間構(gòu)型為___________；寫出一種與互為等電子體的陰離子___________；已知酸性，原因是___________。(3)元素N有多種氫化物均具有重要的用途。分子的電子式為___________；的模型是___________；與形成的配離子為，在該配離子中，鍵角比獨立存在的分子中鍵角略大，其原因是___________。(4)與丁二酮肟生成鮮紅色丁二酮肟鎳沉淀(分子結(jié)構(gòu)如圖)，該反應(yīng)可用于檢驗分子內(nèi)微粒之間存在的化學鍵有___________(填標號)。A．離子鍵B．配位鍵C．氫鍵D．范德華力E．共價鍵參考答案【過關(guān)搏殺】1．(1)①Ni、Ge、Se②Ti原子的價電子數(shù)比Al多，金屬鍵更強(2)①D②相同③（3）小于（4）Mn2+的3d能級是半充滿的相對穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失去電子；(5)【解析】(1)①Ti是22號元素，價電子排布是，Ti的基態(tài)未成對電子數(shù)為2個，同周期中未成對電子數(shù)為2個的價電子排布還有Ni()、Ge()、Se()共3種；②Ti原子的價電子數(shù)比Al多，金屬鍵更強；(2)①金屬錳的晶胞構(gòu)型和氯化鈉的相同，都屬于面心立方構(gòu)型，晶胞俯視圖符合D；②Mn是25號元素，根據(jù)構(gòu)造原理知，Mn的基態(tài)原子核外電子排布式[Ar]3d54s2，失電子時，從最外層失去，即失去4s上2個電子和3d上一個電子，Mn3+核外價電子排布為3d4，則電子的自旋狀態(tài)相同；③配離子是八面體，即中心離子的配體共6個，含1mol該配合物的溶液與足量AgNO3溶液作用可生成lmolAgCl沉淀，說明外界有1個Cl-，其余Cl-和氨都在內(nèi)界，作為配體，外界是一個單位負電荷，則整個內(nèi)界應(yīng)帶一個單位正電荷，錳離子有兩個單位正電荷，氨不帶電荷，只需要一個帶負電荷的氯離子即可，故配離子的化學式為；(3)Fe的電子排布是[Ar]3d64s2，Mn的電子排布為[Ar]3d54s2，則Fe2+的電子排布為[Ar]3d6，Mn2+的電子排布為[Ar]3d5，Mn2+的3d能級是半充滿相對穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，較難失去電子，故第三電離能I3(Fe)較?。?4)設(shè)中三價錳與四價錳的物質(zhì)的量分別是m和n，則有3x+2(1-x)+3m+4n=6，m+n=1，解得m=x，n=1-x，則中三價錳和四價錳的物質(zhì)的量之比為；(5)晶胞中Ti原子數(shù)目=，O原子數(shù)目=，因此該物質(zhì)的化學式為TiO2，則晶胞中原子總體積為，晶胞的質(zhì)量=，則晶胞體積=，故晶胞的空間利用率是2．(1)Ⅷ；3:1(2)Si的原子半徑大于C的原子半徑，原子間難以形成π鍵(3)高；碳氧鍵的鍵長比硅氧鍵短、鍵能比硅氧鍵大，碳氧鍵的共價鍵比硅氧鍵強(4)1,3；氨基中氮原子能與水分子形成氫鍵(5)；【解析】(1)鈷元素的原子序數(shù)為27，位于元素周期表第四周期Ⅷ族；鉻元素的原子序數(shù)為24，價電子排布式為3d54s1，核外有6個不成對電子，鎳元素的原子序數(shù)為28，價電子排布式為3d84s2，核外有2個不成對電子，則鉻與鎳的基態(tài)原子核外未成對電子數(shù)之比為3:1；(2)C原子的原子半徑較小，C原子中p軌道能形成肩并肩的π鍵，與C原子相比，Si原子的原子半徑較大，Si原子中p軌道難以形成肩并肩的π鍵，則Si原子之間難以形成雙鍵；(3)由題意可知，二氧化碳晶體和二氧化硅晶體都為原子晶體，原子晶體的熔點取決于共價鍵的強弱，由于碳原子的原子半徑比硅原子小，非金屬性比硅原子強，二氧化碳晶體中碳氧鍵的鍵長比二氧化硅晶體中硅氧鍵短、鍵能比硅氧鍵大，則二氧化碳晶體中碳氧鍵的共價鍵二氧化硅晶體中比硅氧鍵強，熔點比二氧化硅晶體大；(4)含有孤對電子的氮原子與鈷離子通過配位鍵結(jié)合，形成配位鍵后氮原子能