半導(dǎo)體材料第1講-緒論 (2)課件

半導(dǎo)體材料Chenym.什么是半導(dǎo)體材料?物質(zhì)存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。電阻率ρ≥109Ωcm而把導(dǎo)電、導(dǎo)熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導(dǎo)體。電阻率ρ≤10-6Ωcm可以簡單的把介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料稱為半導(dǎo)體。10-3≤

ρ≤109與金屬和絕緣體相比，半導(dǎo)體材料的發(fā)現(xiàn)是最晚的，直到20世紀(jì)30年代，當(dāng)材料的提純技術(shù)改進(jìn)以后，半導(dǎo)體的存在才真正被學(xué)術(shù)界認(rèn)可。半導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)實(shí)際上可以追溯到很久以前，1833年，英國巴拉迪最先發(fā)現(xiàn)硫化銀的電阻隨著溫度的變化情況不同于一般金屬，一般情況下，金屬的電阻隨溫度升高而增加，但巴拉迪發(fā)現(xiàn)硫化銀材料的電阻是隨著溫度的上升而降低。這是半導(dǎo)體現(xiàn)象的首次發(fā)現(xiàn)。同年，舒斯特又發(fā)現(xiàn)了銅與氧化銅的整流效應(yīng)。1873年，英國的史密斯發(fā)現(xiàn)硒晶體材料在光照下電導(dǎo)增加的光電導(dǎo)效應(yīng)，這是半導(dǎo)體又一個(gè)特有的性質(zhì)。半導(dǎo)體的這四個(gè)效應(yīng)，雖在1880年以前就先后被發(fā)現(xiàn)了，但半導(dǎo)體這個(gè)名詞大概到1911年才被考尼白格和維斯首次使用。而總結(jié)出半導(dǎo)體的這四個(gè)特性一直到1947年12月才由貝爾實(shí)驗(yàn)室完成。很多人會(huì)疑問，為什么半導(dǎo)體被認(rèn)可需要這么多年呢？主要原因是當(dāng)時(shí)的材料不純。沒有好的材料，很多與材料相關(guān)的問題就難以說清楚。半導(dǎo)體的主要特性：電阻率：10-3≤

