CNAS-GL053：2022 電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場地確認(rèn)技術(shù)指南

發(fā)布日期：202211發(fā)布日期：20221115實(shí)施日期：20221115CNAS-GL53電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場地確認(rèn)技術(shù)指南TheGuidanceonSiteValidationofEMClaboratory中國合格評(píng)定國家認(rèn)可委員會(huì)CNAS-GL53：2022CNAS-GL53：2022第54頁共54頁發(fā)布日期：202211發(fā)布日期：20221115實(shí)施日期：20221115目錄前 言 5適用范圍 6引用文件 6術(shù)語、定義和符號(hào) 6術(shù)語、定義 6通用符號(hào) 9針對(duì)不同產(chǎn)品領(lǐng)域的EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目 9概述 9民標(biāo)產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目 9汽車產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目 10專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)場地確認(rèn)項(xiàng)目 通信產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目 民標(biāo)產(chǎn)品EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目和要求 12屏蔽室 12屏蔽效能 12接地電阻 12絕緣電阻 12環(huán)境噪聲電平 13半電波暗室 13屏蔽效能 13接地電阻 14絕緣電阻 14歸一化場地衰減 14場地電壓駐波比 15場均勻性 15輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估 16環(huán)境噪聲電平 16全電波暗室 17屏蔽效能 17接地電阻 17絕緣電阻 17歸一化場地衰減 17場地電壓駐波比 17場均勻性 17輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估 17環(huán)境噪聲電平 17開闊試驗(yàn)場 17歸一化場地衰減 17環(huán)境噪聲電平 18混波室 19場均勻性 19品質(zhì)因數(shù)（Q值） 20時(shí)間常數(shù) 20混波室加載系數(shù)（CLF） 21橫電磁波室 215.6.1 阻抗 21輸入端電壓駐波比 22場均勻性 22TEM模的驗(yàn)證 22屏蔽效能 23GTEM小室 235.7.1 阻抗 23輸入端電壓駐波比 23場均勻性 24TEM模的驗(yàn)證 24屏蔽效能 24汽車產(chǎn)品EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目和要求 24屏蔽室 24屏蔽效能 24接地電阻 24絕緣電阻 24環(huán)境噪聲電平 25半電波暗室（整車） 25屏蔽效能 25接地電阻 26絕緣電阻 26歸一化場地衰減 26場地電壓駐波比 27場均勻性 27環(huán)境噪聲電平 27半電波暗室（零部件） 28屏蔽效能 28接地電阻 28絕緣電阻 28環(huán)境噪聲電平 28長線天線法或參考測量法ALSE性能確認(rèn) 28測試桌接地電阻 29開闊試驗(yàn)場 29歸一化場地衰減 29環(huán)境噪聲電平 30混波室 31場均勻性 31混波室校準(zhǔn)系數(shù)（CCF） 31混波室加載系數(shù)（CLF） 31橫電磁波室 326.6.1 阻抗 32輸入端電壓駐波比 32場均勻性 33TEM模的驗(yàn)證 33屏蔽效能 34帶狀線 346.7.1 阻抗 346.7.2 場均勻性 35專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目和要求 35屏蔽室 35屏蔽效能 35接地電阻 35絕緣電阻 35電磁環(huán)境電平 36半電波暗室 36屏蔽效能 36接地電阻 37絕緣電阻 37電磁環(huán)境電平 37全電波暗室 37屏蔽效能 37接地電阻 37絕緣電阻 37電磁環(huán)境電平 37開闊試驗(yàn)場 37平坦度 37電磁環(huán)境電平 38混響室（混波室） 38場均勻性 38品質(zhì)因數(shù)（Q值） 39時(shí)間常數(shù) 39混波室加載系數(shù)（CLF） 40橫電磁波室 407.6.1 阻抗 40輸入端電壓駐波比 40場均勻性 41TEM模的驗(yàn)證 41傳輸損耗 41屏蔽效能 42GTEM小室 427.7.1 阻抗 42輸入端電壓駐波比 42場均勻性 42TEM模的驗(yàn)證 42屏蔽效能 42平行板傳輸線 427.8.1 阻抗 427.8.2 場均勻性 42通信產(chǎn)品EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目和要求 43屏蔽室 43屏蔽效能 43接地電阻 43絕緣電阻 43環(huán)境噪聲電平 44半電波暗室 44屏蔽效能 44接地電阻 45絕緣電阻 45歸一化場地衰減 45場地電壓駐波比 45場均勻性 46輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估 46環(huán)境噪聲電平 47全電波暗室 48屏蔽效能 48接地電阻 48絕緣電阻 48歸一化場地衰減 48場地電壓駐波比 48場均勻性 48輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估 48環(huán)境噪聲電平 48開闊試驗(yàn)場 48歸一化場地衰減 48環(huán)境噪聲電平 49混波室 50場均勻性 50品質(zhì)因數(shù)（Q值） 50時(shí)間常數(shù) 51混波室加載系數(shù)（CLF） 51橫電磁波室 528.6.1 阻抗 52輸入端電壓駐波比 52場均勻性 53TEM模的驗(yàn)證 53屏蔽效能 54前 言本文件是對(duì)AS-1-A《檢測和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則EMC增加其他的要求。