標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 30866-2014 碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，專門(mén)針對(duì)碳化硅單晶片直徑的測(cè)量提供了規(guī)范。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用接觸式和非接觸式兩種方式來(lái)測(cè)定碳化硅單晶片直徑的方法。

對(duì)于接觸式測(cè)量法，標(biāo)準(zhǔn)推薦采用卡尺或?qū)Ｓ脺y(cè)徑儀等工具直接與樣品表面接觸進(jìn)行測(cè)量。這種方法要求測(cè)量時(shí)保持一定的壓力以確保讀數(shù)準(zhǔn)確，并且需要在多個(gè)位置重復(fù)測(cè)量取平均值以提高數(shù)據(jù)可靠性。

而非接觸式測(cè)量法則利用光學(xué)原理或其他非物理接觸手段完成對(duì)樣品尺寸的評(píng)估。比如激光掃描、圖像處理技術(shù)等都屬于此類方法的應(yīng)用范圍。非接觸式測(cè)量可以避免因直接觸碰而可能給樣品帶來(lái)的損傷，適合于高精度及對(duì)表面質(zhì)量有嚴(yán)格要求的情況。


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  • 2014-07-24 頒布
  • 2015-02-01 實(shí)施
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

H83.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T30866—2014

碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法

Testmethodformeasuringdiameterofmonocrystallinesiliconcarbidewafers

2014-07-24發(fā)布2015-02-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T30866—2014

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)及材料分技術(shù)委員會(huì)

(SAC/TC203)(SAC/TC

共同提出并歸口

203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院

:、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人丁麗周智慧藺嫻郝建民何秀坤劉筠馮亞彬裴會(huì)川

:、、、、、、、。

Ⅰ

GB/T30866—2014

碳化硅單晶片直徑測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用千分尺測(cè)量碳化硅單晶片直徑的方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于碳化硅單晶片直徑的測(cè)量

。

2方法提要

避開(kāi)碳化硅單晶片主副參考面選取三個(gè)測(cè)量位置如圖所示沿直徑方向用外徑千分尺測(cè)量碳

,(1),

化硅單晶片的三條直徑計(jì)算直徑平均值和直徑偏差

,。

圖1直徑測(cè)量位置示意圖

3儀器設(shè)備

分度值為的外徑千分尺或精度相當(dāng)?shù)钠渌麅x器

0.02mm。

4試樣準(zhǔn)備

碳化硅單晶片應(yīng)清潔干燥邊緣應(yīng)光滑平整

、,、。

5測(cè)試環(huán)境

51溫度

.:18℃~28℃。

52相對(duì)濕度應(yīng)不大于

.75%。

6測(cè)試程序

61校正外徑千分尺零點(diǎn)

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