第一章光電導(dǎo)探測器

一、基本概念

某些物質(zhì)吸收了光子的能量產(chǎn)生本征吸收或雜質(zhì)吸收，從而改變了物質(zhì)電導(dǎo)率的現(xiàn)象稱為物質(zhì)的光電導(dǎo)效應(yīng)。利用具有光電導(dǎo)效應(yīng)的材料（如硅、鍺等本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體，硫化鎘、硒化鎘、氧化鉛等）可以制成電導(dǎo)隨入射光度量變化的器件，稱為光電導(dǎo)器件。最典型的光電導(dǎo)器件是光敏電阻。

當(dāng)前1頁，總共87頁。二、光電子器件的基本特性：

光電探測器的基本特性包括：響應(yīng)特性：響應(yīng)率、探測率、時間常數(shù)噪聲特性：信號噪聲比

光電成像器件的特性：響應(yīng)特性成像特性：分辨率、空間頻率特性以及空間抽樣特性噪聲特性

本節(jié)只介紹響應(yīng)特性、探測率及吸收系數(shù)1.1.1光譜響應(yīng)率和響應(yīng)率

光電探測器輸出信號電壓或電流與單位入射光功率之比、即單位入射光功率作用下探測器的輸出信號電壓或電流稱為響應(yīng)率，包括光譜響應(yīng)率和積分響應(yīng)率。１、光譜響應(yīng)率

當(dāng)前2頁，總共87頁。當(dāng)前3頁，總共87頁。當(dāng)前4頁，總共87頁。當(dāng)前5頁，總共87頁。當(dāng)前6頁，總共87頁。當(dāng)前7頁，總共87頁。1.2光電導(dǎo)探測器的原理根據(jù)內(nèi)光電效應(yīng)制成的光電器件。當(dāng)光子能量大于禁帶寬度時，把價帶中的電子激發(fā)到導(dǎo)帶，價帶中留下自由空穴，從而引起材料電導(dǎo)率增加，這就是本征光電導(dǎo)效應(yīng)當(dāng)光子能量激發(fā)雜志半導(dǎo)體的施主或者受主，使他們電離，產(chǎn)生自由電子或者空穴，從而增加材料電導(dǎo)率，為非本征光電導(dǎo)效應(yīng)。光電導(dǎo)效應(yīng)：1、歐姆定律：2、漂移速度和遷移率：當(dāng)前8頁，總共87頁。當(dāng)前9頁，總共87頁。

1.3光敏電阻

光敏電阻的工作原理和結(jié)構(gòu)光敏電阻的特性參數(shù)光敏電阻的變換電路常用光敏電阻小結(jié)

應(yīng)用實(shí)例當(dāng)前10頁，總共87頁。

1.3.1光敏電阻的工作原理和結(jié)構(gòu)當(dāng)前11頁，總共87頁。

圖示為光敏電阻的原理與器件符號圖。在均勻的具有光電導(dǎo)效應(yīng)的半導(dǎo)體材料的兩端加上電極便構(gòu)成光敏電阻。當(dāng)光敏電阻的兩端加上適當(dāng)?shù)钠秒妷篣bb后，當(dāng)光照射到光電導(dǎo)體上，由光照產(chǎn)生的光生載流子在外加電場作用下沿一定方向運(yùn)動，在電路中產(chǎn)生電流Ip，用檢流計可以檢測到該電流。一。光敏電阻工作原理當(dāng)前12頁，總共87頁。光敏電阻演示

當(dāng)光敏電阻受到光照時，光生電子—空穴對增加，阻值減小，電流增大。暗電流（越小越好）當(dāng)前13頁，總共87頁。當(dāng)前14頁，總共87頁。M>1的理解光電導(dǎo)內(nèi)增益