本文件為首次制定的第一版文件。電磁兼容實(shí)驗(yàn)室場地確認(rèn)技術(shù)指南適用范圍本文件適用于申請(qǐng)認(rèn)可和已獲認(rèn)可的實(shí)驗(yàn)室從事電磁兼容EMC測量活動(dòng)的場地確認(rèn)要求，也適用于指導(dǎo)評(píng)審員對(duì)被評(píng)審機(jī)構(gòu)EMC場地確認(rèn)要求的評(píng)估和報(bào)告。引用文件CNAS-CL01:2018《實(shí)驗(yàn)室認(rèn)可領(lǐng)域分類》CNAS-CL01-A008：2018《檢測和校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室能力認(rèn)可準(zhǔn)則在電磁兼容檢測領(lǐng)域的應(yīng)用說明》GB/T6113.1041-4部分:GB/T6113.2032-3GB/T12190GB/T17626.3GB/T17626.20《電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)橫電磁波（TEM）波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾度試驗(yàn)》GB/T17626.21術(shù)語、定義和符號(hào)術(shù)語、定義為便于理解，給出幾個(gè)重要的術(shù)語定義如下：siteattenuation；SAAS當(dāng)一副天線在規(guī)定的高度范圍內(nèi)垂直移動(dòng)，另外一副天線架設(shè)在固定高度時(shí)，位于試驗(yàn)場地上的這兩幅極化匹配的天線之間測得的最小場地插入損耗。[GB/T6113.104-2021，術(shù)語3.1.25]fullyanechoicroom；FAR六個(gè)內(nèi)表面裝有射頻吸波材料（即射頻吸收體）的屏蔽室，該吸波材料能夠吸收所關(guān)注頻率范圍內(nèi)的電磁能量。[GB/T6113.104-2021，術(shù)語3.1.11]semi-anechoicchamber;SAC6個(gè)內(nèi)表面中的5面安裝有能夠吸收所關(guān)注頻率范圍內(nèi)的電磁能量的吸波材料（即射頻吸收體）的屏蔽室、底部的水平面鋪設(shè)有OATS試驗(yàn)布置中所使用的導(dǎo)電接地平板的屏蔽室。[GB/T6113.104-2021，術(shù)語3.1.23]open-areatestsite；OATS用來測量和校準(zhǔn)的設(shè)施，其利用大的平坦的導(dǎo)電接地平面實(shí)現(xiàn)地面發(fā)射的可復(fù)現(xiàn)性。注OATS（CALTS）注2：OATS為無覆蓋物的室外場地，其遠(yuǎn)離建筑物、電力線、籬笆、樹木、地下電纜、管道和其他潛在的反射物體，以使得這些物體的影響可以忽略不計(jì)。OATS的結(jié)構(gòu)參見GB/T6113.104-2016。[GB/T6113.203-2020，術(shù)語3.1.20]shieldingenclosure使內(nèi)部不受外界電場、磁場的影響或使外部不受其內(nèi)部電場、磁場影響的一種結(jié)構(gòu)。[GB/T12190-2021，術(shù)語3.6]stripline兩個(gè)或更多的平行板構(gòu)成的帶終端負(fù)載的傳輸線，電磁波在平行板之間以TEM模傳輸以產(chǎn)生滿足試驗(yàn)要求的特定場。注：帶狀線的側(cè)面通常是開放的，以便EUT進(jìn)出和監(jiān)視。[GB/T17626.20-2014，術(shù)語3.1.6]transverseelectromagneticcell;TEMcell封閉的TEM波導(dǎo)，通常是一個(gè)矩形同軸線。電磁波在其中以TEM模傳輸以產(chǎn)生滿足試驗(yàn)需要的特定場，外導(dǎo)體完全包含內(nèi)導(dǎo)體。[GB/T17626.20-2014，術(shù)語3.1.3]gigahertztransverseelectromagneticcell;GTEMcell上限頻率范圍擴(kuò)展至GHz的TEM波導(dǎo)室。混波室（混響室）reverberationchamber專門設(shè)計(jì)的具有相當(dāng)長混波時(shí)間的小室。專門設(shè)計(jì)成具有較長混波時(shí)間，以便讓場盡量擴(kuò)散的（混波室）小室。注1：該小室一般由安裝機(jī)械調(diào)諧器/攪拌器的屏蔽室構(gòu)成，調(diào)諧器/攪拌器改變屏蔽室內(nèi)電磁場的邊界條件，進(jìn)而改變電磁場分布。注2：混波室尤其適用于測量材料的吸收系數(shù)及有意和無意輻射源的輻射功率。注3：機(jī)械調(diào)諧器/攪拌器“攪拌”混波室中的“模式”，在混波室中的試驗(yàn)可描述為一個(gè)隨機(jī)過程。因此，這樣的小室也可稱為攪拌模式小室或者模式調(diào)諧小室。[GB/T17626.21-2014，術(shù)語3.1.6]（混波室的）qualityfactor；Q（品質(zhì)因數(shù)）對(duì)于諧振頻率下的諧振電路，最大儲(chǔ)存能量與一周期內(nèi)消耗能量之比的2π倍。衡量混波室儲(chǔ)能的能力。注：對(duì)于一個(gè)給定的混波室，Q值是頻率的函數(shù)，按式（1）計(jì)算：式中：

Q=ηη??λ

??

