濺射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)化程度

濺射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)化程度濺射靶材行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)化程度全球范圍內(nèi)，高性能濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)參與企業(yè)數(shù)量基本呈金字塔型分布，金字塔尖高純金屬供給及高性能濺射靶材制造環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)集中度高、技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少，以霍尼韋爾（美國）、JX金屬（日本）、東曹（日本）等跨國集團(tuán)為代表的濺射靶材生產(chǎn)商較早涉足該領(lǐng)域，并在掌握先進(jìn)技術(shù)以后實(shí)施壟斷和封鎖，主導(dǎo)著技術(shù)革新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2017年，JX金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，合計(jì)壟斷了全球約80%的市場(chǎng)份額。另外，三井礦業(yè)、住友化學(xué)、愛發(fā)科、世泰科、攀時(shí)等資金實(shí)力雄厚、技術(shù)水平領(lǐng)先、產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)豐富的企業(yè)在各自的優(yōu)勢(shì)靶材領(lǐng)域占據(jù)了較強(qiáng)勢(shì)的市場(chǎng)地位。從國內(nèi)市場(chǎng)來看，我國雖有豐富的上游原材料，但高性能濺射靶材行業(yè)起步較晚。受到技術(shù)、資金和人才的限制，國內(nèi)高性能濺射靶材市場(chǎng)尚處于發(fā)展初期，具有規(guī)?；a(chǎn)能力和較強(qiáng)研發(fā)能力的廠商數(shù)量仍然偏少，多數(shù)國內(nèi)廠商還處于企業(yè)規(guī)模較小、技術(shù)水平偏低的狀態(tài)，國際廠商仍在國內(nèi)濺射靶材市場(chǎng)占有較高份額。但伴隨全球分工及產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移，國內(nèi)廠商正處于對(duì)國際廠商的加速替代過程中，已有如江豐電子、阿石創(chuàng)、有研新材、隆華科技、先導(dǎo)薄膜、歐萊新材以及映日科技等企業(yè)掌握了高性能濺射靶材研發(fā)及生產(chǎn)環(huán)節(jié)的相關(guān)技術(shù)并可以進(jìn)行批量生產(chǎn)，成功進(jìn)入國內(nèi)外知名平面顯示、半導(dǎo)體等下游制造企業(yè)的供應(yīng)鏈環(huán)節(jié)，以上廠商上升勢(shì)頭較快，對(duì)國際廠商在國內(nèi)的市場(chǎng)份額形成了一定的進(jìn)口替代，保障了國內(nèi)重點(diǎn)行業(yè)上游關(guān)鍵原材料的自主可控及供應(yīng)安全。平板顯示靶材應(yīng)用場(chǎng)景平板顯示主要包括液晶顯示（LCD）、等離子顯示（PDP）、有機(jī)發(fā)光二極管顯示（OLED）等，多由金屬電極、透明導(dǎo)電極、絕緣層、發(fā)光層組成，為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)越來越多地被用來制備這些膜層。平板顯示鍍膜用濺射靶材主要品種有：鉬靶、鋁靶、鋁合金靶、鉻靶、銅靶、銅合金靶、硅靶、鈦靶、鈮靶和氧化銦錫（ITO）靶材等。若根據(jù)工藝的不同，F(xiàn)PD行業(yè)用靶材也可大致分為濺射用靶材和蒸鍍用靶材。其中濺射用靶材主要為Cu、Al、Mo和IGZO等材料。蒸鍍用靶材一般為Ag和Mg兩種金屬。Ag和Mg合金一般用于小尺寸OLED面板產(chǎn)線中的陰極制作。除此以外，Ag也可以作為頂發(fā)射OLED器件中的陽極反射層使用。薄膜晶體管液晶顯示面板TFT-LCD由大量的液晶顯示單元陣列組成（如4K分辨率的屏幕含有800多萬個(gè)顯示單元陣列），而每一個(gè)液晶顯示單元，都由一個(gè)單獨(dú)的薄膜晶體管（TFT）所控制和驅(qū)動(dòng)。薄膜晶體管陣列的制作原理，是在真空條件下，利用離子束流去轟擊靶材，使固體表面的原子電離后沉積在玻璃基板上，經(jīng)過反復(fù)多次的沉積+刻蝕，一層層（一般為7－12層）地堆積制作出薄膜晶體管陣列。