說明載流子已經(jīng)渡越完畢，但載流子的平均壽命還未中止。這種現(xiàn)象可以這樣理解：光生電子向正極運(yùn)動，空穴向負(fù)極運(yùn)動，可是空穴的移動可能被晶體缺陷和雜質(zhì)形成的俘獲中心－陷阱所俘獲。因此，當(dāng)電子到達(dá)正極消失時，陷阱俘獲的正電中心（空穴）仍留在體內(nèi)，它又會將負(fù)電極的電子感應(yīng)到半導(dǎo)體中來，被誘導(dǎo)進(jìn)來的電子又在電場中運(yùn)動到正極，如此循環(huán)直到正電中心消失。這就相當(dāng)放大了初始的光生電流。當(dāng)前15頁，總共87頁。

如何提高M(jìn)光電導(dǎo)內(nèi)增益選用平均壽命長、遷移率大的半導(dǎo)體材料；減少電極間距離；加大偏壓參數(shù)選擇合適時，M值可達(dá)102量級當(dāng)前16頁，總共87頁。光敏電阻分類本征型摻雜型入射光子的能量大于或等于半導(dǎo)體的禁帶寬度時能激發(fā)電子－空穴對EcEvEg入射光子的能量大于或等于雜質(zhì)電離能時就能激發(fā)電子空穴對EcEvEg常用于可見光波段測試常用于紅外波段甚至遠(yuǎn)紅外測試當(dāng)前17頁，總共87頁。光電導(dǎo)器件材料禁帶寬度（eV）光譜響應(yīng)范圍（nm）峰值波長（nm）硫化鎘（CdS）2.45400～800515～550硒化鎘（CdSe）1.74680～750720～730硫化鉛（PbS）0.40500～30002000碲化鉛（PbTe）0.31600～45002200硒化鉛（PbSe）0.25700～58004000硅（Si）1.12450～1100850鍺（Ge）0.66550～18001540銻化銦（InSb）0.16600～70005500砷化銦（InAs）0.331000～40003500常用光電導(dǎo)材料每一種半導(dǎo)體或絕緣體都有一定的光電導(dǎo)效應(yīng)，但只有其中一部分材料經(jīng)過特殊處理，摻進(jìn)適當(dāng)雜質(zhì)，才有明顯的光電導(dǎo)效應(yīng)。現(xiàn)在使用的光電導(dǎo)材料有Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族化合物，硅、鍺等，以及一些有機(jī)物。當(dāng)前18頁，總共87頁。

光敏電阻的結(jié)構(gòu):在一塊光電導(dǎo)體兩端加上電極，貼在硬質(zhì)玻璃、云母、高頻瓷或其它絕緣材料基板上，兩端接電極引線，封裝在帶有窗口的金屬或塑料外殼內(nèi)。

二.光敏電阻的基本結(jié)構(gòu)

光敏面作成蛇形，電極是在一定的掩模下向光電導(dǎo)薄膜上蒸鍍金或銦等金屬形成的。這種梳狀電極可以保證有較大的受光表面，也可以減小電極之間距離，從而減小極間電子渡越時間，提高靈敏度。

1--光導(dǎo)層;2--玻璃窗口;3--金屬外殼;4--電極;5--陶瓷基座;6--黑色絕緣玻璃;7--電阻引線。RG1234567(a)結(jié)構(gòu)

(b)電極

(c)符號CdS光敏電阻的結(jié)構(gòu)和符號當(dāng)前19頁，總共87頁。（a）梳狀結(jié)構(gòu)：梳形電極間距很小，之間為光敏電阻材料，靈敏度高。（b）蛇形結(jié)構(gòu)：光敏面為蛇形，兩側(cè)為金屬導(dǎo)電材料，并在其上設(shè)置電極。（c）刻線式結(jié)構(gòu)：在制備好的光敏電阻襯基上刻出狹窄的光敏材料條，再蒸涂金屬電極。導(dǎo)體吸收光子而產(chǎn)生的光電效應(yīng)，只限于光照表面薄層，雖然產(chǎn)生的載流子也有少數(shù)擴(kuò)散到內(nèi)部去，但擴(kuò)散深度有限，因此光電導(dǎo)體一般都做成薄層。靈敏度易受濕度的影響，因此要將導(dǎo)光電導(dǎo)體嚴(yán)密封裝在玻璃殼體中。當(dāng)前20頁，總共87頁。光敏電阻實(shí)物圖

