• 被代替
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  • 1983-12-20 頒布
  • 1984-12-01 實施
?正版授權(quán)
GB/T 4060-1983硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法_第1頁
GB/T 4060-1983硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法_第2頁
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UDC669.782:548：2:543.06中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB4060-83硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzonee-melting：Onboron1983-12-20發(fā)布1984-12-01實施家標(biāo)準(zhǔn)局批批準(zhǔn)

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC689.782:548.2:543.08硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗方法GB4060-83Polycrystallinesilicon-Examinationmethod-Vacuumzone-meltingonboron本標(biāo)準(zhǔn)適用于三氯氫硅及四氯化硅氫還原在細硅芯上沉積硅多晶所生長出來的硅多晶棒.檢測雜質(zhì)濃度有效范圍0.02～20ppba。P型電阻率范圍500～100000·cm。方法原理1.原理利用硅區(qū)熔時硅中磷硼的有效分系數(shù)的差別及磷硼從硅中蒸發(fā)速率的差別。1.2方法真空區(qū)熔法。2試樣制備2.1取樣部位除在橋形硅多晶棒硅芯搭接處或者直的硅多晶棒離石墨卡頭10mm-一段外均可取樣（如圖1）。2.2試樣尺寸直徑10～40mm。長度70～200mm。2.3試樣處理2.3.1在化學(xué)純丙酮中洗樣去油。2.3.2用化學(xué)純乙醇清洗20～303后用電阻率大于10MQ的去離子水沖洗。2.3.3在優(yōu)級純HF:HNO，1：（3～5）體積的混合酸液中腐蝕2min。在第二份優(yōu)級純HF.HNO，1；（3～5）的混合酸液中腐蝕2min。2.8.42.3.5用電阻率大于10M0的去離子水沖洗試樣至中性。2.3.6將試樣經(jīng)超聲波或用去離子水多次煮沸，洗滌，烘

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