標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 39865-2021 單軸晶光學(xué)晶體折射率測(cè)量方法》是一項(xiàng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范單軸晶光學(xué)晶體材料折射率的測(cè)量過(guò)程。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了使用V棱鏡法、最小偏向角法以及干涉法等不同技術(shù)手段來(lái)測(cè)定單軸正光性或負(fù)光性晶體材料的普通光線折射率及非常光線折射率的方法。適用于科研機(jī)構(gòu)、生產(chǎn)企業(yè)對(duì)單軸晶系光學(xué)晶體進(jìn)行質(zhì)量控制和性能評(píng)估時(shí)參考。
標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍,指出其主要針對(duì)的是單軸晶體,這類晶體在物理特性上具有一個(gè)方向上的特殊性質(zhì),不同于其他兩個(gè)相互垂直的方向。接著,文件列舉了引用的標(biāo)準(zhǔn)文獻(xiàn),這些文獻(xiàn)為理解和執(zhí)行本標(biāo)準(zhǔn)提供了必要的背景知識(shí)和技術(shù)支持。
對(duì)于術(shù)語(yǔ)與定義部分,《GB/T 39865-2021》給出了關(guān)鍵概念如“單軸晶體”、“折射率”、“主平面”等的專業(yè)解釋,確保使用者能夠準(zhǔn)確理解相關(guān)詞匯含義。此外,還介紹了幾種常用的折射率測(cè)量方法,包括但不限于:
- V棱鏡法:通過(guò)觀察光線經(jīng)過(guò)特定角度切割的V形棱鏡后產(chǎn)生的偏折情況來(lái)計(jì)算折射率。
- 最小偏向角法:基于當(dāng)入射角等于出射角時(shí),光線偏離原始路徑的角度達(dá)到最小值這一原理來(lái)進(jìn)行測(cè)量。
- 干涉法:利用光波之間的干涉現(xiàn)象(如邁克爾遜干涉儀)來(lái)間接推算出樣品的折射率信息。
每種方法都配有詳細(xì)的步驟說(shuō)明,從實(shí)驗(yàn)裝置的選擇到具體操作流程,再到數(shù)據(jù)處理方式,均給予了詳盡指導(dǎo)。同時(shí),標(biāo)準(zhǔn)還強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)過(guò)程中需要注意的安全事項(xiàng)和技術(shù)要求,比如溫度控制、環(huán)境濕度等因素可能對(duì)測(cè)量結(jié)果造成的影響。
如需獲取更多詳盡信息,請(qǐng)直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2021-03-09 頒布
- 2021-10-01 實(shí)施



文檔簡(jiǎn)介
ICS17180
Q65.
中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T39865—2021
單軸晶光學(xué)晶體折射率測(cè)量方法
Methodformeasuringrefractiveindexofuniaxialopticalcrystals
2021-03-09發(fā)布2021-10-01實(shí)施
國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
GB/T39865—2021
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)建筑材料聯(lián)合會(huì)提出
。
本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)人工晶體標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口
(SAC/TC461)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位山東大學(xué)中國(guó)工程物理研究院化工材料研究所中國(guó)建材檢驗(yàn)認(rèn)證集團(tuán)股份有
:、、
限公司中國(guó)科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
、。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人王善朋陶緒堂孫洵尹文龍呂奎霖喬杰李春龍鄭國(guó)宗
:、、、、、、、。
Ⅰ
GB/T39865—2021
單軸晶光學(xué)晶體折射率測(cè)量方法
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了單軸晶光學(xué)晶體折射率測(cè)量方法的環(huán)境要求測(cè)量原理與方法檢測(cè)儀器要求待測(cè)
、、、
量樣品準(zhǔn)備測(cè)量步驟數(shù)據(jù)處理和不確定度評(píng)定
、、。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于單軸晶光學(xué)晶體的折射率測(cè)量其他光學(xué)晶體的折射率測(cè)量可參照?qǐng)?zhí)行
,。
2測(cè)量環(huán)境要求
測(cè)量環(huán)境要求如下
:
溫度測(cè)量過(guò)程中溫度變化不大于
a):21℃±3℃,0.5℃;
相對(duì)濕度不大于
b):30%;
振動(dòng)滿足設(shè)備對(duì)環(huán)境的振動(dòng)要求
c):。
3測(cè)量原理
垂直入射法測(cè)量單軸晶光學(xué)晶體折射率的測(cè)量原理如圖所示通過(guò)測(cè)量入射光經(jīng)過(guò)待測(cè)晶體的
1。
折射角和入射角由折射定律計(jì)算獲得待測(cè)晶體的折射率被測(cè)晶體加工成直角棱鏡樣品晶體光軸位
,。,
于入射直角面內(nèi)當(dāng)特定波長(zhǎng)的非偏振平行光垂直入射到直角面時(shí)由于光和光的折射率不同經(jīng)
,,oe,
過(guò)晶體后在出射面發(fā)生不同角度折射通過(guò)自準(zhǔn)直儀分別測(cè)量光的折射角i和光的折射角i及入
,ooee
射角θ由公式和公式計(jì)算可得樣品的折射率n和n
,(1)(2)oe。
i
n=sino
oθ…………(1)
sin
i
n=sine
eθ…………(2)
sin
式中
:
n光折射率
o———o;
n光折射率
e———e
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