當(dāng)光敏電阻受到光照時，阻值減小。光電導(dǎo)效應(yīng)：在光作用下使物體的電阻率改變的現(xiàn)象.當(dāng)前21頁，總共87頁。

光敏電阻為多數(shù)電子導(dǎo)電的光電敏感器件，它與其他光電器件的特性的差別表現(xiàn)在它的基本特性參數(shù)上。光敏電阻的基本特性參數(shù)包含光電導(dǎo)特性、時間響應(yīng)、光譜響應(yīng)、伏安特性與噪聲特性等。

1.3.2光敏電阻的主要特性參數(shù)當(dāng)前22頁，總共87頁。一、光譜響應(yīng)率光譜響應(yīng)率表示在某一特定波長下，輸出光電流(或電壓)與入射輻射能量之比光譜響應(yīng)率為由和當(dāng)前23頁，總共87頁。

多用相對靈敏度曲線表示。在可見光區(qū)靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線1-硫化鎘單晶

2-硫化鎘多晶

3-硒化鎘多晶

4-硫化鎘與硒化鎘混合多晶

由圖可見，這幾種光敏電阻的光譜特性曲線覆蓋了整個可見光區(qū)，峰值波長在515～600nm之間。因此可用于與人眼有關(guān)的儀器，例如照相機(jī)、照度計、光度計等。但它們的形狀與V(λ)曲線還不完全一致。如直接使用，與人的視覺還有一定的差距，所以必須加濾光片進(jìn)行修正，使其特性曲線與V(λ)曲線完全符合，這樣即可得到與人眼視覺相同的效果。

二、光譜特性當(dāng)前24頁，總共87頁。在紅外區(qū)靈敏的幾種光敏電阻的光譜特性曲線當(dāng)前25頁，總共87頁。三.噪聲特性

熱噪聲（>1MHz）

產(chǎn)生復(fù)合噪聲(1kHz～1MHz)

電流噪聲（低頻）高頻

低頻

高頻

低頻

1、噪聲及探測率當(dāng)前26頁，總共87頁。１/f熱噪聲產(chǎn)生復(fù)合噪聲總噪聲ffc0總噪聲當(dāng)前27頁，總共87頁。2.噪聲對偏流的影響當(dāng)前28頁，總共87頁。四.伏安特性

加在光敏電阻兩端的電壓U與流過它的電流Ip的關(guān)系曲線，并稱其為光敏電阻的伏安特性。

典型CdS光敏電阻的伏安特性曲線

圖中的虛線為額定功耗線。使用光敏電阻時，應(yīng)使電阻的實(shí)際功耗不超過額定值。從圖上來說，就是不能使靜態(tài)工作點(diǎn)居于虛線以內(nèi)的區(qū)域。按這一要求在設(shè)計負(fù)載電阻時，應(yīng)不使負(fù)載線與額定功耗線相交。當(dāng)前29頁，總共87頁。五、光電特性和值光電特性：光電流與入射光通量（照度）的關(guān)系1.弱光照射時：光電流與光通量（照度）成正比，即保持線性關(guān)系式中g(shù)p稱為光敏電阻的光電導(dǎo),

Sg為單位電場下的光電導(dǎo)靈敏度，E為光敏電阻的照度。當(dāng)前30頁，總共87頁。2.強(qiáng)光照射時，光電流與光通量（照度）成非線性。γ為光電轉(zhuǎn)換因子，是一個隨光度量變化的指數(shù)

γ與材料和入射光強(qiáng)弱有關(guān)，對于硫化鎘光電導(dǎo)體，在弱光照下γ＝1，在強(qiáng)光照下γ＝1/2，一般γ＝0.5～1。在通常的照度范圍內(nèi)(10-1~104lx)，的值接近于1當(dāng)前31頁，總共87頁。

