1+X集成電路理論知識(shí)試題+答案

1+X集成電路理論知識(shí)試題+答案1、晶圓越大，晶圓的制造成本越高。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B晶圓越大，晶圓的制造成本越低，但對(duì)材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高。2、輸入引線(xiàn)一定要盡量短，而且盡量用最上層的金屬設(shè)計(jì)，且輸入輸出引線(xiàn)盡量遠(yuǎn)離，盡量不要交叉。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A3、防靜電點(diǎn)檢在刷員工上崗證時(shí)，需要站在地上保持接，身份證通過(guò)后，開(kāi)始檢測(cè)靜電。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B防靜電點(diǎn)檢時(shí)，雙腳站在防靜電測(cè)試儀指定位置，在刷卡位置刷員工上崗證，此時(shí)系統(tǒng)會(huì)對(duì)人員身份進(jìn)行自動(dòng)識(shí)別。刷員工上崗證時(shí)，雙腳需要站在防靜電測(cè)試儀的指定位置，不能直接站在地上。4、測(cè)試夾具的日常維護(hù)時(shí)，測(cè)試夾具若長(zhǎng)時(shí)間不使用，請(qǐng)及時(shí)從設(shè)備上取下，用防靜電袋包裹好，歸類(lèi)存放于干燥、陰涼處，以免發(fā)生氧化、受潮。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A5、晶圓研磨和晶圓切割前都需要在晶圓背面進(jìn)行覆膜。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B晶圓藍(lán)膜專(zhuān)為晶圓研磨、切割而設(shè)計(jì)，它具有高黏著力，使晶圓在研磨、切割過(guò)程中不脫落、不飛散，從而能被確實(shí)地研磨或切割。其中晶圓研磨是對(duì)晶圓背面進(jìn)行研磨，故需要在晶圓的正面覆上藍(lán)膜；而晶圓切割是在其正面進(jìn)行切割，所以需要在晶圓的背面覆上藍(lán)膜。6、芯片檢測(cè)工藝中，由于芯片上有印章且蓋帶透明，所以在編帶完成后不需要在編帶盤(pán)上貼小標(biāo)簽。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B7、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測(cè)前光檢時(shí)，會(huì)在光檢顯示區(qū)顯示光檢結(jié)果，其中進(jìn)行方向判斷時(shí)，會(huì)在界面上顯示的角度360度。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備進(jìn)行測(cè)前光檢時(shí)，光檢顯示區(qū)的角度說(shuō)明有：0°、90°、180°、270°，沒(méi)有360°。8、金屬鎢常常采用CVD法來(lái)制備。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A金屬鎢常常采用化學(xué)氣相沉積CVD法來(lái)制備。9、晶圓具有各向異性特點(diǎn)，切片時(shí)要按照一定的方向進(jìn)行。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A10、作為與加工線(xiàn)之間的接口文件，制版文件主要內(nèi)容包括芯片的基本信息和工藝層次等。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A11、在寫(xiě)方波發(fā)生器程序時(shí)PWM0->TBPRD=200;PWM0->CMPA=400;決定了PWM的占空比為200/400=50%。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B12、離子注入的過(guò)程中，摻雜物的濃度是有離子電流與注入時(shí)間相乘所決定的。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A13、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)在測(cè)前光檢和測(cè)后光檢時(shí)發(fā)現(xiàn)芯片方向不正確時(shí)，都會(huì)在下一個(gè)旋轉(zhuǎn)糾姿位進(jìn)行糾正。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A14、輔助運(yùn)放測(cè)試法的注意事項(xiàng)如下：測(cè)量時(shí)被測(cè)運(yùn)放應(yīng)在指定條件（依據(jù)芯片數(shù)據(jù)手冊(cè)要求）下工作；如果待測(cè)器件的失調(diào)電壓可能超過(guò)幾mV，則輔助運(yùn)放的供電應(yīng)當(dāng)用±5V。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B15、使用平移式分選機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，料盤(pán)輸送到待測(cè)區(qū)的指定位置后，吸嘴從料盤(pán)上真空吸取芯片，然后轉(zhuǎn)移至“中轉(zhuǎn)站”，等待芯片傳輸裝置移動(dòng)到“中轉(zhuǎn)站”接收芯片并將芯片轉(zhuǎn)移至測(cè)試區(qū)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A16、封裝工藝中要先進(jìn)行晶圓切割，放置晶圓時(shí)晶圓需正面朝上放入切割機(jī)承載臺(tái)的吸盤(pán)上，調(diào)整晶圓貼片環(huán)位置，使定位缺口與定位釘位置一致，保證晶圓能夠平整、穩(wěn)固的吸附在吸盤(pán)上。