….(1)V ——m* （m）;PAveRec/PInput——接收功率與輸入功率的比值，其為在整個(gè)調(diào)諧器/攪拌器序列上的平均值；<>n ——；ηTx （Tx）0.750.9；ηRx ——（Rx）0.750.9；n ——求Q[GB/T17626.21-2014，術(shù)語3.1.7]屏蔽效能（SE）shieldingeffectiveness(SE)沒有屏蔽體時(shí)接收到的信號(hào)值與在屏蔽體內(nèi)接收到的信號(hào)值的比值，即發(fā)射天線與接收天線之間存在屏蔽體以后所造成的插入損耗。[GB/T12190-2021，術(shù)語3.5]uniformfieldarea;UFA場校準(zhǔn)的假想垂直平面，在該平面內(nèi)場強(qiáng)的變化足夠小。場校準(zhǔn)的目的在于確保試驗(yàn)結(jié)果的有效性。[GB/T17626.3-2016，術(shù)語3.27]通用符號(hào)NSAAF：天線系數(shù)SVSWRAN：環(huán)境本底噪聲SE：屏蔽效能SAC：半電波暗室FAR：全電波暗室SR：屏蔽室OATS：開闊試驗(yàn)場EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目概述參照CNAS-AL062022CNAS-CL01-A0082018《檢測4.1~4.4民標(biāo)產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目民標(biāo)產(chǎn)品的場地確認(rèn)項(xiàng)目見表4.1。表4.1-民標(biāo)產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認(rèn)項(xiàng)目民標(biāo)產(chǎn)品信息技術(shù)設(shè)備（1201&1202）音視頻設(shè)備（1203&1204）（1205&1206）醫(yī)療設(shè)備（1207&1208）工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療設(shè)備（1209&1210）（1215）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平開闊試驗(yàn)場歸一化場地衰減、環(huán)境噪聲電平混波室場均勻性、品質(zhì)因數(shù)（Q值）、時(shí)間常數(shù)、混波室加載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗(yàn)證、屏蔽效能GTEM小室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗(yàn)證、屏蔽效能汽車產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目汽車產(chǎn)品的場地確認(rèn)項(xiàng)目見表4.2。表4.2-汽車產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認(rèn)項(xiàng)目汽車產(chǎn)品汽車、摩托車（1211&1212）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室（整車）屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、環(huán)境噪聲電平（件）屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電ALSE測試桌接地電阻開闊試驗(yàn)場歸一化場地衰減、環(huán)境噪聲電平混波室載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗(yàn)證、屏蔽效能帶狀線阻抗、場均勻性專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)場地確認(rèn)項(xiàng)目專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)的場地確認(rèn)項(xiàng)目見表4.3。表4.3-專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)場地確認(rèn)項(xiàng)目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認(rèn)項(xiàng)目專用電子、電氣和機(jī)電設(shè)備及系統(tǒng)軍用設(shè)備和分系統(tǒng)（1216&1217）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、電磁環(huán)境電平開闊試驗(yàn)場平坦度、電磁環(huán)境電平混波室場均勻性、品質(zhì)因數(shù)（Q值）、時(shí)間常數(shù)、混波室加載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗(yàn)證、傳輸損耗、屏蔽效能GTEM小室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗(yàn)證、屏蔽效能平行板傳輸線阻抗、場均勻性3m10m或30m若測量距離按照3m、10m或30m設(shè)計(jì)的開闊試驗(yàn)場，其歸一化場地衰減應(yīng)符合要求。通信產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目通信產(chǎn)品的場地確認(rèn)項(xiàng)目見表4.4。表4.4-通信產(chǎn)品場地確認(rèn)項(xiàng)目產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認(rèn)項(xiàng)目通信產(chǎn)品通信設(shè)備（1221）屏蔽室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、環(huán)境噪聲電平半電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平全電波暗室屏蔽效能、接地電阻、絕緣電阻、歸一化場地衰減、場地電壓駐波比、場均勻性、輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估、環(huán)境噪聲電平開闊試驗(yàn)場歸一化場地衰減、輻射發(fā)射環(huán)境本底噪聲產(chǎn)品類別產(chǎn)品代碼涉及場地場地確認(rèn)項(xiàng)目混響室場均勻性、品質(zhì)因數(shù)（Q值）、時(shí)間常數(shù)、混波室加載系數(shù)（CLF）橫電磁波室阻抗、輸入端電壓駐波比、場均勻性、TEM模的驗(yàn)證、屏蔽效能EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目和要求屏蔽室屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement性能要求：屏蔽室的屏蔽效能至少應(yīng)滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞60dB2) 1MHz-1000MHz ＞90dB備注：常規(guī)屏蔽效能測試到1GHz，特殊情況下依據(jù)使用情況測試到1GHz以上。