標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 4058-2009 硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法》相較于1995年的版本，在內(nèi)容上進(jìn)行了多方面的更新和改進(jìn)。首先，新版標(biāo)準(zhǔn)對術(shù)語和定義部分進(jìn)行了更加明確的規(guī)定，增加了對于“硅拋光片”、“氧化誘生缺陷”等關(guān)鍵概念的具體描述，使得標(biāo)準(zhǔn)使用者能夠更準(zhǔn)確地理解和應(yīng)用。

在檢驗(yàn)方法方面，《GB/T 4058-2009》細(xì)化了檢測流程，明確了樣品準(zhǔn)備、實(shí)驗(yàn)條件設(shè)置以及數(shù)據(jù)記錄的具體要求。比如，對于樣品的選擇與處理有了更為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)；同時(shí)，針對不同類型的氧化誘生缺陷（如堆垛層錯(cuò)、位錯(cuò)環(huán)等），給出了具體的識(shí)別指導(dǎo)原則及判斷依據(jù)。此外，還增加了使用光學(xué)顯微鏡、掃描電子顯微鏡等多種先進(jìn)儀器進(jìn)行觀察分析的方法說明，提高了檢驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。

另外，《GB/T 4058-2009》中加入了關(guān)于質(zhì)量控制的要求，強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)室環(huán)境條件對測試結(jié)果的影響，并提出了相應(yīng)的管理措施建議。這部分新增內(nèi)容有助于提高整個(gè)檢測過程的一致性和重復(fù)性，確保不同批次或不同實(shí)驗(yàn)室之間獲得的數(shù)據(jù)具有可比性。

最后，新版標(biāo)準(zhǔn)還特別注意到了環(huán)境保護(hù)與安全防護(hù)的重要性，在相關(guān)章節(jié)中加入了廢棄物處理指南和個(gè)人防護(hù)裝備使用規(guī)范等內(nèi)容，體現(xiàn)了對從業(yè)人員健康及自然環(huán)境負(fù)責(zé)的態(tài)度。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實(shí)施
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文檔簡介

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜４０５８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉犱犲狋犲犮狋犻狅狀狅犳狅狓犻犱犪狋犻狅狀犻狀犱狌犮犲犱犱犲犳犲犮狋狊犻狀

狆狅犾犻狊犺犲犱狊犻犾犻犮狅狀狑犪犳犲狉狊

２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ４０５８—２００９

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京復(fù)興門外三里河北街１６號(hào)

郵政編碼：１０００４５

網(wǎng)址ｗｗｗ．ｓｐｃ．ｎｅｔ．ｃｎ

電話：６８５２３９４６６８５１７５４８

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社秦皇島印刷廠印刷

各地新華書店經(jīng)銷

開本８８０×１２３０１／１６印張１．２５字?jǐn)?shù)３３千字

２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書號(hào)：１５５０６６·１３９５６７

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書

犌犅／犜４０５８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５《硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５相比，主要有如下變化：

———范圍中增加了硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)；

———增加了引用標(biāo)準(zhǔn)；

———增加了“術(shù)語和定義”章；

———將原標(biāo)準(zhǔn)中“表１四種常用化學(xué)拋光液配方”刪除，在第５章中對化學(xué)拋光液配比進(jìn)行了修

改，刪除了乙酸配方；增加了鉻酸溶液Ａ的配制、Ｓｉｒｔｌ腐蝕液及Ｗｒｉｇｈｔ腐蝕液的配制；增加了

幾種國際上常用的無鉻、含鉻腐蝕溶液的配方、應(yīng)用及適用性的分類對比表；

———采用氧化程序替代原標(biāo)準(zhǔn)中的氧化的操作步驟；增加了（１１１）面缺陷的顯示方法及Ｗｒｉｇｈｔ腐

蝕液的腐蝕時(shí)間，將（１１１）面和（１００）面缺陷顯示方法區(qū)分開了；（１００）面缺陷的顯示增加了

Ｗｒｉｇｈｔ腐蝕液腐蝕方法；

———在缺陷觀測的測點(diǎn)選取中增加了“米”字型測量方法。

本標(biāo)準(zhǔn)的附錄Ａ為資料性附錄。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：峨嵋半導(dǎo)體材料廠。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：何蘭英、王炎、張輝堅(jiān)、劉陽。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ４０５８—１９８３、ＧＢ／Ｔ４０５８—１９９５；

———ＧＢ６６２２—１９８６、ＧＢ６６２３—１９８６。

Ⅰ

書

犌犅／犜４０５８—２００９

硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法

１范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅拋光片氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)方法。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅拋光片表面區(qū)在模擬器件氧化工藝中誘生或增強(qiáng)的晶體缺陷的檢測。

硅單晶氧化誘生缺陷的檢驗(yàn)也可參照此方法。

２規(guī)范性引用文件

下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

ＧＢ／Ｔ１５５４硅晶體完整性化學(xué)擇優(yōu)腐蝕檢驗(yàn)方法

ＧＢ／Ｔ１４２６４半導(dǎo)體材料術(shù)語

ＹＳ／Ｔ２０９硅材料原生缺陷圖譜

３術(shù)語和定義

ＧＢ／Ｔ１４２６４中規(guī)定的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。

４方法原理

模擬器件工藝的氧化條件，利用氧化來綴飾或擴(kuò)大硅片中的缺陷，

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