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文檔簡介

主要特CSLEB

VDD欠壓鎖VDD過壓?；緫?yīng)低功率AC-DC待機(jī)產(chǎn)品概的buck和flyback應(yīng)用。采用電流控制模式，內(nèi)部集成高壓功率開關(guān)管，采用SOP-7L或護(hù)，供電電壓欠壓和過壓保護(hù)，過溫保護(hù)等。封裝排列

SOP-

DIP-

引腳描名描12347應(yīng)用電ACACEMILNCR3222典型應(yīng)用電極限參符參數(shù)單DRAIN-0.3toVVSEL引腳輸入電-0.3toV-0.3toVCOMP引腳輸入電-0.3toV℃-20to℃-55to℃電氣特=符參測試條范單最典最電源電VVDD=VVDD_ON-1VDD開啟電VVDD關(guān)斷電678VVDD過壓保護(hù)電壓VVDD工作電VDDV%6%進(jìn)入綠色模式時準(zhǔn)電壓V 退出模式時準(zhǔn)電壓V 進(jìn)入模式時準(zhǔn)電壓V電流檢TCS-CS引腳LEB時內(nèi)置OCP過功率VVGS=0V,IDVΩVGS=0V1過溫保OTP℃OTP℃CR3222功能描BurstVDD（OTP（LEB欠壓鎖控制器和驅(qū)動功率MOSFET。如圖，內(nèi)部遲滯的建立防止在啟動期間電壓跌破導(dǎo)致12.5V7VtIStartuptIStartupt啟動和工作電在全電壓輸入范圍內(nèi)，在使用CR32222M的啟動電阻，既機(jī)功耗低于100mW。電壓控不同的輸出電壓應(yīng)用。SEL引腳ICGND腳連接，輸出電壓設(shè)定12VSEL腳懸空時，輸出電壓設(shè)定為18V。過溫保過溫保護(hù)電路檢測溫度。溫度閥值設(shè)定在典型值140°C遲滯溫度30°C。當(dāng)溫，CR3222電流限前沿消MOSFET開啟時寄生電容放電導(dǎo)致開關(guān)脈沖提前終止，在電流比較器輸入和CS引腳之間增加前沿消隱單元。沿消隱時間內(nèi)，CS引腳到電流檢測比較器輸入自動重故障保CR3222具有完善的保護(hù)措施。保護(hù)功能包括：VDD過壓保護(hù)，CS開路保護(hù)，逐周期封裝尺SOP-符毫英最典最最典最A(yù)bcDEehL00DIP-符

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