GB/T 6798-1996半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理

ICS31.200L56中華人民共和國國家標準GB/T6798-1996半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理SemiconductorintegratedcircuitsGeneralprinciplesofmeasuringmethodsofvoltagecomparators1996-07-09發(fā)布1997-01-01實施國家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

1主題內(nèi)容與適用范圍2引用標準3總的要求4電特性測試4.1輸入失調(diào)電壓Vo“.2輸入失調(diào)電壓溫度系數(shù)wo4.3輸入失調(diào)電流/o·4.4輸入失調(diào)電流溫度系數(shù)uo4.5輸入偏置電流7e…·4.6輸入偏置電流溫度系數(shù)m2·4.7靜態(tài)功耗Po4.8開環(huán)電壓增益4vp4.9共模抑制比Kcwk4.10最大共模輸入電壓Vru4.11電源電壓抑制比K。va4.12最大差模輸入電壓Vim4.13輸出高電平電壓Vom4.14輸出低電平電壓Vo4.15高電平輸出電流/om4.16低電平輸出電流1o…·4.17開環(huán)差模輸入電阻Ro4.18開環(huán)單端輸出電阻Ros4.19低電平選通電流srl204.20高電平選通電流/srr)214.21響應時間·…4.22選通延退時間sr23附錄電參數(shù)符號（補充件）………………25

中華人民共和國國家標準半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理cB/T6798-1996Semiconductorintegratedcircuits代替GB6798-86Generalprinciplesofmeasuringmethodsofvoltagecomparators主題內(nèi)客與適用范圍本標準規(guī)定了半導體集成電路電壓比較器(以下簡稱器件)電特性測試方法的基本原理.本標準適用于半導體集成電路電壓比較器電特性的測試。2引用標準GB3431.1半導體集成電路文字符號電參數(shù)文字符號總的要求3.1若無特殊說明,測試期間，環(huán)境或參考點溫度偏離規(guī)定值的范圍應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。3.2測試期間，應避免外界干擾對測試精度的影響。測試設備引起的測試誤差應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。3.3測試期間，施于被測器件的電源的內(nèi)阻在信號頻率下應基本為零；電源電壓的偏差應在規(guī)定值的士1%以內(nèi)。施于被測器件的其他電參量的精度應符合器件詳細規(guī)范的規(guī)定。3.4在被測器件線性工作區(qū)測試時，交流小信號幅度的逐漸減小不應引起參數(shù)值的變化。3.55被測器件與測試系統(tǒng)連接或斷開時，不應超過器件的使用極限條件。3.6若有要求時，應按器件詳細規(guī)范規(guī)定的順序接通電源。3.7測試期間，被測器件應連接詳細規(guī)范規(guī)定的輔助電路和補償網(wǎng)絡3.8測試期間，被測器件應選免出現(xiàn)自激現(xiàn)象，3.9若電特性值是由幾步測試的結(jié)果經(jīng)計算而確定時,這些測試的時間間隔應盡可能短。3.10用輔助放大器(A)與被測器件