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T16895.236CNAS-CL01-A008Ω。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNASCNAS-CL01-A008的要求。絕緣電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的絕緣電阻至少應(yīng)滿足CNAS-CL01-A008的要求：電源進(jìn)線對(duì)屏蔽室金屬壁的絕緣電阻及導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的絕緣電阻應(yīng)大于2MΩ。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS容符合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T6113.2012-1 CISPR16-2-1Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-1:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–ConducteddisturbancemeasurementsEN55016-2-1Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-1:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Conducteddisturbancemeasurements相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等性能要求：屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比相應(yīng)適用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的限值至少低20dB。認(rèn)CNAS半電波暗室屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement備注：進(jìn)行復(fù)測時(shí)，由于吸波材料已布置好，此時(shí)僅在天線能按照標(biāo)準(zhǔn)布置的部位進(jìn)行屏蔽效能的測試。性能要求：半電波暗室的屏蔽效能應(yīng)至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB3) 1GHz-18GHz ＞80dB3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻同5.1.2要求絕緣電阻同5.1.3要求歸一化場地衰減依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:TestSiteValidation性能要求：半電波暗室的歸一化場地衰減（NSA）滿足CNAS-CL01-A008的要求：±4dB場地可接受原則。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場地電壓駐波比依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-Antennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurements性能要求：半電波暗室的場地電壓駐波比（SVSWR）滿足CNAS-CL01-A008的要求：≤6.0dB。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-3Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-3:Testingandmeasurementtechniques-Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytestEN61000-4-3Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-3:Testingandmeasurementtechniques-Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytestGB/T17626.3性能要求：電波暗室的場均勻域滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求，如GB/T17626.3-2016或IEC61000-4-3:2020等。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHz性能要求：輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估結(jié)果需引入到輻射發(fā)射測量不確定評(píng)估的貢獻(xiàn)值中。報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T6113.2032-3 CISPR16-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–RadiateddisturbancemeasurementsEN55016-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Radiateddisturbancemeasurements相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等性能要求：半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比規(guī)定的限值低20dB，但至少要低6dB。