如圖所示的特性曲線反應(yīng)了流過光敏電阻的電流Ip與入射光照度E間的變化關(guān)系，由圖可見它是由直線性漸變到非線性的。

當(dāng)前32頁，總共87頁。電阻～照度關(guān)系曲線

在實(shí)際使用時，常常將光敏電阻的光電特性曲線改用如圖所示的兩種坐標(biāo)框架特性曲線。其中(a)為線性直角坐標(biāo)系中光敏電阻的阻值R與入射照度EV的關(guān)系曲線，而(b)為對數(shù)直角坐標(biāo)系下的阻值R與入射照度EV的關(guān)系曲線。

γ值為對數(shù)坐標(biāo)下特性曲線的斜率。R1與R2分別是照度為E1和E2時光敏電阻的阻值。

當(dāng)前33頁，總共87頁。六、前歷效應(yīng)

前歷效應(yīng)是指光敏電阻的時間特性與工作前“歷史”有關(guān)的一種現(xiàn)象。前歷效應(yīng)有暗態(tài)前歷與亮態(tài)前歷之分。暗態(tài)前歷效應(yīng)：是指光敏電阻測試或工作前處于暗態(tài)，當(dāng)它突然受到光照后表現(xiàn)為暗態(tài)。前歷越長，光電流上升越慢。其效應(yīng)曲線如下圖所示。一般，工作電壓越低，光照度越低，則暗態(tài)前歷效應(yīng)就越重。當(dāng)前34頁，總共87頁。硫化鎘光敏電阻的暗態(tài)前歷效應(yīng)曲線

1-黑暗放置3分鐘后

2-黑暗放置60分鐘后

3-黑暗放置24小時后

當(dāng)前35頁，總共87頁。亮態(tài)前歷效應(yīng)

指光敏電阻測試或工作前已處于亮態(tài)，當(dāng)照度與工作時所要達(dá)到的照度不同時，所出現(xiàn)的一種滯后現(xiàn)象，其效應(yīng)曲線如下圖所示。一般，亮電阻由高照度狀態(tài)變?yōu)榈驼斩葼顟B(tài)達(dá)到穩(wěn)定值時所需的時間要比由低照度狀態(tài)變?yōu)楦哒斩葼顟B(tài)時短。

硫化鎘光敏電阻亮態(tài)前歷效應(yīng)曲線

當(dāng)前36頁，總共87頁。七、溫度特性

光敏電阻的溫度特性很復(fù)雜，在一定的照度下，亮電阻的溫度系數(shù)α（有正有負(fù)）

R1、R2分別為與溫度T1、T2相對應(yīng)的亮電阻。

光敏電阻在某一光照下的阻值，稱為該光照下的亮電阻。當(dāng)前37頁，總共87頁。

右圖所示為典型CdS（實(shí)線）與CdSe（虛線）光敏電阻在不同照度下的溫度特性曲線?？梢钥闯鲞@兩種光敏電阻的相對光電導(dǎo)率隨溫度的升高而下降，亮電阻變大。I/μA100150200-50-10305010-30T/oC硫化鎘的光電流I和溫度T的關(guān)系溫度升高，亮電阻變大，電流變小當(dāng)前38頁，總共87頁。

溫度對光譜響應(yīng)也有影響。隨著溫度的升高，其暗電阻和靈敏度下降，光譜特性曲線的峰值向波長短的方向移動。硫化鎘的光電流I和溫度T的關(guān)系如圖所示。有時為了提高靈敏度，或?yàn)榱四軌蚪邮蛰^長波段的輻射，將元件降溫使用。例如，可利用制冷器使光敏電阻的溫度降低。2040608010001.02.03.04.0λ/μmI/mA+20oC-20oC溫度改變光譜響應(yīng)當(dāng)前39頁，總共87頁。一般n型半導(dǎo)體的EF位于Ei之上Ec之下的禁帶中。EF既與溫度有關(guān)，也與雜質(zhì)濃度ND有關(guān)：一定溫度下?lián)诫s濃度越高，費(fèi)米能級EF距導(dǎo)帶底Ec越近；如果摻雜一定，溫度越高EF距Ec越遠(yuǎn)，也就是越趨向Ei。Si中不同摻雜濃度條件下費(fèi)米能級與溫度的關(guān)系當(dāng)前40頁，總共87頁。八.響應(yīng)時間和頻率響應(yīng)

