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標(biāo)準(zhǔn)實用標(biāo)準(zhǔn)實用文案大全文案大全標(biāo)準(zhǔn)實用文案大全各種貼片電容容值表X7R貼片電容簡述X7R貼片電容屬于EIA規(guī)定的Class2類材料的電容。它的容量相對穩(wěn)定。X7R貼片電容特性具有較高的電容量穩(wěn)定性,在-55℃~125℃工作溫度范圍內(nèi),溫度特性為±15%。層疊獨石結(jié)構(gòu),具有高可靠性。優(yōu)良的焊接性和和耐焊性,適用于回流爐和波峰焊。應(yīng)用于隔直、耦合、旁路、鑒頻等電路中。X7R貼片電容容量范圍厚度與符號對應(yīng)表符號符號ACEGJKMNPQXYZ最大厚度毫米(英寸)0.33(0.013)0.56(0.022)0.71(0.028)0.86(0.034)0.94(0.037)1.02(0.040)1.27(0.050)1.40(0.055)1.52(0.060)1.78(0.070)2.29(0.090)2.54(0.100)2.79(0.110)0201~1206X7R貼片電容選型表
0.150.150.22GGJJJJJMJJJJJJJJ0.330.470.68MNNMMJMMJMMMMM1.01.52.2NMPQMQ工作電壓16162550101625501001016255010020010162550100200500封裝尺寸020104020603080512061210~2225X7R貼片電容選型表NPOCOG貼片電容容量規(guī)格表默認分類2009-07-1516:28閱讀354評論1字號:大大中中小小NPO貼片電容簡述NPO(COG)貼片電容屬于Class1溫度補償型電容。它的容量穩(wěn)定,幾乎不隨溫度、電壓、時間的變化而變化。尤其適用于高頻電子電路。NPO(COG)貼片電容特性具有最高的電容量穩(wěn)定性,在-55℃~125℃工作溫度范圍內(nèi),溫度特性為:0±30ppm/℃(COG)、0±60ppm/℃(COH)。層疊獨石結(jié)構(gòu),具有高可靠性。優(yōu)良的焊接性和和耐焊性,適用于回流爐和波峰焊。應(yīng)用于各種高頻電路,如:振蕩、計時電路等。NPONPO貼片電容容量范圍3.3 ACCCGGGGJJJJ3.9ACCCGGGGJJJJ4.7 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJJ 5.6 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ6.8ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 8.2 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 10 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ12ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 15 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 18 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ22ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 27 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 33 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ39ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 47 ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ56ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ68ACCCGGGGJJJJJJJJJJJ 82A CCCGGGGJJJJJJJJJJJ 100A CCCGGGGJJJJJJJJJJJ120CCCGGGGJJJJJJJJJJJ 150 CCCGGGGJJJJJJJJJJJ 180 CCCGGGGJJJJJJJJJJJ220CCCGGGGJJJJJJJJJJM 270 CGGGGJJJJMJJJJJM 330 C GGGGJJJJMJJJJJM390GGGJJJJMJJJJJM 470 GGGJJJJMJJJJJM 560 GGGJJJJMJJJJJM680GGGJJJJMJJJJJP 820 GGG JJJJJJJJM 1000 GGGJJJJ JJJJQ1200JJJJJJJQ 1500 JJJ JJJMQ 1800 JJJ JJMM2200JJMJJMP 2700 JJM JJMP 3300 NNM JJMP3900NNMJJMP 4700 NN JJMP 5600 NN JJM 6800 N