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A17、編帶完成后，將編帶機(jī)上的卷盤(pán)取下并放入對(duì)應(yīng)的中轉(zhuǎn)箱即可。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B詳解:一盤(pán)編帶完成后，需要在卷盤(pán)上貼標(biāo)簽,便于后期識(shí)別，整批芯片全部完成編帶后,還需要核對(duì)芯片數(shù)量，核對(duì)一致后放入中轉(zhuǎn)箱中。18、有加溫測(cè)試要求的晶圓不需要再進(jìn)行烘烤。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略19、如果發(fā)現(xiàn)編帶抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標(biāo)簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B如果發(fā)現(xiàn)編帶抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前，需要重新貼標(biāo)簽，新的標(biāo)簽需要重新打印。20、單晶硅生長(zhǎng)結(jié)束后，用四探針技術(shù)測(cè)量單晶硅錠的電阻率。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A電阻率的測(cè)量可采用四探針技術(shù)進(jìn)行測(cè)量。21、整批芯片編帶完成后，由于編帶是4000顆芯片為一盤(pán)，所以不需要再核對(duì)芯片的數(shù)量。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B整批芯片全部編帶完成后，需要核對(duì)編帶的數(shù)量是否與顯示屏上的數(shù)量一致。核對(duì)一致后，在隨件單上記錄相關(guān)信息。22、熱擴(kuò)散摻雜工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B擴(kuò)散不能一步實(shí)現(xiàn)，步驟為進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)→下載工藝清單→開(kāi)啟擴(kuò)散爐→清洗硅片→預(yù)淀積→升高爐溫，推進(jìn)并激活雜質(zhì)→撤出硅片，測(cè)量擴(kuò)散層的電阻和結(jié)深。23、編帶外觀檢查的主要內(nèi)容有：載帶是否有破裂、沾污、破損；蓋帶是否有壓定位孔或露出底邊、起皺、壓痕、氣泡、脫膠；編帶中有無(wú)不良品或放反芯片等不合格情況。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A24、對(duì)晶圓的背面也需要進(jìn)行外觀檢查，檢查是否有沾污、受損等情況。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略25、完成二氧化硅薄膜的制備后，需要對(duì)薄膜厚度進(jìn)行檢測(cè)，如果氧化前清洗不當(dāng)，或沒(méi)有洗凈，或沒(méi)有甩干殘留水跡，在氧化后會(huì)產(chǎn)生斑點(diǎn)、白霧、針孔。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A26、轉(zhuǎn)塔式分選設(shè)備通常是測(cè)編一體的設(shè)備。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A27、集成電路測(cè)試包括邏輯功能測(cè)試和交/直流參數(shù)測(cè)試。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A28、等寬線(xiàn)常用于金屬連線(xiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A29、使用編帶機(jī)進(jìn)行編帶操作前，需要進(jìn)行上料，上料時(shí)，取下包裹在料管一端的塑料氣泡膜后，需要檢查有無(wú)芯片落在氣泡膜內(nèi)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A30、需要加溫的晶圓是在扎針調(diào)試完后，再對(duì)晶圓進(jìn)行加溫。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B需要加溫的晶圓要在加溫結(jié)束后再進(jìn)行扎針調(diào)試。31、在外檢過(guò)程中，使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí)，直接用桌上的油墨筆在晶圓臟污的位置進(jìn)行標(biāo)記。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B使用油墨筆進(jìn)行剔除時(shí)，需要在白紙上劃幾筆，去除筆尖上的油墨，防止沾污。32、鍍錫之后的框架條表面會(huì)更有光澤，且具有良好的抗氧化性、抗蝕性和可焊性。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略33、芯片檢測(cè)工藝中，對(duì)料盤(pán)進(jìn)行外觀檢查是采用全檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A34、為避免熱載流子效應(yīng)，需要利用離子注入工藝形成NMOS晶體管的輕摻雜漏結(jié)構(gòu)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A35、Linux系統(tǒng)中terminal中所輸入的命令都是小寫(xiě)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A36、晶圓研磨（減?。┖途A切割（劃片）前都需要在晶圓背面進(jìn)行覆膜。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B37、墨管需要冷藏存放。