ρ≤109負(fù)的電阻率溫度系數(shù)，電阻是隨著溫度的上升而降低通常具有很高的熱電勢(shì)整流效應(yīng)光敏特性，能產(chǎn)生光伏效應(yīng)或光電導(dǎo)效應(yīng)霍爾效應(yīng)半導(dǎo)體材料的早期應(yīng)用半導(dǎo)體的第一個(gè)應(yīng)用就是利用它的整流效應(yīng)作為檢波器，就是點(diǎn)接觸二極管（即將一個(gè)金屬探針接觸在一塊半導(dǎo)體上以檢測(cè)電磁波）。除了檢波器之外，在早期，半導(dǎo)體還用來做整流器、光伏電池、紅外探測(cè)器等，半導(dǎo)體的四個(gè)效應(yīng)都用到了。從1907年到1927年，美國的物理學(xué)家研制成功晶體整流器、硒整流器和氧化亞銅整流器。1931年，蘭治和伯格曼研制成功硒光伏電池。1932年，德國先后研制成功硫化鉛、硒化鉛和碲化鉛等半導(dǎo)體紅外探測(cè)器，在二戰(zhàn)中用于偵探飛機(jī)和船艦。二戰(zhàn)時(shí)盟軍在半導(dǎo)體方面的研究也取得了很大成效，英國就利用紅外探測(cè)器多次偵探到了德國的飛機(jī)。巴丁和布爾吞在保密了將近半年后才公布了他們的發(fā)明，發(fā)明公布以后，當(dāng)時(shí)的反應(yīng)并不如期望的熱烈。《紐約時(shí)報(bào)》將這個(gè)消息放在了第46版收音機(jī)談話的最后，只有短短的幾句話；當(dāng)時(shí)的學(xué)術(shù)雜志對(duì)此也不是非常熱衷。由于當(dāng)時(shí)的反應(yīng)并不是他們想象的那樣強(qiáng)烈，所以在1952年的4月份，為了推廣他們的這個(gè)發(fā)明，又再次舉辦了公眾聽證會(huì)，就是想把他們的研究成果公布于企業(yè)界。當(dāng)時(shí)他們邀請(qǐng)了美國眾多做真空管的公司，每一個(gè)公司只需交納25000美元就可以參加這個(gè)聽證會(huì)，而且給予的許諾是如果將來要是采用了他的技術(shù)，聽這個(gè)報(bào)告會(huì)的25000美元入場(chǎng)費(fèi)可以從中扣除。當(dāng)時(shí)大概有幾十家公司參加了聽證會(huì)，然而大多數(shù)的人都是做真空管的，他們對(duì)半導(dǎo)體晶體管的意義不以為然，不是非常感興趣。試想如果晶體管的發(fā)明得到了成功應(yīng)用，那么真空管就會(huì)慢慢的消失了。所以從這個(gè)角度看，他們的熱情不高也是可以理解的。但是科學(xué)界對(duì)這個(gè)發(fā)明還是給予了很高的評(píng)價(jià)，1956年，巴丁、布爾吞和肖克萊三人被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。但今日來看，晶體管的發(fā)明不僅引起了電子工業(yè)的革命，而是徹底的改變了我們?nèi)祟惖纳a(chǎn)、生活方式。我們今天日常所用的電器幾乎沒有一樣不用晶體管，如通信、電腦、電視、航天、航空等等。硅單晶及其外延現(xiàn)在電子元器件90％以上都是由硅材料制備的，全世界與硅相關(guān)的電子工業(yè)產(chǎn)值接近一萬億美元。直拉法是目前主要用于生產(chǎn)硅單晶的方法。上世紀(jì)50到60年代，拉出的硅單晶直徑只有兩英寸，現(xiàn)在8英寸，12英寸、長達(dá)1米多的硅單晶都已實(shí)現(xiàn)了規(guī)模生產(chǎn)。18英寸，就是直徑為45厘米硅單晶業(yè)已研制成功。目前，單晶硅的世界年產(chǎn)量已超過一萬噸。硅集成電路主要用的是8英寸硅，但12英寸硅的用量逐年增加，預(yù)計(jì)到2012年18英寸的硅可能用于集成電路制造，27英寸的硅晶體研制也正在籌劃中。從集成電路的線寬來看，我國目前集成電路工藝技術(shù)水平最高水平在45nm(中芯國際)硅的直徑為什么不是按8英寸、10英寸、12英寸、14英寸發(fā)展，而是從8到12英寸，由12到18英寸，18到27英寸發(fā)展呢？硅集成電路的發(fā)展遵循《摩爾定律》，所謂《摩爾定律》就是每18個(gè)月集成電路的集成度增加一倍，而它的價(jià)格也要降低一半。隨著硅的直徑增大，雜質(zhì)氧等雜質(zhì)在硅錠和硅片中的分布也變得不均勻，這將嚴(yán)重的影響集成電路的成品率，特別是高集成度電路。為避免氧的沉淀帶來的問題，可采用外延的辦法解決。外延即用硅單晶片為襯底，然后在其上通過氣相反應(yīng)方法再生長一層硅，如2個(gè)微米，1個(gè)微米，或0.5個(gè)微米厚等。這一層外延硅中的氧含量就可以控制到1016/cm3以下，器件和電路就做在外延硅上，而不是原來的硅單晶上，這樣就可解決由氧導(dǎo)致的問題。盡管成本將有所提高，但集成電路的集成度和運(yùn)算速度都得到了顯著提高，這是目前硅技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向。