光敏電阻的響應(yīng)時間（又稱為慣性）比其他光電器件要差些（慣性要大），頻率響應(yīng)要低些，而且具有特殊性。當(dāng)用一個理想方波脈沖輻射照射光敏電阻時，光生電子要有產(chǎn)生的過程，光生電導(dǎo)率Δσ要經(jīng)過一定的時間才能達(dá)到穩(wěn)定。當(dāng)停止輻射時，復(fù)合光生載流子也需要時間，表現(xiàn)出光敏電阻具有較大的慣性。通常光敏電阻的響應(yīng)時間與入射輻射的強(qiáng)弱有關(guān)，光照越強(qiáng)其時間常數(shù)越小，光照越弱其時間常數(shù)越大。下面分別討論。

當(dāng)前41頁，總共87頁。1.弱輻射作用情況下的時間響應(yīng)

t≥0t=0對于本征光電導(dǎo)器件在非平衡狀態(tài)下光電導(dǎo)率Δσ和光電流IΦ隨時間變化的規(guī)律為當(dāng)t=τ時，Δσ=0.63Δσ0，IΦ=0.63IΦe0；

定義τ＝τr為光敏電阻的上升時間常數(shù)

停止輻射時，入射輻射通量為t=0t≥0光電導(dǎo)率和光電流隨時間變化的規(guī)律為

顯然，光敏電阻在弱輻射作用下的上升時間常數(shù)τr與下降時間常數(shù)τf近似相等。

當(dāng)t=τ，Δσ=0.37Δσ0，IΦ=0.37IΦe0；

定義τ＝τf為下降時間常數(shù)

當(dāng)前42頁，總共87頁。2.強(qiáng)輻射作用情況下的時間響應(yīng)

t≥0t=0光電導(dǎo)率和光電流變化的規(guī)律為當(dāng)t=τ時，Δσ=0.76Δσ0，IΦ=0.76IΦe0；

定義τ＝τr為光敏電阻的上升時間常數(shù)

停止輻射時，入射輻射通量為t=0t≥0光電導(dǎo)率和光電流隨時間變化的規(guī)律為

當(dāng)t=τ，Δσ=0.5Δσ0，IΦ=0.5IΦe0；

定義τ＝τf為下降時間常數(shù)

當(dāng)前43頁，總共87頁。頻率響應(yīng)特性

光敏電阻是依靠非平衡載流子效應(yīng)工作的，非平衡載流子的產(chǎn)生與復(fù)合都有一個時間過程，這個時間過程在一定程度上影響了光敏電阻對變化光照的響應(yīng)。光敏電阻采用交變光照時，其輸出將隨入射光頻率的增加而減小。

1-硒

2-硫化鎘

3-硫化鉈

4-硫化鉛f3dB通常，CdS的響應(yīng)時間在幾十毫秒至幾秒；CdSe的響應(yīng)時間約為10-2～10-3s；PbS約為10-4s。由此可見，要達(dá)到穩(wěn)定輸出，頻率響應(yīng)不會超過10kHz，一般為1kHz。當(dāng)前44頁，總共87頁。增益帶寬積意義：當(dāng)一個器件制作完后，外加電壓確定后，增益帶寬積為常量。也就是說，光電導(dǎo)器件的頻帶寬度和光電增益是矛盾的，二者不可兼容，靈敏度高的光電導(dǎo)器件，頻帶必然窄。忽視外電路時間常數(shù)影響時，響應(yīng)時間等于光生載流子平均壽命增益帶寬積當(dāng)前45頁，總共87頁。光敏電阻的變換電路當(dāng)前46頁，總共87頁。：探測器電阻：偏置電阻（或負(fù)載電阻）一、基本偏置的靜態(tài)設(shè)計1.圖解法負(fù)載回路方程伏安曲線負(fù)載線伏安特性（緩變輻射）當(dāng)前47頁，總共87頁。2.解析法偏置電流輸出點(diǎn)電壓光敏電阻功耗入射輻射變化時，偏置電阻RL兩端的輸出信號電流、電壓變化為