OLED典型結(jié)構(gòu)是在氧化銦錫（ITO）玻璃上制作一層幾十納米厚的發(fā)光材料，ITO透明電極作為器件的陽極，鉬或者合金材料作為器件的陰極。從陰陽2極分別注入電子和空穴，在一定電壓驅(qū)動(dòng)下，被注入的電子和空穴分別經(jīng)過電子傳輸層和空穴傳輸層遷移到發(fā)光層并復(fù)合，形成激子并使發(fā)光分子產(chǎn)生單態(tài)激子，單態(tài)激子衰減發(fā)光。濺射靶材市場(chǎng)下游市場(chǎng)情況濺射靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，在平面顯示、信息存儲(chǔ)、光伏電池、半導(dǎo)體芯片等行業(yè)被廣泛應(yīng)用。其中平面顯示市場(chǎng)中，應(yīng)用最為廣泛，占比34%；其次為、信息存儲(chǔ)、光伏電池，占比分別為29%、21%。濺射靶材能夠提升平板顯示器中大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率并降低成本。2016-2020年我國大陸平板顯示產(chǎn)能從29%提升到51%，居全球首位，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到56%。從產(chǎn)品類別來看，2020年平板顯示產(chǎn)品中OLED占比約為29．3%，預(yù)計(jì)2022年將提升到33．9%。目前國內(nèi)平板顯示產(chǎn)能全球領(lǐng)先，預(yù)計(jì)隨著OLED技術(shù)不斷成熟和產(chǎn)能逐步釋放，預(yù)計(jì)未來將持續(xù)滲透，驅(qū)動(dòng)濺射靶材市場(chǎng)空間增長。濺射靶材是制備集成電路的核心材料之一。有相關(guān)資料顯示，濺射靶材在晶圓制造材料和封裝測(cè)試材料中，市場(chǎng)分別占比為2．6%和2．7%。2021年是中國十四五開局之年，在國內(nèi)宏觀經(jīng)濟(jì)運(yùn)行良好的驅(qū)動(dòng)下，國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)繼續(xù)保持快速、平穩(wěn)增長態(tài)勢(shì)，2021年中國集成電路產(chǎn)業(yè)首次突破萬億元。中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021年中國集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額為10458．3億元，同比增長18．2%。隨著下游市場(chǎng)不斷發(fā)展，帶動(dòng)國內(nèi)集成電路材料需求持續(xù)提升。有數(shù)據(jù)顯示，2021年國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到650億元，預(yù)計(jì)2022年將增長至665億元。而隨著國內(nèi)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)的進(jìn)一步增長，濺射靶材需求將隨之繼續(xù)拉升，維系成長。濺射靶材可用于薄膜太陽能電池的制備中。據(jù)了解，和傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池相比，薄膜太陽能電池大大減少了材料用量，從而大幅降低制造成本和產(chǎn)品價(jià)格，同時(shí)，薄膜太陽能電池還具有制造溫度低、應(yīng)用范圍大等特點(diǎn)，從市場(chǎng)前景來看，薄膜太陽能電池在光伏建筑一體化、大規(guī)模低成本發(fā)電站建設(shè)等方面比傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池具有更加廣闊的市場(chǎng)空間。由此隨著碳中和、碳達(dá)峰目標(biāo)的提出，光伏裝機(jī)量提升確定性強(qiáng)，光伏用濺射靶材市場(chǎng)將穩(wěn)步增長。近年來隨著國內(nèi)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，光伏電池規(guī)模快速增長。數(shù)據(jù)顯示，2021年我國光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量為30656萬千瓦，較上年同比增長21%，新增裝機(jī)容量為5493萬千瓦，較上年同比增長14%；2022年1-6月我國光伏發(fā)電累計(jì)裝機(jī)容量為33677萬千瓦，較上年同比增長25．8%，新增裝機(jī)容量為3088萬千瓦，較上年同比增長137．4%。