認(rèn)。CNAS全電波暗室屏蔽效能同5.2.1要求接地電阻同5.1.2要求絕緣電阻同5.1.3要求歸一化場地衰減同5.2.4要求場地電壓駐波比同5.2.5要求場均勻性同5.2.6要求輻射發(fā)射測試桌的影響評(píng)估同5.2.7要求環(huán)境噪聲電平同5.2.8要求開闊試驗(yàn)場歸一化場地衰減依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:TestSiteValidation性能要求：開闊試驗(yàn)場的歸一化場地衰減（NSA）滿足CNAS-CL01-A008的要求：±4dB場地可接受原則。報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T6113.2032-3 CISPR16-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–RadiateddisturbancemeasurementsEN55016-2-3Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods–Part2-3:Methodsofmeasurementofdisturbancesandimmunity–Radiateddisturbancemeasurements相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等性能要求：開闊試驗(yàn)場周圍的電磁環(huán)境電平與相應(yīng)限值相比應(yīng)足夠低，試驗(yàn)場地的質(zhì)量按下述四級(jí)給予評(píng)估：6dB；6dB；（即相對(duì)測試來說這些發(fā)射之間的間隔是足夠長），也可能是連續(xù)的，但只在有限的可識(shí)別頻率上；現(xiàn)；其中，第四級(jí)場地不符合要求。評(píng)審報(bào)告中應(yīng)注明場地級(jí)別。認(rèn)。CNAS混波室場均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 性能要求：頻率范圍標(biāo)準(zhǔn)差限值要求80MHz~100MHz4dBa100MHz~400MHz100MHz時(shí)為4dB，線性減小至400MHza時(shí)的3dB400MHz以上3dBaa每8個(gè)頻點(diǎn)最多可有3個(gè)頻點(diǎn)超過允許的標(biāo)準(zhǔn)差，但不能超過限值要求1dB。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS）（模擬平常負(fù)載量的大小AVF。品質(zhì)因數(shù)（Q值）依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 無CNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進(jìn)行測量。時(shí)間常數(shù)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 性能要求：在至少90%的測試頻率上，混波室的時(shí)間常數(shù)應(yīng)不大于任何試驗(yàn)波形的脈沖寬度的0.4。如果大于0.4，那么應(yīng)向混波室內(nèi)加入吸波材料或應(yīng)增加脈沖寬度。如果加入吸波材料，則在滿足時(shí)間常數(shù)要求的情況下，盡可能少地加入吸波材料。如果用吸波材料，應(yīng)重新測量，得一新的CLF。如果吸波材料的加載量大于混波室的加載確認(rèn)的加載量，則混波室應(yīng)重新確認(rèn)。CNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進(jìn)行測量。混波室加載系數(shù)（CLF）依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsEN61000-4-21Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-21:Testingandmeasurementtechniques-ReverberationchambertestmethodsGB/T17626.21 性能要求：CLF的倒數(shù)≤AVF/AVFEUTCLF倒數(shù)>AVF空載/AVFEUTCNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進(jìn)行測量。橫電磁波室阻抗依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20 抗擾度試驗(yàn)性能要求：橫電磁波室的阻抗應(yīng)至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的特性阻抗應(yīng)為50Ω。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS輸入端電壓駐波比依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：橫電磁波室的阻抗應(yīng)至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的輸入電壓駐波比應(yīng)≤1.5。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS場均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：TEM小室的場均勻域滿足相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)要求，如GB/T17626.20-2014或IEC61000-4-20:2022等。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNASTEM模的驗(yàn)證依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：采用抗擾度試驗(yàn)的場均勻區(qū)確認(rèn)步驟，在波導(dǎo)橫截面上（垂直于傳輸方向）規(guī)定的測量點(diǎn)中，應(yīng)至少在75%的測量點(diǎn)上次場分量（不需要的）小于主場分量6dB以上。