GB/T 7167-1996鍺γ射線探測(cè)器測(cè)試方法

ICS17.240.F80中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)CB/T7167-1996錯(cuò)》射線探測(cè)器測(cè)試方法Testproceduresforgermaniumgamma-raydetectors1996-11-06發(fā)布1997-08-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

CB/T7167-1996主題內(nèi)容與適用范圍2術(shù)語(yǔ)和符號(hào)3錯(cuò)探測(cè)器分類瀏試的一般要求45能譜性能測(cè)量深測(cè)效率61定定時(shí)性能…入射窗厚度測(cè)量…19儲(chǔ)探測(cè)器的溫度循環(huán)能力·

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T7167-1996錯(cuò)丫射線探測(cè)器測(cè)試方法代替GB7167-87Testproceduresforgermaniumgamma-raydetectors本標(biāo)準(zhǔn)等效采用IEC973《錯(cuò)？射線探測(cè)器測(cè)試方法》1989年版)。主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了錯(cuò)？射線探測(cè)器分類、性能測(cè)試方法和溫度循環(huán)能力等.本標(biāo)準(zhǔn)適用于高純錯(cuò)和錯(cuò)(鋰)？射線探測(cè)器的性能測(cè)試，也適用于高純錯(cuò)低能光子探測(cè)器的主要性能測(cè)試。2術(shù)語(yǔ)和符號(hào)2.1術(shù)語(yǔ)2.1.1高純high-puritygermanium在室溫下,它的電活性雜質(zhì)是穩(wěn)定的,雜質(zhì)含最小于3×10"/cm'。由其單品制成的探測(cè)器在適當(dāng)?shù)钠珘合驴蛇_(dá)到全耗盡（或全靈敏）2.1.2平面型半導(dǎo)體探測(cè)器planarsemiconductordetector其靈敏體積為平板型的半導(dǎo)體探測(cè)器。2.1.3同軸型半導(dǎo)體探測(cè)器coaxialsemiconductordetector其其靈敏體積與中心軸同心的半導(dǎo)體探測(cè)器。中心電極的一端是封閉的稱為單開端同軸探測(cè)器，中心電極的兩端都是開放的稱為雙開端同軸探測(cè)器。2.1.4普通電極錯(cuò)同軸探測(cè)器conventional-electrodegermaniumcoaxialdetector用P型高純錯(cuò)為材料,外電極為N+接觸,內(nèi)電極為P接觸，正偏壓加在外電極上的同軸半導(dǎo)體探測(cè)器。2.1.5反電極錯(cuò)同軸探測(cè)器reverse-electrodegermaniumcoaxialdetector用N型高純錯(cuò)為材料,外電極為P+接觸，內(nèi)電極為N接觸，正偏壓加在內(nèi)電極上的同軸半導(dǎo)體探測(cè)器，2.1.6井型同軸探測(cè)器well-typecoaxialdetector在探測(cè)器靈敏體積中有個(gè)與電極同軸的井形中心孔，待測(cè)樣品放入井內(nèi)·測(cè)量的立體角近似于4元。2.1.7（半導(dǎo)體探測(cè)器的）偏壓bias(ofasemiconductordetector）半導(dǎo)體探測(cè)器兩電極間所施加的反向工作電壓。此電壓在探測(cè)器靈敏體內(nèi)形成一定的電場(chǎng)強(qiáng)度，使射線所產(chǎn)生的電荷被收集到兩電極處形成電信號(hào)。2.1.8（半導(dǎo)體探測(cè)器的)耗盡區(qū)depletionregion(ofasemiconductordetector）半導(dǎo)體探測(cè)器靈敏體積中的一個(gè)層,粒子在該層內(nèi)損失的能量的絕大部分都貢獻(xiàn)給了形成的信號(hào)。2.1.9（半導(dǎo)體探測(cè)器的）電荷收集時(shí)間chargecollectiontime（ofasemiconductordetector）電離粒子通過半導(dǎo)體探測(cè)器后，由電荷收集而形成積分電流