隨著集成電路線寬的進(jìn)一步減小，硅微電子技術(shù)必然要遇到許多難以克服的問題比如說長度為100個(gè)納米的源和漏電極之間，摻雜原子也只有100個(gè)左右，如何保證這100個(gè)原子在成千上萬個(gè)器件里的分布保持一致，顯然是不可能的，至少也是非常困難的。也就說雜質(zhì)原子分布的漲落，將導(dǎo)致器件性能不一，性質(zhì)的不一致，就難保證電路的正常工作。又如MOS器件的柵極下面的絕緣層就是二氧化硅，它的厚度隨著器件尺寸的變小而變小，當(dāng)溝道長度達(dá)到0.1個(gè)微米時(shí)，SiO2的厚度大概也在一個(gè)納米左右。盡管上面加的柵電壓很低，如一個(gè)納米上加0.5伏或者是一伏電壓，但是加在其上的電場(chǎng)強(qiáng)度就要達(dá)到每厘米5-10兆伏以上，超過了材料的擊穿電壓。當(dāng)這個(gè)厚度非常薄的時(shí)候，即使不發(fā)生擊穿，電子隧穿的幾率也很高，將導(dǎo)致器件無法正常工作。隨著集成電路集成度的提高，芯片的功耗也急劇增加，使其難以承受；現(xiàn)在電腦CPU的功耗已經(jīng)很高，如果說將來把它變成“納米結(jié)構(gòu)”，即不采用新原理，只是按《摩爾定律》走下去，進(jìn)一步提高集成度，那么加在它上面的功耗就有可能把硅熔化掉。再者，就是電路器件之間的互連問題，對(duì)每一個(gè)芯片來說，每一個(gè)平方厘米上有上千萬、上億只管子，管子與管子之間的聯(lián)線的長度要占到器件面積的60—70％，現(xiàn)在的連線就多達(dá)8層到10多層，盡管兩個(gè)管子之間的距離可以做得很小，但是從這個(gè)管子到另外一個(gè)管子，電子走的路徑不是直線，而要通過很長的連線。我們知道線寬越窄，截面越小，電阻越大，加上分布電容，電子通過引線所需的時(shí)間就很長，這就使CPU的速度變慢。另外納米加工的制作成本也很高，由于這些原因，硅基微電子技術(shù)最終將沒有辦法滿足人類對(duì)信息量不斷增長的需求。GaAs和InP單晶材料人們要想突破上述的“物理極限”，就要探索新原理、開發(fā)新技術(shù)，如量子計(jì)算、光計(jì)算機(jī)等，它們的工作原理是與現(xiàn)在的完全不同，尚處于初始的探索階段。在目前這個(gè)過渡期間，人們把希望放在發(fā)展新型半導(dǎo)體材料和開發(fā)新技術(shù)上，比如說GaAs、InP和GaN基材料體系，采用這些材料，可以提高器件和電路的速度以及解決由于集成度的提高帶來的功耗增加出現(xiàn)的問題?；衔锇雽?dǎo)體材料，以砷化鎵（GaAs）為例，有以下幾個(gè)特點(diǎn)，一是發(fā)光效率比較高，二是電子遷移率高，同時(shí)可在較高溫度和在其它惡劣的環(huán)境下工作，特別適合于制作超高速、超高頻、低噪音的電路，它的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)是可以實(shí)現(xiàn)光電集成，即把微電子和光電子結(jié)合起來，光電集成可大大的提高電路的功能和運(yùn)算的速度。低維半導(dǎo)體材料

電子在塊體材料里，在三個(gè)維度的方向上都可以自由運(yùn)動(dòng)。但當(dāng)材料的特征尺寸在一個(gè)維度上比電子的平均自由程相比更小的時(shí)候，電子在這個(gè)方向上的運(yùn)動(dòng)會(huì)受到限制，電子的能量不再是連續(xù)的，而是量子化的，我們稱這種材料為超晶格、量子阱材料。量子線材料就是電子只能沿著量子線方向自由運(yùn)動(dòng)，另外兩個(gè)方向上受到限制；量子點(diǎn)材料是指在材料三個(gè)維度上的尺寸都要比電子的平均自由程小，電子在三個(gè)方向上都不能自由運(yùn)動(dòng)，能量在三個(gè)方向上都是量子化的。基于GaAs和InP基的超晶格、量子阱材料已經(jīng)發(fā)展得很成熟，廣泛地應(yīng)用于光通信、移動(dòng)通訊、微波通訊的領(lǐng)域。

從整個(gè)半導(dǎo)體材料和信息技術(shù)發(fā)展來看，目前的信息載體主要是電子，即電子的電荷（電流）。電子還有一個(gè)屬性，電子的自旋，我們尚未用上。如果我們?cè)侔央娮拥淖孕蒙希驮黾恿艘粋€(gè)自由度，這也是人們目前研究的方向之一。我們從電子材料硅、鍺發(fā)展到光電子材料GaAs和InP，GaN等，就是電子跟光子可以結(jié)合一起使用的材料，光電子材料比電子材料的功能更強(qiáng)大；再下一代的材料很可能是光子材料。我們現(xiàn)在只用了光子的振幅，而光的偏振和光的位相應(yīng)用還未開發(fā)出來，所以這給研究者留下了非常廣闊的天地。從材料的發(fā)展來看，從塊體材料向薄層、超薄層，低維（納米）結(jié)構(gòu)材料和功能芯片材料方向發(fā)展；功能芯片可能是有機(jī)跟無機(jī)的結(jié)合，也可以是生命與有機(jī)和