YS/T 1061-2015改良西門(mén)子法多晶硅用硅芯

ICS29045

H82.

中華人民共和國(guó)有色金屬行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

YS/T1061—2015

改良西門(mén)子法多晶硅用硅芯

Siliconcoreforpolysiliconbyimprovedsiemensmethod

2015-04-30發(fā)布2015-10-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部發(fā)布

中華人民共和國(guó)有色金屬

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)

改良西門(mén)子法多晶硅用硅芯

YS/T1061—2015

*

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽(yáng)區(qū)和平里西街甲號(hào)

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號(hào)

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

201511

*

書(shū)號(hào)

:155066·2-29172

版權(quán)專(zhuān)有侵權(quán)必究

YS/T1061—2015

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位江蘇中能硅業(yè)科技發(fā)展有限公司河南協(xié)鑫光伏科技有限公司無(wú)錫中硅新材料

:、、

股份有限公司昆明冶研新材料股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人李軍正胡偉張曉東耿全榮劉丹陳晶亢若谷趙建為

:、、、、、、、。

Ⅰ

YS/T1061—2015

改良西門(mén)子法多晶硅用硅芯

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了改良西門(mén)子法生產(chǎn)多晶硅用硅芯的要求檢驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志包裝運(yùn)輸

、、、、、

貯存質(zhì)量證明書(shū)及訂貨單或合同內(nèi)容等

、()。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以多晶硅為原料通過(guò)直拉法生產(chǎn)硅棒再經(jīng)過(guò)線切割加工或采用基座法拉制的

,(CZ)

硅芯

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類(lèi)型測(cè)試方法

GB/T1550

硅單晶電阻率測(cè)定方法

GB/T1551

硅中代位碳原子含量紅外吸收測(cè)量方法

GB/T1558

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃

GB/T2828.11:(AQL)

直線度誤差檢測(cè)

GB/T11336

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

酸浸取電感耦合等離子質(zhì)譜儀測(cè)定多晶硅表面金屬雜質(zhì)

GB/T24582-

光伏電池用硅材料表面金屬雜質(zhì)含量的電感耦合等離子體質(zhì)譜測(cè)量方法

GB/T29849

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T11336GB/T14264。

4要求

41分類(lèi)

.

411硅芯按截面形狀分為圓形狀方形狀菱形狀

..、、。

412硅芯按純度等級(jí)分為太陽(yáng)能級(jí)多晶硅用硅芯和電子級(jí)多晶硅用硅芯

..。

42尺寸及外形

.

硅芯的尺寸及外形應(yīng)符合表的規(guī)定

1。

表1尺寸及外形

項(xiàng)目要求

直徑圓形狀?

()/mm(6~12)±1

邊長(zhǎng)方形菱形狀

(、)/mm