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A38、領(lǐng)取完待真空包裝的芯片后就可以直接進(jìn)行包裝了。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B要放置于工作區(qū)指定位置，并核對(duì)隨件單信息39、若晶圓貼膜后產(chǎn)生了氣泡，則需要將晶圓剔除，否則存在劃片時(shí)脫膜的風(fēng)險(xiǎn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B40、編帶盤(pán)真空包裝時(shí)會(huì)放干燥劑。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A41、編帶外觀檢查采用抽檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略42、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測(cè)試時(shí)，該設(shè)備是采用壓測(cè)的方式進(jìn)行的。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A43、和待測(cè)芯片并行測(cè)試一樣，串行測(cè)試也是由測(cè)試夾具（金手指）夾持固定后再進(jìn)行測(cè)試，不同點(diǎn)在于串行測(cè)試區(qū)有A/B/C三個(gè)測(cè)試軌道，每個(gè)測(cè)試軌道各連接一塊測(cè)試卡，測(cè)試卡之間互不干擾，模塊電路依次進(jìn)行不同電特性參數(shù)的測(cè)試。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A44、氮化硅薄膜作為集成電路芯片的鈍化保護(hù)層，可以保護(hù)芯片避免劃傷，降低芯片對(duì)外界環(huán)境的敏感性。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A45、晶圓切割時(shí)砂輪刀通過(guò)直線(xiàn)移動(dòng)和高速旋轉(zhuǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)沿晶圓的切割道進(jìn)行切割。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B將貼膜完成的晶圓放置在承載臺(tái)上，承載臺(tái)以一定速度沿切割道方向呈直線(xiàn)運(yùn)動(dòng)，砂輪刀原地高速旋轉(zhuǎn)，隨承載臺(tái)的移動(dòng)沿晶圓的切割道進(jìn)行切割，晶粒之間就被切割開(kāi)來(lái)了。46、12英寸的晶圓進(jìn)行單面研磨。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B對(duì)300mm的硅片來(lái)說(shuō)，一般進(jìn)行雙面拋光，以保證大直徑硅片的平整度。47、濕度卡的變化是可逆的,當(dāng)環(huán)境的濕度達(dá)到濕度指示卡上指示點(diǎn)標(biāo)注數(shù)值的時(shí)候,指標(biāo)點(diǎn)會(huì)從干燥色變成吸濕色;濕度降低時(shí),指示卡的點(diǎn)的顏色會(huì)從吸濕色重新變回干燥色。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略48、穿無(wú)塵衣時(shí)，發(fā)罩、連帽和口罩穿戴的順序是：先戴好發(fā)罩再將無(wú)塵衣的連帽套上，然后戴上口罩。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A穿無(wú)塵衣時(shí)，先將衣服套上，然后戴上發(fā)罩，再將無(wú)塵衣的連帽套在發(fā)罩的外面，最后戴上口罩，口罩固定繩套在連帽的外面。49、切筋和成型是屬于兩道工序，但一般都是在一個(gè)設(shè)備上一起完成。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略50、解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進(jìn)行輕摻雜。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B采用高摻雜來(lái)形成歐姆接觸，從而消除鋁硅接觸中的肖特基現(xiàn)象。51、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向是順時(shí)針。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向?yàn)槟鏁r(shí)針。52、料盤(pán)真空包裝時(shí)會(huì)放干燥劑。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略53、SOP封裝的芯片只能進(jìn)行編帶包裝。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B根據(jù)客戶(hù)的不同要求，可以采用不同方式包裝，SOP可以進(jìn)行料管包裝。54、料盤(pán)外觀檢查采用全檢的方式。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略55、每款單片機(jī)的內(nèi)部資源都不盡相同，因此不同型號(hào)單片機(jī)都有自己對(duì)應(yīng)的程序包。在利用建立開(kāi)發(fā)工程之前，必須先安裝所用單片機(jī)的pack文件。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A56、重力式分選機(jī)上料方式有手動(dòng)裝料和自動(dòng)裝料兩種方式。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略57、在設(shè)計(jì)帶隙基準(zhǔn)源版圖時(shí)，必須采用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)PNP雙極型晶體管。