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計算機組成原理舒燕君計算機科學(xué)與技術(shù)學(xué)院第五講3.5總線控制一、總線判優(yōu)控制總線判優(yōu)控制分布式集中式主設(shè)備(模塊)對總線有控制權(quán)從設(shè)備(模塊)響應(yīng)從主設(shè)備發(fā)來的總線命令1.基本概念鏈式查詢計數(shù)器定時查詢獨立請求方式二、總線通信控制1.目的2.總線傳輸周期主模塊申請,總線仲裁決定主模塊向從模塊給出地址和命令主模塊和從模塊交換數(shù)據(jù)主模塊撤消有關(guān)信息申請分配階段尋址階段傳數(shù)階段結(jié)束階段解決通信雙方協(xié)調(diào)配合問題3.5由統(tǒng)一時標控制數(shù)據(jù)傳送充分挖掘系統(tǒng)總線每個瞬間的潛力同步通信異步通信
半同步通信
分離式通信
3.總線通信的四種方式采用應(yīng)答方式
,沒有公共時鐘標準同步、異步結(jié)合3.5上述三種通信的共同點一個總線傳輸周期(以輸入數(shù)據(jù)為例)主模塊發(fā)地址、命令從模塊準備數(shù)據(jù)從模塊向主模塊發(fā)數(shù)據(jù)總線空閑3.5占用總線不占用總線占用總線(5)分離式通信充分挖掘系統(tǒng)總線每個瞬間的潛力主模塊申請占用總線,使用完后即放棄總線的使用權(quán)從模塊申請占用總線,將各種信息送至總線上一個總線傳輸周期子周期1子周期23.5主模塊1.各模塊有權(quán)申請占用總線分離式通信特點充分提高了總線的有效占用2.采用同步方式通信,不等對方回答3.各模塊準備數(shù)據(jù)時,不占用總線4.總線被占用時,無空閑3.5第4章存儲器4.1概述4.2主存儲器4.3高速緩沖存儲器4.4輔助存儲器4.1概述一、存儲器分類1.按存儲介質(zhì)分類(1)半導(dǎo)體存儲器(2)磁表面存儲器(3)磁芯存儲器(4)光盤存儲器易失TTL、MOS磁頭、載磁體硬磁材料、環(huán)狀元件激光、磁光材料非易失(1)存取時間與物理地址無關(guān)(隨機訪問)順序存取存儲器磁帶4.12.按存取方式分類(2)存取時間與物理地址有關(guān)(串行訪問)隨機存儲器只讀存儲器直接存取存儲器磁盤在程序的執(zhí)行過程中可讀可寫在程序的執(zhí)行過程中只讀磁盤、磁帶、光盤高速緩沖存儲器(Cache)FlashMemory存儲器主存儲器輔助存儲器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM靜態(tài)RAM動態(tài)RAM3.按在計算機中的作用分類4.1高低小大快慢輔存寄存器緩存主存磁盤光盤磁帶光盤磁帶速度容量價格位/1.存儲器三個主要特性的關(guān)系二、存儲器的層次結(jié)構(gòu)CPUCPU主機4.1緩存CPU主存輔存2.緩存主存層次和主存輔存層次緩存主存輔存主存虛擬存儲器10ns20ns200nsms虛地址邏輯地址實地址物理地址主存儲器4.1(速度)(容量)4.2主存儲器一、概述1.主存的基本組成存儲體驅(qū)動器譯碼器MAR控制電路讀寫電路MDR地址總線數(shù)據(jù)總線讀寫……………2.主存和CPU的聯(lián)系MDRMARCPU主存讀數(shù)據(jù)總線地址總線寫4.2
高位字節(jié)地址為字地址
低位字節(jié)地址為字地址設(shè)地址線24根按字節(jié)尋址按字尋址若字長為16位按字尋址若字長為32位字地址字節(jié)地址11109876543210840字節(jié)地址字地址4523014203.主存中存儲單元地址的分配4.2224=16M8M4M
(a)IBM360
(b)PDP11(2)存儲速度4.主存的技術(shù)指標(1)存儲容量(3)存儲器的帶寬主存存放二進制代碼的總位數(shù)
讀出時間寫入時間存儲器的訪問時間
存取時間存取周期讀周期寫周期
連續(xù)兩次獨立的存儲器操作(讀或?qū)懀┧璧淖钚¢g隔時間
位/秒4.2芯片容量二、半導(dǎo)體存儲芯片簡介1.半導(dǎo)體存儲芯片的基本結(jié)構(gòu)譯碼驅(qū)動存儲矩陣讀寫電路1K×4位16K×1位8K×8位片選線讀/寫控制線地址線…數(shù)據(jù)線…地址線(單向)數(shù)據(jù)線(雙向)1041411384.2二、半導(dǎo)體存儲芯片簡介1.半導(dǎo)體存儲芯片的基本結(jié)構(gòu)譯碼驅(qū)動存儲矩陣讀寫電路片選線讀/寫控制線地址線…數(shù)據(jù)線…片選線讀/寫控制線(低電平寫高電平讀)(允許讀)4.2CSCEWE(允許寫)WEOE存儲芯片片選線的作用用16K×1位的存儲芯片組成64K×8位的存儲器
32片當(dāng)?shù)刂窞?5535時,此8片的片選有效8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位4.20,015,015,70,7
讀/寫控制電路
地址譯碼器
字線015……16×8矩陣………07D07D位線讀/寫選通A3A2A1A0……2.半導(dǎo)體存儲芯片的譯碼驅(qū)動方式(1)線選法4.200000,00,7…0…07…D07D讀/寫選通
讀/寫控制電路
A3A2A1A0A40,310,031,031,31
Y地址譯碼器
X地址譯碼器
32×32矩陣……A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D讀/寫……(2)重合法4.200000000000,031,00,31……I/OD0,0讀三、隨機存取存儲器(RAM)1.靜態(tài)RAM(SRAM)(1)靜態(tài)RAM基本電路A′觸發(fā)器非端1T4T~觸發(fā)器5TT6、行開關(guān)7TT8、列開關(guān)7TT8、一列共用A
觸發(fā)器原端T1~T4T5T6T7T8A′A寫放大器寫放大器DIN寫選擇讀選擇DOUT讀放位線A位線A′列地址選擇行地址選擇4.2T1~T4A′T1
~T4T5T6T7T8A寫放大器寫放大器DIN寫選擇讀選擇讀放位線A位線A′列地址選擇行地址選擇DOUT
①靜態(tài)RAM基本電路的讀
操作行選
T5、T6開4.2T7、T8開列選讀放DOUTVAT6T8DOUT讀選擇有效T1~T4T5T6T7T8A′ADIN位線A位線A′列地址選擇行地址選
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