？電路參數(shù)確定后，輸出信號變化與入射輻射量的變化成線性關(guān)系。

當(dāng)前48頁，總共87頁。設(shè)入射于光敏電阻的輻射為調(diào)制輻射正弦，RLRd~ipCdVL等效微變電路基本偏置電路二、基本偏置的動態(tài)設(shè)計當(dāng)前49頁，總共87頁。思考：用圖解法如何分析？輸出的交流部分電流輸出的交流部分電壓當(dāng)前50頁，總共87頁。檢測微弱信號時需考慮器件的固有噪聲：熱噪聲、產(chǎn)生－復(fù)合噪聲及１/f噪聲光敏電阻若接收調(diào)制輻射，其噪聲的等效電路如圖所示ipingrintinfRLRdCd考慮噪聲時的噪聲等效電路當(dāng)前51頁，總共87頁。三、輸出信號特性分析令從功率匹配和最大信噪比兩個方面分析：VS和VB、RL的關(guān)系當(dāng)前52頁，總共87頁。推導(dǎo)：將式對求導(dǎo)，并令等式為零以求解的最大值，即:則僅有極大值：此時稱為功率匹配，輸出信號電壓的變化也最大。1.功率匹配VB是否能無窮大？（1）VS與RL的關(guān)系（定負(fù)載線斜率）當(dāng)前53頁，總共87頁。(2)VS和VB的關(guān)系(由功耗線確定VB)增大，也隨之增大，但功耗也會增大，導(dǎo)致探測器損壞。因此對應(yīng)一定功耗存在一偏置電壓最大值最大功耗超出功耗！當(dāng)前54頁，總共87頁。例：PbS最大功耗為0.2W/cm2，使用時要低于比值0.1W/cm2解：由其中，為探測器光敏面積（單位：平方厘米）

當(dāng)前55頁，總共87頁。存在一個最佳偏流，其對應(yīng)最高信噪比，信噪比較大時所對應(yīng)的偏壓要比最大可加電壓VBmax小。

2.信噪比最佳時偏置條件的確定最佳偏流g-r噪聲1/f噪聲偏置電流輸出點(diǎn)信號電壓當(dāng)前56頁，總共87頁。

在滿足功耗的前提下，根據(jù)系統(tǒng)要求綜合考慮信號幅度和信噪比。

最佳偏壓的確定

當(dāng)前57頁，總共87頁。分析：流過探測器的電流近似恒定電流，與Rd無關(guān),不隨光輻射的變化而變化。

1.恒流偏置四、光電導(dǎo)探測器三種偏置方式特點(diǎn)：信號受探測器電阻影響嚴(yán)重！當(dāng)前58頁，總共87頁。例：高阻PC探測器的恒流偏置電路課本p276圖4.12如果采用左圖簡單的恒流偏置電路要求RL>>Rd，又要IL較大，則VB要求很高電壓。例：VB＝（RL＋Rd）IL=(500K+100K)×0.5mA=300V當(dāng)前59頁，總共87頁。例：銻化銦（InSb）PC探測器（77K）的恒流偏置電路當(dāng)前60頁，總共87頁。2.恒壓偏置

分析：探測器上的電壓近似等于VB，與Rd無關(guān)，基本恒定，與光輻射變化無關(guān)。但流過探測器的偏流不恒定，隨Rd變化。特點(diǎn)：輸出信號電壓不受探測器電阻Rd的影響!當(dāng)前61頁，總共87頁。例：硫化鉛（PbS）PC探測器的恒壓偏置

