168片PECVD指標及要求

/M８22０0-3/UＭ型ＰEＣVD設備ＰECVD簡介ＰＥCVD即等離子體增強化學氣相淀積設備，是利用高頻電源輝光放電產(chǎn)生等離子體對化學氣相沉積過程施加影響的技術.電子和離子的密度達1０9～１012個/cｍ3，平均電子能量可達1~1０ev。由于等離子體存在,促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離,促進反應活性基團的生成,從而降低沉積溫度.ＰECVＤ在20０℃～50０℃范圍內(nèi)成膜,遠小于其它CＶD在700℃~950℃范圍內(nèi)成膜。由于在氨氣條件下,提高了活性基因的擴散能力，從而提高薄膜的生長速度和均勻性。在沉積過程中,由于大量的氫存在，起到表面鈍化作用。目前在太陽電池行業(yè)主要用PECVD設備來淀積氮化硅減反射鈍化膜。氮化硅膜不僅僅有優(yōu)良的光學性能如折射率接近太陽電池所需的最佳折射率，且有良好的絕緣性、致密性、穩(wěn)定性和對雜質(zhì)離子的掩蔽能力。二、M82200－3／UM型的主要性能1成膜種類SｉxNｙ2裝片數(shù)量16８片／批口１２5x125方片１44片/批口156ｘ156方片３成膜均勻性片內(nèi)≤±5％，片間≤±6%,批間≤±7%(膜厚１uｍ之內(nèi)）4使用溫度35０~500℃5恒溫區(qū)長度１20０mm，±2℃/１2０0mm,（500℃時)6恒溫區(qū)溫度穩(wěn)定性〈±2℃/２4h（35０～50０℃）７系統(tǒng)真空極限≤5Pａ８工作壓力范圍5０Pa～３00Pa９壓力控制閉環(huán)自動控制10真空恢復時間AP→10Pa〈1０mｉn1１系統(tǒng)漏氣率停泵關閥后壓升率〈３Pa/min1２工藝控制方式由計算機控制自動完成整個工藝流程,有在線修改工藝參數(shù)功能，故障診斷和保護功能.三、Ｍ822０0—3/UM型的主要配置（以1管為例）系統(tǒng)名稱名稱數(shù)量產(chǎn)地氣路系統(tǒng)氣路管路采用VCR焊接4路進口質(zhì)量流量控制器４個進口氣動閥1１個進口單向閥１個進口過濾器3個進口手動閥5個進口減壓閥5個進口/國產(chǎn)真空系統(tǒng)羅茨泵機組１套國產(chǎn)真空氣動閥2個國產(chǎn)電子執(zhí)行器１個國產(chǎn)氣動真空蝶閥1個國產(chǎn)電接點壓力表1個國產(chǎn)薄膜壓力規(guī)1個國產(chǎn)各種法蘭、真空管道、配件１套國產(chǎn)大小波紋管1套國產(chǎn)爐體架系統(tǒng)爐體1臺國產(chǎn)變壓器1臺國產(chǎn)可控硅等1套國產(chǎn)推舟系統(tǒng)導軌、絲桿1套合資步進電機1套合資步進驅(qū)動器1套合資控制系統(tǒng)溫控儀1套進口壓力儀1臺國產(chǎn)計算機系統(tǒng)１套合資熱偶、補償線等1套國產(chǎn)控制柜1套國產(chǎn)放電系統(tǒng)高頻電源１套國產(chǎn)石墨舟1套進口材料石英管１支進口材料四、主要部件的功能及其工作原理4。1?電熱爐（工藝管）?電熱爐是特制的高可靠性的發(fā)熱體,是經(jīng)過特殊工藝制成，它對恒溫區(qū)的長度、精度以及穩(wěn)定度提供了基礎,是影響成膜速率和均勻性的必要條件之一。工藝管是引進美國的產(chǎn)品,具有口徑大、壁厚均勻無氣泡的優(yōu)良性，它水平置于爐體的中央,兩端配有密封法蘭，同時經(jīng)特殊磨口為真空密封提供可靠保證。4。2 推舟系統(tǒng)?推舟系統(tǒng)采用雙滑軌方式絲桿帶動，目的是穩(wěn)定性好,載重負荷大，保證滿足生產(chǎn)工藝的要求。載片舟是經(jīng)特殊設計，在X軸、Y軸、Z軸三個方向可微調(diào)，再精加工而成.它直接影響到電場的分布、等離子的產(chǎn)生、氣流的走向、膜的品質(zhì)。成膜壓力甚至氣體的流量都與此結構有關。所以是本設備的核心部件。4．3氣路單元?氣路單元是一個獨立體,所有使用元器件都是進口產(chǎn)品，具有控制精確、動作可靠,布局合理，為安全生產(chǎn)提供一個先決條件.4.4射頻系統(tǒng)射頻系統(tǒng)直接影響成膜的性能,本臺設備將射頻通過最短的路徑通入反應系統(tǒng),減少了干擾和功率損耗。4．5電氣總控及計算機控制 本臺設備計算機自動控制。裝片取片由人工操作。同時有多種報警系統(tǒng)，如超溫報警、停水報警、斷偶報警等.４．6真空系統(tǒng)?真空系統(tǒng)是本臺設備的關鍵之一，它是由羅茨泵機組、電動調(diào)節(jié)閥、電磁擋板閥、壓力傳感器、真空管道等組成.五、外圍要求5。1環(huán)境溫度 〈２5℃;5.2相對濕度? ＜7５％;5.3凈化等級? 10００級~10０00級;5。4電源?? 三相五線，3８0Ｖ/5０HZ，５０ＫW/管；5．5冷卻水 水壓０.2Mpa~0。4Ｍpa;5.６供氣SｉH4，NH3，N2，O2,CF４五路氣體,氣壓0．2Mｐａ～0．45Ｍpａ，純度９9．999%以上；5。７配排風排毒裝置;5。8配高頻電源專用線。六、實際消耗（每管)６。１冷卻水:<1m3/hour；6。２電：全速升溫時：<35ＫW,正常(恒溫)時：＜17KW；6.3氣:SiH4：４Ｌ／hoｕr;NH３：50L/h