形成4個共價鍵，由鉆酞菁的結(jié)構(gòu)可知，1、3號氮原子形成4個共價鍵，2、4號氮原子形成3個共價鍵，則四氨基鈷酞菁中與鈷離子通過配位鍵結(jié)合的氮原子為1、3號；四氨基鈷酞菁中含有4個氨基，氨基中氮原子能與水分子形成氫鍵，增大在水中的溶解性；(5)由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點和面心的碳原子的個數(shù)為8×+6×=4，位于體內(nèi)的硅原子個數(shù)為4，設(shè)晶體的密度為dg/cm3，由質(zhì)量公式可得：=(c×10—10)3，解得d=；由位于體對角線四分之一處上部原子1的分數(shù)坐標為可知，晶胞的邊長為1，則位于體對角線四分之一處下部原子2的分數(shù)坐標為。3．(1)配位；B(硼)(2)氫鍵；范德華力(3)sp2、sp3；Na2B4O5(OH)4·8H2O(或Na2B4O7·10H2O)(4)CaB6；24；【解析】(1)BF3與NH3反應(yīng)生成BF3·NH3，B與N之間形成配位鍵，N原子含有孤對電子，N提供孤電子對，B原子提供空軌道；(2)1molB(OH)3含有3mol氫鍵，該平面層內(nèi)硼酸分子之間通過氫鍵結(jié)合，由于在層與層之間容易裂解，說明作用力不強，則層與層之間通過范德華力結(jié)合；(3)由圖看出與B相連的共價鍵有3和4條，則B原子的雜化方式為sp2、sp3；由硼砂陰離子的結(jié)構(gòu)可得，陽離子為Na+，有2個，結(jié)晶水與硼的物質(zhì)的量比為2：1，則H2O有8個，則硼砂的化學式為：Na2B4O5(OH)4·8H2O(或Na2B4O7·10H2O)；(4)根據(jù)晶胞結(jié)構(gòu)，一個Ca原子和1個單元有6個B原子，該化合物的化學式為CaB6，鈣原子的配位數(shù)為6×4=24；該晶胞的質(zhì)量為，八面體棱長為a，則高，立方晶胞邊長為，體積為，則該物質(zhì)的密度為=g·cm-3。4．(1)14；(2)CH4＞NH3＞H2O；NH3中心原子有一對孤電子對H2O中心原子有兩對孤電子對，CH4中心原子沒有孤電子對，而孤電子對排斥力比鍵合電子對排斥力大，所以孤電子對越多，鍵角減小(3)小于；F的電負性比Cl大，F(xiàn)-C極性大于Cl-C的極性，使F3C-C極性大于Cl3C-C的極性，導致三氟乙酸的羧基中的羥基的極性更大，更易電離出氫離子(4)12；【解析】W基態(tài)原子L能層所有能級上電子數(shù)相同，W的電子排布式為1s22s22p2，為C元素；R第二周期元素基態(tài)原子中未成對電子最多，故R為N元素；X基態(tài)原子核外s能級上電子總數(shù)與p能級上電子總數(shù)相等，且第一電離能低于同周期相鄰元素，X為O元素；Y次外層電子數(shù)是最外層電子數(shù)的2倍，K、L、M層電子數(shù)分別為2、8、4，故Y為Si元素；Z最外層只有1個電子，其它所有軌道電子均成對，電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1，為Cu元素。(1)根據(jù)分析，Y是Si元素，核外所有電子的運動狀態(tài)均不同，因此有14種不同的運動狀態(tài)的電子；Z為Cu，價電子為3d104s1，價電子排布圖為；(2)W、R、X的簡單氫化物分別為CH4、NH3、H2O，三個分子的中心原子均為sp3雜化，孤電子對排斥力比鍵合電子對排斥力大，所以孤電子對越多，鍵角減小，CH4、NH3、H2O中中心原子的孤電子對分別為0、1、2，故鍵角CH4＞NH3＞H2O；(3)由于pKa越小，酸性越強，由表可以看出，三氯乙酸的pKa大于三氟乙酸的，故酸性三氯乙酸小于三氟乙酸；同主族元素電負性從上到下依次減弱，F(xiàn)的電負性比Cl大，所以F與C形成的共價鍵極性較大，CF3COOH中F3C-C極性大于CCl3COOH中Cl3C-C的極性，導致三氟乙酸的負電性偏向-CF3，致使羧基中的羥基的極性更大，更易電離出氫離子，酸性更強；(4)由均攤法可知，晶胞中W的個數(shù)為8×+6×=4，Y的個數(shù)為4，故該物質(zhì)的化學式為SiC，由圖可以看出，C在8個頂點和6個面心，與C緊鄰的C有12個，由于化學式為SiC，故Si原子緊鄰的Si原子也有12個；晶胞密度，故NA=。