課本p276圖4.14課本p276圖4.13當(dāng)前62頁，總共87頁。

特點(diǎn)：與上兩種偏置比較，當(dāng)Rd變化時探測器上的功率變化最小(恒功率的來源)。輸出信號電壓的變化也最大（如前分析）。

3.恒功率偏置（匹配偏置）功率匹配當(dāng)前63頁，總共87頁。例：銻化銦（InSb）光電導(dǎo)探測器（77K）的匹配偏置電路

由偏置電壓源（12V）和R1，DW1,R2,R3以及C1構(gòu)成的穩(wěn)壓濾波電路提供穩(wěn)定的偏置電壓。探測器暗阻（77K時）為1.8k?，RL亦為1.8k?，構(gòu)成匹配偏置。注意該處的穩(wěn)壓管DW2用來保護(hù)探測器，使之兩端電壓不超過額定值。當(dāng)前64頁，總共87頁。4.三種偏置方式比較（1）從響應(yīng)度和偏置電壓源方面比較

恒流偏置（RL>>Rd，取RL=10Rd)匹配偏置（RL=Rd）恒壓偏置（RL<<Rd，取RL=Rd/10）響應(yīng)度:恒流偏置>匹配偏置>恒壓偏置由于恒流偏置需要很高的VB，在實(shí)用中可采用匹配偏置而獲得與恒流偏置相當(dāng)?shù)捻憫?yīng)度。偏置電壓:恒流偏置>匹配偏置>恒壓偏置當(dāng)前65頁，總共87頁。（2）從放大器輸出的S/N比較當(dāng)探測器與放大器系統(tǒng)的噪聲以放大器的非熱噪聲（1/f噪聲,g-r噪聲）和前放的In為主時，信噪比與偏置方式無關(guān)（即與RL無關(guān)）。當(dāng)系統(tǒng)以探測器的熱噪聲和前放的En為主時：恒流偏置S/N＞匹配偏置S/N＞恒壓偏置S/N。當(dāng)前66頁，總共87頁。5．小結(jié)（1）PC探測器一定要加偏置電路。（2）設(shè)計偏置電路時（確定VB和RL），首先要根據(jù)所用探測器的信號噪聲及S/N輸出對偏置電流IL的關(guān)系曲線選定IL值。通常在S/N最大值范圍內(nèi)選取。（3）選定IL值，再根據(jù)系統(tǒng)情況選擇偏置方式來確定RL值。一般按S/N大為準(zhǔn)則，優(yōu)先選用恒流偏置，即RL>>Rd（一般為RL≥10Rs），無必要或不便采用恒流偏置時，可用恒壓和匹配偏置。選用恒壓偏置時，一般使10RL≤Rd，其信號輸出幅值穩(wěn)定，受Rd變化影響小。對于高阻探測器（Rd一般大于1MΩ），一般不采用恒流偏置（偏壓要相當(dāng)高），同時如對響應(yīng)時間也有較高要求，則RL就不能選大，而常采用恒壓偏置或匹配偏置。（4）根據(jù)VB＝IL（RL+Rs），在Rd，RL，IL已定下，算出VB值，且滿足VB≤VBmax，否則需重新設(shè)計選定。當(dāng)前67頁，總共87頁。判斷電路的偏置方式當(dāng)前68頁，總共87頁。3.2.4常用光敏電阻當(dāng)前69頁，總共87頁。光譜響應(yīng)范圍寬，測光范圍寬，靈敏度高，無極性之分,價格便宜,強(qiáng)光照射下線性較差，頻率特性也較差。

光敏電阻的重要特點(diǎn)是：光敏電阻按光譜范圍可分為紫外、可見光、紅外；按晶體結(jié)構(gòu)分為單晶和多晶；按制作工藝分為薄膜燒結(jié)型和真空蒸發(fā)型。當(dāng)前70頁，總共87頁。