MM82008200NMM100001200015000NMM工作電壓1016251625506.32550100162550100200162550100200500封裝尺寸020104020603080512063300JJJ3900JJM4700JJM5600JJM6800JJJJ0.010NN0.012NN0.0150.0180.022電容量0.027 (uF)0.0330.0390.0470.0680.0820.1KKKPQMMMKKKPQMMMKKKPQMMMKKMPXMMMKKMXMMMPKMMXMMPKMMX MM PKMMMMM MM MM PMMMPMP MPMPXPXXXXXXMMPMMPMMPMMPMMPMMPMMPQMMPQMMYQMMYQMYYPYYPYZPYZPPPQ工作電壓255010020050025501002005005010020050050100200500封裝尺寸1210181218252225我們把用來制造片式多層瓷介電容(MLCC)的陶瓷叫電容器瓷。這里所說的瓷介就是用電容器瓷制成的陶瓷介質(zhì)。大家知道,陶瓷是一類質(zhì)硬、性脆的無機燒結(jié)體。就其顯微結(jié)構(gòu)而論,大都具有多晶多相結(jié)構(gòu)。其性能往往決定于其成份和結(jié)構(gòu)。當(dāng)配方確定之后,能否達到預(yù)期的效果,關(guān)鍵取決于制造陶瓷粉料的工藝。按其用途可以分為三類:①高頻熱補償電容器瓷(UJ、SL);②高頻熱穩(wěn)定電容器瓷(NPO);③低頻高介電容器瓷(X7R、Y5V、Z5U)。按溫度系數(shù)分可以分為兩類:①負溫度系數(shù)電容器瓷(即高頻熱補償電容器瓷);②正溫度系數(shù)電容器瓷(即平時我們常說的COG、X7R、Y5V瓷料)。按工作頻率可以分為三類:低頻、高頻、微波介質(zhì)。高頻熱補償、熱穩(wěn)定電容器瓷是專供Ⅰ類瓷介電容器作介質(zhì)用,其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點是介質(zhì)系數(shù)較大,介質(zhì)損耗小,溫度系數(shù)和范圍廣,一般在(+120~-5600)ppm/℃之間可調(diào)。高頻熱補償電容瓷常用來制造的負溫產(chǎn)品,其用途最廣的地方就是振蕩回路,像彩電高頻頭。大家知道,振蕩回路都是由電感和電容構(gòu)成,回路中的電感線圈一般具有正的電感溫度系數(shù)。因此,為了保持振蕩回路中頻率(F=1/2π√LC)不隨溫度變化而發(fā)生漂移,就必須先用具有適當(dāng)?shù)呢摐囟认禂?shù)的電容器來進行補償。低頻高介電容器是指強介鐵電陶瓷,一般用作Ⅱ類瓷介電容器的介質(zhì)。具有自發(fā)極化性質(zhì)的非線性陶瓷材料,一般以鈦酸鋇(BaTiO3)為主體的鐵電陶瓷,其特點是介電系數(shù)特別標(biāo)準(zhǔn)實用標(biāo)準(zhǔn)實用文案大全文案大全標(biāo)準(zhǔn)實用文案大全高,一般數(shù)千,甚至上萬;介電系數(shù)隨溫度呈非線性變化,介電常數(shù)隨施加的外電場有非線性關(guān)系。瓷介代號陶瓷介質(zhì)的代號是按其陶瓷粉料的溫度特性來命名的。常用的幾種陶瓷粉料的含義如下:Y5V:溫度特性Y代表-25℃;5代表+85℃;溫度系數(shù)V代表-80%~+30%Z5U:溫度特性Z代表+10℃;5代表+85℃;溫度系數(shù)U代表-56%~+22%X7R:溫度特性X代表-55℃;7代表+125℃溫度系數(shù)R代表±15%NP0:溫度系數(shù)是30ppm/℃其它電子陶瓷的產(chǎn)品及用途壓電陶瓷:利用其機-電轉(zhuǎn)換性能以制造換能器、濾波器及變壓器等。半導(dǎo)體瓷:其電氣性能對外界物理條件極其敏感,可制造各種敏感元件。比如熱敏電阻,氣敏電阻。磁性瓷:即鐵氧體瓷,是鐵磁性氧化物。用以制造高頻或微波鐵氧體器件、以及恒磁器件。如VCD中的磁珠。微波介質(zhì)瓷:其品質(zhì)因素大,頻率特性好,可制作聲表面波濾波器(SAWF);陶瓷濾波器(CF)。貼片電容的材質(zhì)規(guī)格貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質(zhì)規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購中應(yīng)注意的訂貨事項以引起大家的注意。不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法,這里我們引用的是敝司三巨電子公司的命名方法,其他公司的產(chǎn)品請參照該公司的產(chǎn)品手冊。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來選用不同的電容器。一NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55℃到+125℃時容量變化為0±30ppm/℃,電容量隨頻率的變化小于±0.3Δ。CNPO電容的漂移或滯后小于±0.05%,相對大于±2%的薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于±0.1%。
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