隨著全球經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展及相關(guān)技術(shù)創(chuàng)新的推動(dòng)下，近年來全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模穩(wěn)步增長。據(jù)資料顯示，2021年全球?yàn)R射靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為213億美元，同比增長8．7%。得益于政策利好以及在技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)需求不斷釋放，我國濺射靶材行業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大。據(jù)資料顯示，2021年我國建設(shè)靶材行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模為375．8億元，同比增長11．5%。濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈中國濺射靶材上游為各種原材料，包括金屬、合金、陶瓷化合物；中游主要為靶材制造、濺射鍍膜；下游廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、平面顯示、信息存儲(chǔ)、太陽能電池、智能玻璃等。中國濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈上游金屬上市企業(yè)包括新疆眾和、天山鋁業(yè)、銅陵有色、安寧股份、中環(huán)股份等，合金企業(yè)包括江贛鋒鋰業(yè)、興業(yè)礦業(yè)、浙富控股、廈門鉤業(yè)、寒銳鉆業(yè)等。中游的濺射靶材企業(yè)主要為日礦金屬、霍尼韋爾、東曹、普萊克斯、有研新材、金鉬股份、新疆眾和、隆華科技、江豐電子、康達(dá)新材、阿石創(chuàng)、超卓航科等。下游集成電路企業(yè)包括中芯國際、長電科技、韋爾股份、通富微電、華天科技等，太陽能電池企業(yè)包括通威股份、隆基綠能、天合光能、晶科能源、TCL中環(huán)等。濺射靶材中游分析（一）濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模在經(jīng)濟(jì)快速發(fā)展以及技術(shù)創(chuàng)新推動(dòng)下，我國芯片、光伏高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)獲得快速發(fā)展，隨著市場(chǎng)需求不斷釋放，濺射靶材行業(yè)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在應(yīng)用需求帶動(dòng)下，我國濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。2021年我國濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)375．8億元，同比增長9．7％。（二）高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模中國高性能濺射靶材行業(yè)在國家戰(zhàn)略政策支持以及下游眾多應(yīng)用領(lǐng)域需求的支撐下，行業(yè)技術(shù)不斷突破，產(chǎn)品性能不斷提升，帶動(dòng)高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。中國高性能濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模由2016年的98．9億元增長至2020年的201．5億元，年均復(fù)合增長率為19．47%，預(yù)計(jì)2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)288．1億元。（三）ITO靶材市場(chǎng)規(guī)模中國已成為世界上最大的銦靶材需求國。2019年至2021年，我國ITO靶材市場(chǎng)容量從639噸增長到1002噸，年復(fù)合增長率為25．22%。未來2-3年內(nèi)，雖然國內(nèi)平面顯示行業(yè)的固定資產(chǎn)投資增速將有所放緩，但由于平面顯示行業(yè)存量需求及太陽能光伏電池的增量需求，國內(nèi)ITO靶材市場(chǎng)容量仍將保持一定幅度的增長。預(yù)計(jì)2022年能達(dá)到1067噸，2024年達(dá)到1207噸。（四）濺射靶材競(jìng)爭(zhēng)格局全球靶材市場(chǎng)呈寡頭競(jìng)爭(zhēng)格局，日美在高端濺射靶材領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)明顯。