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：記錄橫電磁波室的屏蔽效能值。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNASGTEM小室阻抗同5.6.1要求輸入端電壓駐波比同5.6.2要求場均勻性同5.6.3要求TEM模的驗(yàn)證同5.6.4要求屏蔽效能同5.6.5要求EMC場地確認(rèn)項(xiàng)目和要求屏蔽室屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement性能要求：屏蔽室的屏蔽效能至少應(yīng)滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB備注：常規(guī)屏蔽效能測試到1GHz，特殊情況下依據(jù)使用情況測試到1GHz以上。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T16895.236CNAS-CL01-A0083~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNASCNAS-CL01-A008的要求。絕緣電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T16895.236性能要求：屏蔽室的絕緣電阻至少應(yīng)滿足CNAS-CL01-A008的要求：電源進(jìn)線對(duì)屏蔽室金屬壁的絕緣電阻及導(dǎo)線與導(dǎo)線之間的絕緣電阻應(yīng)大于2MΩ。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS容符合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T18655CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等性能要求：屏蔽室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比規(guī)定的限值至少低6dB。認(rèn)。CNAS半電波暗室（整車）屏蔽效能依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T12190EN50147-1Anechoicchambers-Part1.Shieldattenuationmeasurement備注：進(jìn)行復(fù)測時(shí)，由于吸波材料已布置好，此時(shí)僅在天線能按照標(biāo)準(zhǔn)布置的部位進(jìn)行屏蔽效能的測試。性能要求：半電波暗室的屏蔽效能應(yīng)至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：14kHz-1MHz ＞602) 1MHz-1000MHz ＞90dB3) 1GHz-18GHz ＞80dB3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNASCNAS-CL01-A008的要求。接地電阻同6.1.2要求絕緣電阻同6.1.3要求歸一化場地衰減依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:Site性能要求：滿足CNAS-CL01-A008dB場地可接受原則。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場地電壓駐波比依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4部分:無線電EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-Antennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurements性能要求：半電波暗室的場地電壓駐波比（SVSWR）滿足CNAS-CL01-A008的要求：≤6.0dB。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。場均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：ISO11451-2Roadvehicles—Vehicletestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy—Part2:Off-vehicleradiationsourcesGB/T33012.22部分：車外輻射源法性能要求：頻率在200MHz以上時(shí)場均勻性應(yīng)滿足：參考點(diǎn)兩邊0.5m處位置的場強(qiáng)在至少80%試驗(yàn)頻點(diǎn)下位于參考點(diǎn)場強(qiáng)的-6dB-~0dB范圍內(nèi)。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB34660道路車輛電磁兼容性要求和試驗(yàn)方法限值要求：半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比規(guī)定的限值至少低6dB。認(rèn)。CNAS半電波暗室（零部件）屏蔽效能同6.2.1要求接地電阻同6.1.2要求絕緣電阻同6.1.3要求環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等性能要求：半電波暗室的環(huán)境噪聲電平應(yīng)比規(guī)定的限值至少低6dB。認(rèn)。CNASALSE性能確認(rèn)依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers限值要求：半電波暗室的ALSE性能確認(rèn)測試數(shù)據(jù)在標(biāo)準(zhǔn)附錄J要求的最低范圍內(nèi)。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS確認(rèn)的方法等信息。測試桌接地電阻依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等限值要求：參考接地平面和參考試驗(yàn)場地接地平面之間的搭接電阻應(yīng)小于2.5mΩ。