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PIN光電探測器發(fā)展現(xiàn)狀選題依據(jù)課題研究內(nèi)容擬解決關(guān)鍵問題最終目標(biāo)實施方案技術(shù)路線創(chuàng)新點匯報內(nèi)容近幾年隨著技術(shù)的進(jìn)步，電信管理體制的改革以及電信市場的逐步全面開放，光纖通信又一次呈現(xiàn)出蓬勃發(fā)展的新局面。光纖系統(tǒng)包括：光發(fā)射機(jī)光纖鏈路光接收機(jī)選題依據(jù)光接收機(jī)包括：光探測器放大器和相關(guān)電路組成

而其中光探測器是光接收機(jī)核心選題依據(jù)光探測器的分類：按器件結(jié)構(gòu)主要分為PN光電二極管（PNPD)PIN光電二極管（PINPD)雪崩光電二極管（APD）MSN光電探測器選題依據(jù)PINPD優(yōu)點：結(jié)構(gòu)簡單性能優(yōu)異主要用于短距離，小容量的光纖通信系統(tǒng)中選題依據(jù)光電集成電路（OEIC）是將光器件與器件集成在同一芯片上而形成的具有光子和電子兩種信號處理功能的集成電路。選題依據(jù)

目前光電探測器建模技術(shù)通常采用物理基模型、半物理基模型和經(jīng)驗?zāi)Ｐ腿N建模技術(shù)研究現(xiàn)狀對于PINPD等效電路模型的研究，相對來說已經(jīng)比較成熟，很多專家學(xué)者做過了較為深入的研究，但對于其等效電路模型參數(shù)的提取方法卻少有人提及，目前異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）、高電子遷移率晶體管（HEMT）等電子元件的電路模型參數(shù)提取辦法較為成熟。研究現(xiàn)狀研究內(nèi)容主要包括以下幾個方面：PINPD的工作原理；PINPD主要性能參數(shù)；PINPD等效電路模型的學(xué)習(xí)微波網(wǎng)絡(luò)理論和S參數(shù)；遺傳算法的基本理論；基于MATLAB遺傳算法工具箱提取PINPD模型參數(shù)。課題研究內(nèi)容本課題要實現(xiàn)的最終目標(biāo)是要完成PINPD的小信號模型的建立和參數(shù)提取工作，其中最為關(guān)鍵的是利用MATLABDE遺傳算法工具箱實現(xiàn)模型參數(shù)的提取。擬解決問題及最終目標(biāo)技術(shù)路線和實施方案選定電路模型學(xué)習(xí)利用MATLAB遺傳算法工具箱編寫自適應(yīng)遺傳算法提取模型參數(shù)與實驗數(shù)據(jù)比較論文的特色主要是利用MATLAB遺傳算法工具箱來實現(xiàn)P

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