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文檔簡介
第一章常用半導體器件1.1半導體基礎知識1.1.1本征半導體定義:純凈的具有晶體結構的半導體稱為本征半導體。一、半導體1.自然界物質(zhì)的分類(按導電性能分)①導體:低價元素(如Cu、AI等)導電性能好②絕緣體:高價元素(如惰性氣體)或高分子物質(zhì)(如橡膠)導電性能極差③半導體:四價元素(如Si、Ge等)導電性能介于導體和絕緣體之間(1)熱敏特性:溫度升高導電能力顯著增強。如熱敏電阻(2)光敏特性:光線照射導電能力顯著增強。如光電二極管
(3)摻雜特性:在本征半導體中摻入少量的有用的雜質(zhì),導電能力顯著增強。如晶體管二、本征半導體的晶體結構晶格:晶體中原子在空間形成排列整齊的點陣。
晶體原子的結合方式:共價鍵如圖所示2.半導體的多變特性三、本征半導體中的兩種載流子自由電子空穴
1.載流子:運載電荷的粒子。
2.本征半導體的特點:
(1)有兩種載流子,即自由電子和空穴,且數(shù)目相等,即成對出現(xiàn)。
(2)可形成兩種電流,即電子電流和空穴電流。注意
導體只有一種載流子即自由電子四、本征半導體中載流子的濃度
1.本征激發(fā):半導體在熱激發(fā)下產(chǎn)生電子和空穴對的現(xiàn)象。
2.復合:自由電子和空穴的重新結合。3.動態(tài)平衡注意
1.本征半導體中自由電子和空穴的濃度相等(ni=pi);
溫度T1.1.2雜質(zhì)半導體①N型半導體②P型半導體2.本征半導體中載流子的濃度與環(huán)境溫度有關;載流子的濃度導電能力增強3.導電能力仍不如導體。4.絕對零度(T=0K)時,本征半導體成為絕緣體。
一、N型半導體
在純凈的硅晶體中摻入五價元素(如磷)N型半導體如圖所示
N型半導體的特點:
①有兩種載流子,即自由電子和空穴。自由電子是多子,空穴是少子;
②主要靠自由電子導電。
二、P型半導體
在純凈的硅晶體中摻入三價元素(如硼)P型半導體如圖所示
P型半導體的特點:
①有兩種載流子,即自由電子和空穴??昭ㄊ嵌嘧?,自由電子是少子;
②主要靠空穴導電。注意2.P型半導體和N型半導體仍呈電中性,只起電阻作用。
1.摻入雜質(zhì)的濃度決定多數(shù)載流子濃度;溫度決定少數(shù)載流子的濃度。
1.1.3PN結
一、PN結的形成
擴散運動漂移運動動態(tài)平衡(一定寬度)空間電荷區(qū)PN結說明
①PN結的結電壓為Uh0(N區(qū)P區(qū))
②對稱結與不對稱結
③空間電荷區(qū)又稱耗盡層二、PN結的單向?qū)щ娦?/p>
1.PN結外加正向電壓時處于導通狀態(tài)又稱正向接法或正向偏置
2.PN結外加反向電壓時處于截止狀態(tài)又稱反向接法或反向偏置結論
PN結正向偏置空間電荷區(qū)變窄正向電阻很?。ɡ硐霑r為0)正向電流較大PN結導通
PN結反向偏置空間電荷區(qū)變寬想時為∞)反向電流(反向飽和電流)極?。ɡ硐霑r為0)PN結截止反向電阻很大(理PN結正向偏置時導通,反向偏置時截止單向?qū)щ娦?/p>
四、PN結的電流方程IS:反向飽和電流q:電子電量k:波爾茲曼常數(shù)T:熱力學溫度溫度的電壓當量則常溫時,即T=300K時,UT≈26mV說明
由式可知,若PN結正向偏置時,且u>>uT時,則若PN結反向偏置時,且|u|>>uT時,則于是得PN結的伏安特性如圖所示說明PN結的兩種反向擊穿①齊納擊穿(反向擊穿電壓較低)(耗盡層較窄)②雪崩擊穿(反向擊穿電壓較高)(耗盡層較寬)四、PN結的伏安特性指數(shù)規(guī)律正向特性反向特性死區(qū)電壓
五、PN結的電容效應
1.勢壘電容Cb應用:PN結反向偏置時變?nèi)荻O管
2.擴散電容Cd平衡少子和非平衡少子PN結的結電容說明
因Cj很小,故低頻時其作用可忽略不計。構成:實質(zhì)上就是一個PN結PN結+引線+管殼§1-2.半導體二極管(簡稱二極管)PN+-陽極陰極二極管的幾種外形
特性:單向?qū)щ娦?/p>
1.2.1半導體二極管的幾種常見結構
1.點接觸型:圖(a)
2.面接觸型:圖(b)
3.平面接觸型:圖(c)鍺管:多用于高頻檢波硅管:多用于低頻整流
1.2.2、二極管的伏安特性一、二極管和PN結伏安特性的區(qū)別開啟電壓Uon二、溫度對二極管伏安特性的影響1.區(qū)別:正向電阻大,反向電流大
2.硅管與鍺管的比較硅管:Uon≈0.5V,UD=(0.6~0.8)V(一般取UD=0.7V)IS<0.1μA
鍺管:Uon≈0.1V,UD=(0.1~0.3)V(一般取UD=0.2V),IS=幾十μA死區(qū)電壓
三、二極管的主要參數(shù)1.最大整流電流IF:指平均值。要求ID(AV)≤IF2.最高反向工作電壓UR:指最大值。要求URmax≤UR3.反向電流IR:要求IR4.最高工作頻率f
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