標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 35008-2018 串行NOR型快閃存儲器接口規(guī)范》是中國國家標(biāo)準(zhǔn)之一,主要針對串行NOR型快閃存儲器的電氣特性、命令集以及協(xié)議等方面進(jìn)行了詳細(xì)的規(guī)定。該標(biāo)準(zhǔn)適用于基于SPI(Serial Peripheral Interface)通信協(xié)議的串行NOR Flash存儲設(shè)備,旨在促進(jìn)不同廠商生產(chǎn)的串行NOR Flash產(chǎn)品之間的互換性和兼容性。
標(biāo)準(zhǔn)中定義了多種操作模式,包括標(biāo)準(zhǔn)SPI模式、雙線SPI模式、四線SPI模式等,以滿足不同應(yīng)用場景下對數(shù)據(jù)傳輸速率的需求。此外,還規(guī)定了讀取、寫入、擦除等基本操作的具體實現(xiàn)方式及相關(guān)的時序要求,確保在各種條件下都能正確執(zhí)行指令并保持良好的性能表現(xiàn)。
對于命令格式,《GB/T 35008-2018》也做了明確說明,包括地址長度、數(shù)據(jù)寬度等因素如何影響命令結(jié)構(gòu),并列舉了一系列常用命令如讀取狀態(tài)寄存器、寫使能、頁編程等的功能描述與使用方法。通過這些標(biāo)準(zhǔn)化的操作流程,可以有效提高開發(fā)效率和系統(tǒng)集成度。
此外,該文件還涉及到了電源管理、復(fù)位機制等內(nèi)容,為設(shè)計者提供了全面的技術(shù)參考,幫助他們在選擇或設(shè)計相關(guān)硬件時能夠更好地理解和應(yīng)用串行NOR Flash技術(shù)。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2018-03-15 頒布
- 2018-08-01 實施
文檔簡介
ICS31200
L56.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T35008—2018
串行NOR型快閃存儲器接口規(guī)范
SpecificationforserialNORflashinterface
2018-03-15發(fā)布2018-08-01實施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T35008—2018
目次
前言
…………………………Ⅰ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
物理接口
4…………………1
引出端功能定義
4.1……………………1
數(shù)據(jù)接口類型
4.2………………………2
存儲陣列架構(gòu)
5……………3
存儲架構(gòu)
5.1……………3
狀態(tài)寄存器
5.2…………………………3
器件保護功能
5.3………………………4
器件自毀功能
5.4………………………4
指令定義
6…………………5
指令集說明
6.1…………………………5
指令集描述
6.2…………………………7
指令格式模式
6.3………………………25
參數(shù)表說明
7………………26
參數(shù)表頭定義
7.1………………………26
參數(shù)列表定義
7.2………………………26
附錄資料性附錄塊保護描述
A()………………………29
GB/T35008—2018
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任
。。
本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC78)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國
:、、
電子科技集團公司第五十八研究所清華大學(xué)微電子學(xué)研究所深圳市中興微電子技術(shù)有限公司
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人劉超劉會娟蘇志強高碩李錕趙桂林吳華強武鵬
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T35008—2018
串行NOR型快閃存儲器接口規(guī)范
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了串行或非型快閃存儲器以下稱為器件的物理接口存儲陣列架構(gòu)指令定
(NOR)()、、
義和參數(shù)表說明等
。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于地址為位的串行型快閃存儲器的設(shè)計和使用
24NOR。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路
GB/T17574—19982:
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T17574—1998。
31
.
狀態(tài)寄存器statusregister
存儲器內(nèi)部標(biāo)志內(nèi)部狀態(tài)的寄存器
。
4物理接口
41引出端功能定義
.
器件引出端功能定義見表
1。
表1引出端功能定義
引出端輸入輸出描述
/
輸入片選信號輸入低電平有效
CS#,
輸入輸出串行數(shù)據(jù)輸出端串行數(shù)據(jù)端
SO/SIO1//1
輸入輸出寫保護端低電平有效串行數(shù)據(jù)端
WP#/SIO2/,/
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