目前，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)主要有四家企業(yè)，分別是JX日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，市場(chǎng)份額分別為30%、20%、20%和10%，合計(jì)壟斷了全球80%的市場(chǎng)份額。濺射靶材應(yīng)用場(chǎng)景半導(dǎo)體芯片是對(duì)濺射靶材的成分、組織和性能要求的最高的領(lǐng)域。具體來講，半導(dǎo)體芯片的制作過程可分為硅片制造、晶圓制造和芯片封裝等三大環(huán)節(jié)，其中，在晶圓制造和芯片封裝這兩個(gè)環(huán)節(jié)中都需要用到金屬濺射靶材。靶材在晶圓制造環(huán)節(jié)主要被用作金屬濺鍍，常采用PVD工藝進(jìn)行鍍膜，通常使用純度在99．9995%（5N5）及以上的銅靶、鋁靶、鉭靶、鈦靶以及部分合金靶等；靶材在芯片封裝環(huán)節(jié)常用作貼片焊線的鍍膜，常采用高純及超高純金屬銅靶、鋁靶、鉭靶等。具體來看，半導(dǎo)體領(lǐng)域用量較多的濺射靶材主要有鉭靶、銅靶、鋁靶、鈦靶等，其中銅靶和鉭靶多配合起來使用，分別用于生成銅導(dǎo)電層和鉭阻擋層，在110nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中大量使用；鋁靶和鈦靶則主要用于8英寸晶圓110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)中導(dǎo)電層和阻擋層的制備。隨著芯片制程持續(xù)微縮，銅靶和鉭靶需求有望持續(xù)增長，而汽車芯片等仍廣泛使用成熟制程，鋁靶和鈦靶仍有大量應(yīng)用。半導(dǎo)體芯片用金屬濺射靶材的作用，就是給芯片上制作傳遞信息的金屬導(dǎo)線。具體工藝過程為，在完成濺射工藝后，使各種靶材表面的原子一層一層地沉積在半導(dǎo)體芯片的表面上，然后再通過的特殊加工工藝，將沉積在芯片表面的金屬薄膜刻蝕成納米級(jí)別的金屬線，將芯片內(nèi)部數(shù)以億計(jì)的微型晶體管相互連接起來，從而起到傳遞信號(hào)的作用。記錄媒體靶材應(yīng)用場(chǎng)景數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可分為光存儲(chǔ)、磁存儲(chǔ)與半導(dǎo)體存儲(chǔ)，近年來半導(dǎo)體存儲(chǔ)發(fā)展迅速。從數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量來看，目前磁記錄仍然占據(jù)主導(dǎo)記錄。按記錄媒體的機(jī)械形狀和驅(qū)動(dòng)方式的不同，磁記錄可分為磁鼓、磁帶（錄音機(jī)、錄像機(jī)、數(shù)據(jù)記錄）、磁盤（硬盤、軟盤）、磁卡等，其中，高密度硬盤領(lǐng)域的磁性薄膜幾乎都是以濺射法制作的，這些磁記錄薄膜材料有很高的記錄密度。因此也要求濺射靶材具有高純度、低氣體含量、細(xì)晶微結(jié)構(gòu)、均勻的金相、高磁穿透和使用率、優(yōu)異的電性與機(jī)械特性等特點(diǎn)。磁記錄靶材常用材料為鈷（3N）/鎳/鐵合金/鉻/碲、硒（4N）/稀土-遷移金屬（3N）等，主要包括鉻靶、鎳靶、鈷靶。靶材制備濺射靶材上游原材料為高純金屬，若金屬雜質(zhì)含量過高，則形成的薄膜無法達(dá)到使用所要求的電性能，且在濺射過程中易在晶圓上形成微粒，導(dǎo)致電路短路或損壞，嚴(yán)重影響薄膜的性能。而這對(duì)金屬提純的要求極高，且提純后往往還需配比其他金屬元素才能投入使用，這個(gè)過程中需經(jīng)過熔煉、合金化和鑄造等步驟，對(duì)配比和工藝控制都有極高要求，因此目前高純銅、高純鉭等原材料都很大程度上由海外廠商把控，國內(nèi)靶材廠商的采購容易受到限制。繼上游高純金屬原材料環(huán)節(jié)后，在濺射靶材制造環(huán)節(jié)，需要進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序，工序繁多且精細(xì)，工序流程管理及制造工藝水平將直接影響到濺射靶材的質(zhì)量和良品率。濺射靶材是一種新型的物理氣相鍍膜方式，主要是指用電子槍系統(tǒng)把電子發(fā)射并聚焦在被鍍的材料上，使其被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離材料飛向基片淀積成膜。濺射靶材的要求較行業(yè)高，一般要求如，尺寸、純度、各項(xiàng)雜質(zhì)含量、密度、N/O/、尺寸與缺陷控制；較高要求或特殊要求包含、電阻值、晶粒尺寸均勻性、成份與組織均勻性、異物（氧化物）含量與尺寸、超高密度與超細(xì)晶粒等等。濺射靶材根據(jù)形狀分