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS開闊試驗(yàn)場歸一化場地衰減依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：CISPR16-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsGB/T6113.1041-4:EN55016-1-4Specificationforradiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatusandmethods-Part1-4:Radiodisturbanceandimmunitymeasuringapparatus-AntennasandtestsitesforradiateddisturbancemeasurementsANSIC63.4AmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzANSIC63.4aAmericanNationalStandardforMethodsofMeasurementofRadioNoiseEmissionsfromLow-VoltageElectricalandElectronicEquipmentintheRangeof9kHzto40GHzAmendment1:TestSiteValidation限值要求：滿足CNAS-CL01-A008dB場地可接受原則。報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS合CNAS-CL01-A008的要求。環(huán)境噪聲電平依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：GB/T18655測量方法CISPR25Vehicles,boatsandinternalcombustionengines–Radiodisturbancecharacteristics–Limitsandmethodsofmeasurementfortheprotectionofon-boardreceivers相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)等性能要求：開闊試驗(yàn)場周圍的電磁環(huán)境電平與相應(yīng)限值相比應(yīng)足夠低，試驗(yàn)場地的質(zhì)量按下述四級(jí)給予評(píng)估：6dB；6dB；（即相對(duì)測試來說這些發(fā)射之間的間隔是足夠長），也可能是連續(xù)的，但只在有限的可識(shí)別頻率上；現(xiàn)；其中，第四級(jí)場地不符合要求。評(píng)審報(bào)告中應(yīng)注明場地級(jí)別。認(rèn)。CNAS混波室場均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：ISO11452-11Roadvehicles–Componenttestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy–Part11:Reverberationchambber性能要求：頻率范圍標(biāo)準(zhǔn)差限值要求a100MHz以下6dB100MHz~400MHz100MHz時(shí)為6dB，線性減小至400MHz時(shí)的3dB400MHz以上3dBa每倍頻程最多可有3個(gè)頻點(diǎn)超過允許的標(biāo)準(zhǔn)差，但不能超過限值要求1dB。3~5報(bào)告要求：應(yīng)由CNAS輔助設(shè)備（）混波室校準(zhǔn)系數(shù)（CCF）依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：ISO11452-11Roadvehicles–Componenttestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy–Part11:Reverberationchambber無CNAS應(yīng)在EUT混波室加載系數(shù)（CLF）依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：ISO11452-11Roadvehicles–Componenttestmethodsforelectricaldisturbancesfromnarrowbandradiatedelectromagneticenergy–Part11:Reverberationchambber性能要求：CLF的倒數(shù)≤AVF/AVFEUTCLF倒數(shù)>AVF空載/AVFEUTCNASEUT和支撐裝置裝在混波室的情況下進(jìn)行測量。橫電磁波室阻抗依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）性能要求：橫電磁波室的阻抗應(yīng)至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的特性阻抗應(yīng)為50Ω。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS輸入端電壓駐波比依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.20（TEM）抗擾度試驗(yàn)性能要求：橫電磁波室的阻抗應(yīng)至少滿足CNAS-CL01-A008的要求：橫電磁波室的輸入電壓駐波比應(yīng)≤1.5。3~5報(bào)告要求：報(bào)告應(yīng)由CNAS場均勻性依據(jù)標(biāo)準(zhǔn)/規(guī)范：IEC61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideEN61000-4-20Electromagneticcompatibility(EMC)-Part4-20:Testingandmeasurementtechniques-Emissionandimmunitytestingintrasverseelectromagnetic(TEM)waveguideGB/T17626.2