幾種常用的光敏電阻光敏電阻紫外硫化鎘(CdS)和硒化鎘(CdSe)可見硫化鉈(TiS)、硫化鎘(CdS)和硒化鎘(CdSe)紅外硫化鉛(PbS)、碲化鉛(PbTe)、銻化銦(InSb)、碲汞鎘（Hg1-xCdxTe）當(dāng)前71頁，總共87頁。光敏電阻常用光電導(dǎo)材料當(dāng)前72頁，總共87頁。一、CdS光敏電阻

CdS光敏電阻是最常見的光敏電阻，它的光譜響應(yīng)特性最接近人眼光譜光視效率，它在可見光波段范圍內(nèi)的靈敏度最高，因此，被廣泛地應(yīng)用于燈光的自動控制，照相機(jī)的自動測光等。

CdS光敏電阻的峰值響應(yīng)波長為0.52μm，CdSe光敏電阻為0.72μm，一般調(diào)整S和Se的比例，可使Cd（S，Se）光敏電阻的峰值響應(yīng)波長大致控制在0.52~0.72μm范圍內(nèi)。

CdS光敏電阻的光敏面常為蛇形光敏面結(jié)構(gòu)。

當(dāng)前73頁，總共87頁。二.PbS光敏電阻

PbS光敏電阻是近紅外波段最靈敏的光電導(dǎo)器件。特別是在2μm附近的紅外輻射的探測靈敏度很高，因此，常用于火災(zāi)的探測等領(lǐng)域。

PbS光敏電阻的光譜響應(yīng)和比探測率等特性與工作溫度有關(guān)，隨著工作溫度的降低其峰值響應(yīng)波長和長波長將向長波方向延伸，且比探測率D*增加。例如，室溫下的PbS光敏電阻的光譜響應(yīng)范圍為1~3.5μm，峰值波長為2.4μm，峰值比探測率D*高達(dá)1×1011cm·Hz·W-1。當(dāng)溫度降低到（195K）時，光譜響應(yīng)范圍為1~4μm，峰值響應(yīng)波長移到2.8μm，峰值波長的比探測率D*也增高到2×1011cm·Hz·W-1。

當(dāng)前74頁，總共87頁。三.InSb光敏電阻

InSb光敏電阻是3~5μm光譜范圍內(nèi)的主要探測器件之一。

InSb材料不僅適用于制造單元探測器件，也適宜制造陣列紅外探測器件。

InSb光敏電阻在室溫下的長波長可達(dá)7.5μm，峰值波長在6μm附近，比探測率D*約為1×1011cm·Hz·W-1。當(dāng)溫度降低到77K（液氮）時，其長波長由7.5μm縮短到5.5μm，峰值波長也將移至5μm，恰為大氣的窗口范圍，峰值比探測率D*升高到2×1011cm·Hz·W-1。

當(dāng)前75頁，總共87頁。四.Hg1-xCdxTe系列光電導(dǎo)探測器件

Hg1-xCdxTe系列光電導(dǎo)探測器件是目前所有紅外探測器中性能最優(yōu)良最有前途的探測器件，尤其是對于4~8μm大氣窗口波段輻射的探測更為重要。

Hg1-xCdxTe系列光電導(dǎo)體是由HgTe和CdTe兩種材料的晶體混合制造的，其中x標(biāo)明Cd元素含量的組分。在制造混合晶體時選用不同Cd的組分x，可以得到不同的禁帶寬度Eg，便可以制造出不同波長響應(yīng)范圍的Hg1-xCdxTe探測器件。一般組分x的變化范圍為0.18~0.4，長波長的變化范圍為1~30μm。

當(dāng)前76頁，總共87頁。實(shí)例一InfrareddetectormodulewithpreampP4245當(dāng)前77頁，總共87頁。實(shí)例二PbSphotoconductivedetector

P9217-03當(dāng)前78頁，總共87頁。3.2.5小結(jié)當(dāng)前79頁，總共87頁。光電導(dǎo)探測器具有內(nèi)增益M