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A58、重力式分選機(jī)自動(dòng)上料時(shí)，放入自動(dòng)篩選機(jī)入料區(qū)的料管方向沒(méi)有特殊要求。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B重力式分選機(jī)自動(dòng)上料時(shí)，放入自動(dòng)篩選機(jī)入料區(qū)的料管的方向需要保持一致，且藍(lán)色塞釘一端朝向上料夾具的一側(cè)。59、把原理圖信息導(dǎo)入到目標(biāo)PCB文件步驟：。①打開(kāi)原理圖文件.PcbDoc②在原理圖編輯器選擇.SchDoc命令，工程變更命令對(duì)話(huà)框出現(xiàn)③單擊ValidateChanges按鈕，驗(yàn)證一下有無(wú)不妥之處④沒(méi)有錯(cuò)誤，則單擊ExecuteChanges按鈕，將信息發(fā)送到PCB。⑤單擊Close按鈕，目標(biāo)PCB文件打開(kāi)，并且元件也放在PCB板邊框的外面以準(zhǔn)備放置。⑥PCB文檔顯示了一個(gè)默認(rèn)尺寸的白色圖紙，要關(guān)閉圖紙。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B60、若遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據(jù)晶圓測(cè)試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略61、使用J-link燒入程序時(shí)，在魔法棒按鈕的output的選項(xiàng)設(shè)置地址范圍，選擇的地址范圍應(yīng)與所使用單片機(jī)的地址范圍對(duì)應(yīng)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B62、戴發(fā)罩時(shí)，短發(fā)的人員需要把頭發(fā)全部包住，長(zhǎng)發(fā)的人員發(fā)尾可露出部分。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B戴發(fā)罩時(shí)要將頭發(fā)全部塞入發(fā)罩內(nèi)。63、如果發(fā)現(xiàn)料盤(pán)抽真空質(zhì)量不合格，可以將原標(biāo)簽撕下，貼在新的防靜電鋁箔袋上。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B如果發(fā)現(xiàn)料盤(pán)抽真空質(zhì)量不合格，需要重新抽真空。在重新抽真空之前,需要重新貼標(biāo)簽,新的標(biāo)簽需要重新打印。64、一塊集成電路常常就是具有一定功能的單元電路，它的性能、體積、成本、安裝調(diào)試和維修等方面一般都優(yōu)于由分立元件構(gòu)成的單元電路。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A65、列語(yǔ)句的含義是啟動(dòng)定時(shí)器，等待中斷“TIM6->CTC0_b.COUNTEN=1;”。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A66、帶隙基準(zhǔn)源中，PNP晶體管的比例一般是1：4或是1:8。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A67、晶圓貼膜過(guò)程中，若晶圓背面存在顆粒物會(huì)使藍(lán)膜和晶圓之間產(chǎn)生氣泡。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A68、進(jìn)行晶圓盒包裝時(shí)，在最后一層tyvek紙上方需放入海綿、干燥劑、晶圓測(cè)試隨件單等輔材。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A略69、AltiumDesigner的PCB編輯器是一個(gè)規(guī)則驅(qū)動(dòng)環(huán)境。這意味著，在設(shè)計(jì)者改變?cè)O(shè)計(jì)的過(guò)程中，如放置導(dǎo)線(xiàn)、移動(dòng)元件或者自動(dòng)布線(xiàn)，AltiumDesigner都會(huì)監(jiān)測(cè)每個(gè)動(dòng)作，并檢查設(shè)計(jì)是否仍然完全符合設(shè)計(jì)規(guī)則。如果不符合，則會(huì)立即警告，強(qiáng)調(diào)出現(xiàn)錯(cuò)誤。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A70、平移式分選機(jī)是在斜背面上完成芯片的轉(zhuǎn)移、測(cè)試與分選。轉(zhuǎn)移方式是真空吸嘴吸取，測(cè)試方式是測(cè)壓手臂進(jìn)行壓測(cè)，最后將芯片根據(jù)測(cè)試結(jié)果轉(zhuǎn)移到分選機(jī)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B71、電子CAD文檔一般指原始PCB設(shè)計(jì)文件，文件后綴一般為.PcbDoc、.SchDoc。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A72、編帶外觀檢查時(shí)，若發(fā)現(xiàn)該批次的不良品率超標(biāo)，則將該批次的芯片全部報(bào)廢。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B編帶外觀檢查采用抽檢的方式，若本次不良品率超標(biāo)，則需要對(duì)整批芯片進(jìn)行外觀檢查。73、塑封工藝中塑封料的顏色必須是黑色的。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B根據(jù)用戶(hù)需要，環(huán)氧塑封料可制成各種不同顏色，一般使用黑、紅、綠三種顏色，其中黑色最為常見(jiàn)。