模電大學教材11-12_第1頁
模電大學教材11-12_第2頁
模電大學教材11-12_第3頁
模電大學教材11-12_第4頁
模電大學教材11-12_第5頁
已閱讀5頁,還剩13頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

第一章常用半導體器件1.1半導體基礎知識1.1.1本征半導體定義:純凈的具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。一、半導體1.自然界物質(zhì)的分類(按導電性能分)①導體:低價元素(如Cu、AI等)導電性能好②絕緣體:高價元素(如惰性氣體)或高分子物質(zhì)(如橡膠)導電性能極差③半導體:四價元素(如Si、Ge等)導電性能介于導體和絕緣體之間(1)熱敏特性:溫度升高導電能力顯著增強。如熱敏電阻(2)光敏特性:光線照射導電能力顯著增強。如光電二極管

(3)摻雜特性:在本征半導體中摻入少量的有用的雜質(zhì),導電能力顯著增強。如晶體管二、本征半導體的晶體結構晶格:晶體中原子在空間形成排列整齊的點陣。

晶體原子的結合方式:共價鍵如圖所示2.半導體的多變特性三、本征半導體中的兩種載流子自由電子空穴

1.載流子:運載電荷的粒子。

2.本征半導體的特點:

(1)有兩種載流子,即自由電子和空穴,且數(shù)目相等,即成對出現(xiàn)。

(2)可形成兩種電流,即電子電流和空穴電流。注意

導體只有一種載流子即自由電子四、本征半導體中載流子的濃度

1.本征激發(fā):半導體在熱激發(fā)下產(chǎn)生電子和空穴對的現(xiàn)象。

2.復合:自由電子和空穴的重新結合。3.動態(tài)平衡注意

1.本征半導體中自由電子和空穴的濃度相等(ni=pi);

溫度T1.1.2雜質(zhì)半導體①N型半導體②P型半導體2.本征半導體中載流子的濃度與環(huán)境溫度有關;載流子的濃度導電能力增強3.導電能力仍不如導體。4.絕對零度(T=0K)時,本征半導體成為絕緣體。

一、N型半導體

在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷)N型半導體如圖所示

N型半導體的特點:

①有兩種載流子,即自由電子和空穴。自由電子是多子,空穴是少子;

②主要靠自由電子導電。

二、P型半導體

在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)P型半導體如圖所示

P型半導體的特點:

①有兩種載流子,即自由電子和空穴??昭ㄊ嵌嘧?,自由電子是少子;

②主要靠空穴導電。注意2.P型半導體和N型半導體仍呈電中性,只起電阻作用。

1.摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度;溫度決定少數(shù)載流子的濃度。

1.1.3PN結

一、PN結的形成

擴散運動漂移運動動態(tài)平衡(一定寬度)空間電荷區(qū)PN結說明

①PN結的結電壓為Uh0(N區(qū)P區(qū))

②對稱結與不對稱結

③空間電荷區(qū)又稱耗盡層二、PN結的單向?qū)щ娦?/p>

1.PN結外加正向電壓時處于導通狀態(tài)又稱正向接法或正向偏置

2.PN結外加反向電壓時處于截止狀態(tài)又稱反向接法或反向偏置結論

PN結正向偏置空間電荷區(qū)變窄正向電阻很?。ɡ硐霑r為0)正向電流較大PN結導通

PN結反向偏置空間電荷區(qū)變寬想時為∞)反向電流(反向飽和電流)極?。ɡ硐霑r為0)PN結截止反向電阻很大(理PN結正向偏置時導通,反向偏置時截止單向?qū)щ娦?/p>

四、PN結的電流方程IS:反向飽和電流q:電子電量k:波爾茲曼常數(shù)T:熱力學溫度溫度的電壓當量則常溫時,即T=300K時,UT≈26mV說明

由式可知,若PN結正向偏置時,且u>>uT時,則若PN結反向偏置時,且|u|>>uT時,則于是得PN結的伏安特性如圖所示說明PN結的兩種反向擊穿①齊納擊穿(反向擊穿電壓較低)(耗盡層較窄)②雪崩擊穿(反向擊穿電壓較高)(耗盡層較寬)四、PN結的伏安特性指數(shù)規(guī)律正向特性反向特性死區(qū)電壓

五、PN結的電容效應

1.勢壘電容Cb應用:PN結反向偏置時變?nèi)荻O管

2.擴散電容Cd平衡少子和非平衡少子PN結的結電容說明

因Cj很小,故低頻時其作用可忽略不計。構成:實質(zhì)上就是一個PN結PN結+引線+管殼§1-2.半導體二極管(簡稱二極管)PN+-陽極陰極二極管的幾種外形

特性:單向?qū)щ娦?/p>

1.2.1半導體二極管的幾種常見結構

1.點接觸型:圖(a)

2.面接觸型:圖(b)

3.平面接觸型:圖(c)鍺管:多用于高頻檢波硅管:多用于低頻整流

1.2.2、二極管的伏安特性一、二極管和PN結伏安特性的區(qū)別開啟電壓Uon二、溫度對二極管伏安特性的影響1.區(qū)別:正向電阻大,反向電流大

2.硅管與鍺管的比較硅管:Uon≈0.5V,UD=(0.6~0.8)V(一般取UD=0.7V)IS<0.1μA

鍺管:Uon≈0.1V,UD=(0.1~0.3)V(一般取UD=0.2V),IS=幾十μA死區(qū)電壓

三、二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流IF:指平均值。要求ID(AV)≤IF2.最高反向工作電壓UR:指最大值。要求URmax≤UR3.反向電流IR:要求IR4.最高工作頻率f

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論