氧化銦錫ITO防靜電薄膜的蒸發(fā)鍍膜設(shè)備性能測試分析

氧化銦錫(ITO)防靜電薄膜的性能測試分析ITO的成分測試分析表1是輻照前后ITO膜的成分測試分析結(jié)果?？梢钥闯?，輻照后ITO膜的氧組分比例明顯增加，Sn對In的原子濃度比例稍微減少。ITO組分比例的變化，可能是由于帶電粒子（電子、質(zhì)子）輻照時，對材料產(chǎn)生的濺射效應(yīng)引起的。ITO薄膜在退火后雖然性能比較穩(wěn)定，結(jié)晶也比較，但由于其為化合物，在濺射時會存在元素的選擇濺射而使其組分比例發(fā)生變化。

表1輻照前后ITO膜的成分含量（原子濃度分?jǐn)?shù)）變化ITO的表面微觀結(jié)構(gòu)分析圖1和圖2是輻照前后ITO膜的表面微觀結(jié)構(gòu)分析結(jié)果?？梢钥闯?，輻照前后ITO膜的表面微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生了明顯變化，即輻照前ITO的表面微觀結(jié)構(gòu)致密而均勻，而輻照后產(chǎn)生很多缺陷。

輻照后ITO晶體結(jié)構(gòu)中的缺陷產(chǎn)生，可能是由2個因素引起的：（1）由輻照對材料產(chǎn)生的濺射效應(yīng)引起的，濺射不僅使ITO組分比例發(fā)生變化，還直接在表面形成一些缺陷。（2）可能是由于輻照產(chǎn)生的熱效應(yīng)而引起的。根據(jù)工控論壇提供的資料，綜合電子質(zhì)子輻照能夠?qū)ΣＡР牧显斐杀砻娉潆姾腕w充電效應(yīng)。雖然ITO膜具有一定導(dǎo)電性，可以消除表面充電效應(yīng)，但由于ITO膜很薄，僅十幾納米厚，而輻照時電子質(zhì)子的能量足夠穿透ITO進入玻璃基底材料產(chǎn)生體充電效應(yīng)。這樣體充電效應(yīng)產(chǎn)生了很強電場，導(dǎo)致局部電位超過玻璃材料的擊穿電壓而發(fā)生放電現(xiàn)象。放電時產(chǎn)生的瞬時電流釋放大量的熱，使基底材料表面局部溫度急劇升高而對ITO薄膜結(jié)構(gòu)產(chǎn)生影響。ITO的光學(xué)性能變化圖3是ITO樣品在輻照前后的透過光譜測試結(jié)果。可以看出，ITO樣品的光學(xué)性能變化很小。結(jié)合以上的XPS和AFM分析結(jié)果，認(rèn)為這可能是由于氧組分比例增加使ITO透過率增加，與ITO表面微觀結(jié)構(gòu)被破壞（散射增加）而使ITO透過率減少，造成2種效應(yīng)共同作用的結(jié)果。

圖3輻照前后ITO樣品的透過光譜變化（1為輻照前，2為輻照后）ITO的電學(xué)性能變化表2是輻照前后ITO樣品表面電阻的測試結(jié)果?？梢钥闯?，輻照后表面電阻有所增大，但與輻照前仍處于1個數(shù)量級。根據(jù)自動化論壇的資料，薄膜的表面電阻即使高達(dá)106kΩ，充電電位仍小于100V，具備較好的抗靜電放電性能。因此，對于空間應(yīng)用的透明防靜電功能來說，影響不大，說明ITO薄膜的耐輻照性能比較好，空間穩(wěn)定性很好。

表2輻照前后ITO的表面電阻變化

ITO的表面電阻增大，應(yīng)是ITO膜的氧組分增加，使氧空穴以及Sn4+的含量下降而使電阻增加，和ITO產(chǎn)生晶體缺陷而使電阻增加所共同作用的結(jié)果。根據(jù)ITO薄膜的導(dǎo)電機理，氧缺位即In2O3-x結(jié)構(gòu)的存在，使其具有過剩的自由電子，表現(xiàn)出一acdb,蒸發(fā)鍍膜設(shè)備/taxonomy/term/32,定的導(dǎo)電性；同時，銦錫離子體積大小一致，高價正離子Sn4+以替代In3+的形式摻雜在In2O3形成的晶格中，在替代位置的Sn4+會提供導(dǎo)電電子到導(dǎo)帶，形成n型摻雜，提高了ITO薄膜的導(dǎo)電性能。因此，輻照后ITO膜中氧含量的增加、Sn對In原子比例的減少，會使氧空穴以及Sn4+的含量下降，從而使自由電子減少，電阻增大。另外，ITO產(chǎn)生晶體缺陷后，自由電子的散射作用增加，遷移率減少，也使電阻增大。通過試驗及分析，得出以下結(jié)論：（1）輻照會使ITO的表面微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生了明顯變化，產(chǎn)生晶體缺陷；同時，ITO的組分也發(fā)生變化，輻照后ITO膜的氧組分比例明顯增加，Sn對In的原子濃度比例稍微減少；（2）輻照后ITO的表面電阻增大，光譜透過率變化不大；（3）對于空間應(yīng)用ITO膜的透明防靜電