74、根據(jù)產(chǎn)品參數(shù)特性，重力式分選機(jī)可分為并行測(cè)試和串行測(cè)試。并行測(cè)試一般是進(jìn)行單項(xiàng)測(cè)試，適用于DIP24/DIP27的芯片；串行測(cè)試一般是進(jìn)行多項(xiàng)測(cè)試，適用于普通DIP/SOP封裝等模塊電路。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B75、CadenceSE主要用于集成電路版圖自動(dòng)布局布線(xiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A76、根據(jù)切割工具的形式，晶圓切割的方式只有機(jī)械切割，一般采用砂輪劃片的方法。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B晶圓切割通常使用機(jī)械切割和激光切割兩種方式，其中機(jī)械切割一般采用砂輪劃片的方法。77、<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱(chēng)的棱線(xiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱(chēng)的棱線(xiàn)。78、從反向設(shè)計(jì)和版圖識(shí)別考慮，還需要清楚實(shí)際的版圖。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A79、平移式分選機(jī)的分選區(qū)的合格料盤(pán)和不合格料盤(pán)的區(qū)分方式只有標(biāo)簽。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B平移式分選機(jī)的分選區(qū)的合格料盤(pán)和不合格料盤(pán)的區(qū)分除了標(biāo)簽以外，不合格料盤(pán)的外觀為紅色，合格料盤(pán)的外觀為黑色。80、選擇什么樣的元器件時(shí)，首先應(yīng)考慮價(jià)格、貨源和元器件體積等方面的考慮，其次是考慮滿(mǎn)足單元電路對(duì)元器件性能指標(biāo)的要求。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B81、使用重力式分選機(jī)進(jìn)行芯片測(cè)試過(guò)程中，測(cè)試完成后，測(cè)試的結(jié)果會(huì)從測(cè)試機(jī)傳到分選機(jī)內(nèi)，分選機(jī)依據(jù)測(cè)試結(jié)果控制分選梭將芯片放入相應(yīng)的位置。合格芯片由紅色透明料管進(jìn)行收料，而不合格芯片則由白色透明料管進(jìn)行收料。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B82、調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“粗調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B調(diào)整扎針位置時(shí)，需利用要搖桿的“微調(diào)”檔位進(jìn)行位置的確定。83、完成規(guī)范的著裝后，不可以直接進(jìn)入車(chē)間。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A穿戴無(wú)塵服或防靜電服是第一步，可以避免操作員身上的灰塵散落或靜電的產(chǎn)生，但此時(shí)還不能直接進(jìn)入車(chē)間，需要進(jìn)行防靜電點(diǎn)檢，若有需要還需要進(jìn)行風(fēng)淋操作。84、為了正確地使用某個(gè)集成電路制造工藝，在第一次使用該工藝時(shí)，必須建立一個(gè)與該工藝對(duì)應(yīng)的技術(shù)庫(kù)。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A85、不同尺寸的硅片在切片過(guò)程中設(shè)置的厚度是一樣的。A、正確B、錯(cuò)誤答案：B86、選擇仿真類(lèi)型為tran表示瞬態(tài)分析。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A87、硅屬于單質(zhì)半導(dǎo)體，砷化鎵屬于化合物半導(dǎo)體。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類(lèi)，前者如硅（Si）、鍺(Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。88、風(fēng)淋時(shí)到達(dá)設(shè)定時(shí)間后風(fēng)淋結(jié)束，風(fēng)淋室自動(dòng)解鎖,此時(shí)可打開(kāi)風(fēng)淋室內(nèi)門(mén)，進(jìn)入車(chē)間。A、正確B、錯(cuò)誤答案：A風(fēng)淋到達(dá)設(shè)定值后,風(fēng)淋室的門(mén)]自動(dòng)由關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)殚_(kāi)啟，此時(shí)可打開(kāi)風(fēng)淋室的門(mén)進(jìn)入車(chē)間。89、扎針測(cè)試即WAT測(cè)試。A、正確B、錯(cuò)誤答案：AWAT是英文waferacceptancetest的縮寫(xiě)，意思是晶圓接受測(cè)試，業(yè)界也稱(chēng)WAT為工藝檢測(cè)檢測(cè)。WAT是在晶圓產(chǎn)品流片之后和品質(zhì)檢驗(yàn)之前，測(cè)量特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)。WAT的目的是通過(guò)晶圓上特定測(cè)試結(jié)構(gòu)的電性參數(shù)，檢測(cè)每片晶圓產(chǎn)品的工藝情況，評(píng)估半導(dǎo)體制造過(guò)程的質(zhì)量和穩(wěn)定性，