5．(1)1s22s22p63s23p63d10(或[Ar]3d10)；sp2；Zn<C<O(2)①<；Cu+的3d軌道為全滿結(jié)構(gòu)，能量低，更穩(wěn)定，再失去一個電子時需要的能量更多②六方最密；不相同(3)由于離子半徑Cd2+大于Zn2+，故晶格能ZnS>CdS，則熔點ZnS>CdS(4)①2a②(a-b)pm【解析】(1)Zn的原子序數(shù)為30，其核外電子排布式為[Ar]3d104s2，Zn2+是鋅原子失去2個電子所形成的，Zn2+的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10或[Ar]3d10。根據(jù)價層電子對互斥理論判斷，C的雜化形式為sp2。根據(jù)非金屬越強，電負性越大，進行判斷,Zn、C、O的電負性由小到大的順序是Zn<C<O。(2)①銅和鋅的第一電離能大小比較為I(Cu)<I(Zn)，步驟②吸收能量大于步驟④的原因為Cu+的3d軌道為全滿結(jié)構(gòu)，能量低，更穩(wěn)定，再失去一個電子時需要的能量更多；②鋅的堆積方式為“…ABAB…”形式，為鎂型堆積(hcp)，也稱為六方最密堆積，Cu為銅型(ccp)，面心立方最密堆積，故不相同。(3)ZnS、CdS都屬于離子晶體，由于離子半徑Cd2+大于Zn2+，故晶格能ZnS>CdS，則熔點ZnS>CdS。(4)①最近的兩個S原子之間的距離是面對角線的一半，根據(jù)圖2可知面對角線長為4apm。最近的兩個S原子之間的距離是2apm。②晶胞的邊長為，晶胞的體對角線為。由于晶體中和原子之間的最短距離為體對角線的，所以該晶體中和之間的最短距離為。若要使、相切，則半徑為pm。6．(1)AC(2)(3)4；正三角形(4)(5)①Cu②(1，，)③【解析】(1)硫元素的原子序數(shù)為16，基態(tài)硫原子的價電子排布式為3s23p4；A．符合核外電子排布規(guī)律，故正確；B．由洪特規(guī)則可知，電子在能量相同的軌道上排布時，總是盡可能分占不同的軌道且自旋方向相同，則違背洪特規(guī)則，故錯誤；C．符合核外電子排布規(guī)律，故正確；D．由泡利不相容原理可知，一個原子軌道里最多只能容納2個電子，而且自旋相反，則違背泡利不相容原理，故錯誤；AC正確；(2)銅元素的原子序數(shù)為29，價層電子排布式為3d104s1，則基態(tài)亞銅離子的價層電子排布式為3d10；(3)硫化氫分子中硫原子的價層電子對數(shù)為4；硝酸根離子中氮原子的價層電子對數(shù)為3，孤孤對電子對數(shù)為0，則離子的空間構(gòu)型為平面正三角形；(4)分子晶體的熔點小于離子晶體，二氧化硫為分子晶體，三氧化二銻和三硫化二銻都為離子化合物，則二氧化硫的熔點最低；離子晶體中，離子鍵越強，晶體的熔點越高，由于氧離子的離子半徑小于硫離子，銻離子和氧離子形成的離子鍵強于銻離子和硫離子形成的離子鍵，三氧化二銻的熔點高于三硫化二銻，則三種物質(zhì)熔點由高到低的順序為；(5)①由晶胞結(jié)構(gòu)可知，晶胞中位于頂點和體心的銻原子個數(shù)為8×+1=2，位于面上的小黑球的個數(shù)為8×=4，位于面心和棱上的小灰球的個數(shù)為2×+4×=2，位于體內(nèi)的大白球的個數(shù)為8，由晶體的化學式為可知，小黑球A、B、C均為銅原子，小灰球為鋅原子，大白球為硫原子；②由位于yz面上的原子A的坐標為和位于xz面上的原子B的坐標為可知，位于xyz面上的原子C的坐標為(1，，)；③設(shè)晶胞的密度為dg/cm3，由晶胞的質(zhì)量公式可得：=[(a×10—10)2×2a×10—10]×d，解得d=。7．(1)(2)；雜化；分子晶體(3)正四面體形(4)10；或(5)(6)12；【解析】(1)Fe位于第四周期VIII族，基態(tài)Fe原子價電子排布式為[Ar]3d64s2；(2